KR970002467A - 포지형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR970002467A
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Abstract

본 발명은 폴리스틸렌환산 평균분자량이 2,000~20,000인 알칼리 가용성 노볼락 수지와 하기의 일반식(I),(Ⅱ),(Ⅲ)의 화합물 중의 하나이상과 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르화물을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하고, 알칼리 가용성 노볼락 수지 100중량부에 상기 에스테르화물 1~99중량부로 구성된 해상성이 우수하고 사용성이 높아 일반 IC 제조용 뿐만 아니라 초 LSI 제조용 등으로 유용한 포지형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
(I)
여기에서 m은 0~3이고, n은 1~4이고, n+m=4이다.
R1=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
(Ⅱ)
여기에서 x와 x'는 1~3이고, y와 y'는 0~2이고, x+y=3, x'+y'=3이다.
R1=H, OH, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, Cl, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
(Ⅲ)
여기에서 w는 0~4이고, z는 1~4이고, R1=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
상기 일반식(I),(Ⅱ),(Ⅲ)에서 A는이다.
여기에서 R3=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.

Description

포지형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 알칼리 가용성 노볼락 수지와 하기의 일반식(I),(Ⅱ)그리고(Ⅲ)의 화합물 중 하나이상과 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르화합물을 주성분으로 하는 포지형 포토레지스트 조성물.
    (I)
    여기에서 m은 0~3이고, n은 1~4이고, n+m=4이다.
    R1=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
    (Ⅱ)
    여기에서 x와 x'는 1~3이고, y와 y'는 0~2이고, x+y=3, x'+y'=3이다.
    R1=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
    (Ⅲ)
    여기에서 w는 0~4이고, z는 1~4이고, R1=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
    상기 일반식(I),(Ⅱ),(Ⅲ)에서 A는이다.
    여기에서 R2, R3=H, 0H, CH3, CH2CH3, CH2CH2CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH2CH3, C6H5, (C6H5)CH2, C1, Br, OCH3, OCH2CH3기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 표준 폴리스틸렌환산 편균분자량이 2,000~20,000인 알칼리 가용성 노볼락 수지 100중량부에 일반식 (I),(Ⅱ),(Ⅲ)의 화합물 중의 하나이상과 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르화물 1~99중량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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