KR970002453A - 노광마스크 - Google Patents
노광마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970002453A KR970002453A KR1019950018860A KR19950018860A KR970002453A KR 970002453 A KR970002453 A KR 970002453A KR 1019950018860 A KR1019950018860 A KR 1019950018860A KR 19950018860 A KR19950018860 A KR 19950018860A KR 970002453 A KR970002453 A KR 970002453A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- exposure mask
- exposure
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 노광마스크에 관한 것으로, 고집적화된 반도체소자의 미세패턴을 형성하기 위한 리소그래피공정시 발생되는 라운딩현상으로 인하여 양각 또는 음각 형상의 패턴길이가 변하는 현상을 방지하기 위하여 보조패턴이 부착된 크롬패턴이 형성된 노광마스크를 형성함으로써 상기 노광마스크를 이용하여 반도체기판 상부에 패턴을 형성할때, 예정된 크기의 패턴을 형성함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 수율율을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 실시예에 따른 노광마스크.
Claims (10)
- 고집적화된 반도체소자의 미세패턴을 형성하기 위한 리소그래피공정시 발생되는 라운딩현상으로 인하여 양각형상의 패턴길이가 변하는 현상을 방지하기 위한 노광마스크에 있어서, 석영기판 상부에 양각형상의 크롬패턴이 형성되되, 라운딩되는 부분에 막대형 보조패턴이 형성되는 노광마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 보조패턴은 역삼각형구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 보조패턴은 상기 라운딩되는 부분을 감싸는 사각형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 크롬패턴은 전자빔을 이용한 노광 및 현상공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 크롬패턴은 엑스레이 분광법을 이용한 노광 및 현상공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 고집적화된 반도체소자의 미세패턴을 형성하기 위한 리소그래피공정시 발생되는 라운딩현상으로 인하여 음각형상의 패턴길이가 변하는 현상을 방지하기 위한 노광마스크에 있어서, 석영기판 상부에 양각형상의 크롬패턴이 형성되되, 라운딩되는 부분에 막대형 보조패턴이 형성되는 노광마스크.
- 제6항에 있어서, 상기 보조패턴은 음각의 역삼각형구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제6항에 있어서, 상기 보조패턴은 상기 라운딩되는 부분을 감싸는 음각의 사각형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제6항에 있어서, 상기 크롬패턴은 전자빔을 이용한 노광 및 현상공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제6항에 있어서, 상기 크롬패턴은 엑스레이 분광법을 이용한 노광 및 현상공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018860A KR0160924B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 노광 마스크 |
US08/671,509 US5759723A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | Light exposure mask for semiconductor devices and method for forming the same |
GB9613662A GB2302961A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Photomask |
TW085107812A TW353767B (en) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Light exposure mask for semiconductor devices and method for forming the same |
CN96106890A CN1049298C (zh) | 1995-06-30 | 1996-07-01 | 半导体器件的曝光掩模及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018860A KR0160924B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 노광 마스크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970002453A true KR970002453A (ko) | 1997-01-24 |
KR0160924B1 KR0160924B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=19419279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018860A KR0160924B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 노광 마스크 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5759723A (ko) |
KR (1) | KR0160924B1 (ko) |
CN (1) | CN1049298C (ko) |
GB (1) | GB2302961A (ko) |
TW (1) | TW353767B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6792029B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-09-14 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of suppressing energy spikes of a partially-coherent beam |
US7707541B2 (en) * | 2005-09-13 | 2010-04-27 | Luminescent Technologies, Inc. | Systems, masks, and methods for photolithography |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63216052A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
US4895780A (en) * | 1987-05-13 | 1990-01-23 | General Electric Company | Adjustable windage method and mask for correction of proximity effect in submicron photolithography |
US4936951A (en) * | 1987-10-26 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of reducing proximity effect in electron beam resists |
US5057462A (en) * | 1989-09-27 | 1991-10-15 | At&T Bell Laboratories | Compensation of lithographic and etch proximity effects |
DE69131497T2 (de) * | 1990-06-21 | 2000-03-30 | Matsushita Electronics Corp | Photomaske, die in der Photolithographie benutzt wird und ein Herstellungsverfahren derselben |
EP0529971B1 (en) * | 1991-08-22 | 2003-07-23 | Nikon Corporation | High resolution printing technique by using a mask pattern adapted to the technique |
US5242770A (en) * | 1992-01-16 | 1993-09-07 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Mask for photolithography |
JPH07134395A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-05-23 | Samsung Electron Co Ltd | マスクパターン及びこれを使用した微細パターンの形成方法 |
US5631110A (en) * | 1994-07-05 | 1997-05-20 | Nec Corporation | Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018860A patent/KR0160924B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-27 US US08/671,509 patent/US5759723A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 GB GB9613662A patent/GB2302961A/en not_active Withdrawn
- 1996-06-28 TW TW085107812A patent/TW353767B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-07-01 CN CN96106890A patent/CN1049298C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1148265A (zh) | 1997-04-23 |
TW353767B (en) | 1999-03-01 |
US5759723A (en) | 1998-06-02 |
KR0160924B1 (ko) | 1998-12-15 |
CN1049298C (zh) | 2000-02-09 |
GB2302961A (en) | 1997-02-05 |
GB9613662D0 (en) | 1996-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960008992A (ko) | 트림 마스크가 필요없는 고해상도 위상 에지 리소그래피 | |
KR980010628A (ko) | 포토리소그래피 공정의 노광방법 | |
KR970003408A (ko) | 노광 마스크의 근접효과 억제방법 | |
WO2001084236A3 (en) | Method for phase shift mask design, fabrication, and use | |
KR970002453A (ko) | 노광마스크 | |
US6544695B2 (en) | Photomask set for photolithographic operation | |
GB9515230D0 (en) | Method of manufacturing a photo mask for manufacturing a semiconductor device | |
KR970008372A (ko) | 반도체장치의 미세 패턴 형성방법 | |
TW200502677A (en) | Mask blank, mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
KR970008364A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
KR930024107A (ko) | 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask) | |
KR100334978B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
KR960035155A (ko) | 노광마스크 | |
KR970012002A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토마스크 | |
KR950001889A (ko) | 광 선택 필터가 부착된 포토마스크 | |
KR970048977A (ko) | 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크 | |
KR970012001A (ko) | 마스크 제조방법 | |
KR970048992A (ko) | 반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법 | |
KR970048978A (ko) | 반도체 메모리 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 포토마스크 | |
KR970016796A (ko) | 포토 마스크의 제작 방법 | |
KR970016777A (ko) | 도트 패턴을 갖는 마스크 | |
KR980003860A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
KR970048980A (ko) | 허상을 제거하는 위상 반전 마스크 | |
GB9811563D0 (en) | Improvements in and relating to photomasks | |
KR950025885A (ko) | 노광마스크 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110726 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |