KR970003207A - 반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치 Download PDFInfo
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Abstract
동작모드에 따라 선택적으로 동작되는 기능블럭의 동작 클럭을 선택적으로 공급하는 반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치에 관한 것이다. 상기의 클럭 발생 장치는 소정의 제어신호 및 클럭에 동기하여 신호를 처리하는 다수의 기능블럭과 반도체 칩의 외부로 부터 입력되는 시스템 클럭을 받아서 내부클럭을 발생하여 대응하는 기능블럭으로 상기 내부클럭을 다수의 공급하는 클럭 발생기를 구비하고, 상기 각각의 클럭발생기는 상기 대응하는 제어신호의 활성화시에 동작하여 내부클럭을 발생함을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 메모리 장치의 클럭 발생 장치의 블럭도.
Claims (3)
- 반도체 메모리 장치에 있어서, 소정의 제어신호 및 클럭에 동기하여 신호를 처리하는 다수의 기능블럭과,반도체 칩의 외부로부터 입력되는 시스템 클럭을 받아서 내부클럭을 발생하여 대응하는 기능블럭으로 상기 내부클럭을 공급하는 다수의 클럭 발생기를 구비하고, 상기 각각의 클럭 발생기는 상기 대응하는 제어신호의 활성화시에 동작하여 내부클럭을 발생함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 클럭 발생기는 상기 기능블럭의 갯수만큼 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치
- 반도체 메모리 장치에 있어서, 내부 클럭을 입력 및 제어신호의 활성화에 응답하여 메모리셀로부터 데이타를 독출하여 출력하는 데이타 출력수단과, 상기 제어신호의 활성화에 응답하여 상기 반도체 칩의 외부로부터 공급되는시스템 클럭에 동기된 내부 클럭을 상기 데이타 출력수단으로 공급하는 클럭 발생기로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018972A KR0142968B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치 |
US08/669,700 US5768213A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-24 | Clock generating circuit for use in semiconductor memory device |
JP16986696A JP3715716B2 (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | 半導体メモリ装置のクロック発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018972A KR0142968B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003207A true KR970003207A (ko) | 1997-01-28 |
KR0142968B1 KR0142968B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19419376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018972A KR0142968B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 메모리 장치의 클럭 발생 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5768213A (ko) |
JP (1) | JP3715716B2 (ko) |
KR (1) | KR0142968B1 (ko) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4090088B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置システム及び半導体装置 |
JP3703241B2 (ja) * | 1997-01-28 | 2005-10-05 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体メモリ装置 |
AU9798798A (en) * | 1997-10-10 | 1999-05-03 | Rambus Incorporated | Power control system for synchronous memory device |
US6154821A (en) | 1998-03-10 | 2000-11-28 | Rambus Inc. | Method and apparatus for initializing dynamic random access memory (DRAM) devices by levelizing a read domain |
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US7802118B1 (en) | 2006-12-21 | 2010-09-21 | Nvidia Corporation | Functional block level clock-gating within a graphics processor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2701030B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1998-01-21 | 株式会社日立製作所 | 高速記憶装置の書込制御回路 |
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-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018972A patent/KR0142968B1/ko active IP Right Grant
-
1996
- 1996-06-24 US US08/669,700 patent/US5768213A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 JP JP16986696A patent/JP3715716B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5768213A (en) | 1998-06-16 |
KR0142968B1 (ko) | 1998-08-17 |
JP3715716B2 (ja) | 2005-11-16 |
JPH0934580A (ja) | 1997-02-07 |
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