KR970002366A - 접합 리키지 전류 측정방법 - Google Patents

접합 리키지 전류 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 접합 리키지 전류의 측정방법에 관한 것으로 소자분리산화막에 따라 접합 리키지 전류가 달라지는 것을 측정하기 위하여 제1도전형 실리콘기판에 소자분리산화막을 형성하고, 노출된 액티브 지역으로 제2도전형 불순물을 이온주입하여 제2도전형 확산영역을 형성하고, 전체적으로 폴리실리콘층을 증착하고, 패턴닝 공정으로 각각의 다이를 분리하고, 상기 P-N 접합에 역방향 전압을 인가하여 접합 리키지 전류를 측정하는 것이다.

Description

접합 리키지 전류 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 실시예에 의해 접합리키지 전류 측정 테스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 실리콘기판에 웰을 형성한다음, 소자분리산화막을 형성하고, 노출된 액티브 지역으로 불순물을 이온주입하여 확산영역을 형성하고, 전체적으로 도핑된 폴리실리콘층을 증착하고, 패턴닝 공정으로 각각의 다이를 분리하고, 상기 P-N 접합에 역방향 전압을 인가하여 접합 리키지 전류를 측정하는 것을 특징으로 하는 접합 리키지 전류 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층을 증착하기 전에 노출된 실리콘기판에 성장된 자연산화막을 제거하는것을 특징으로 하는 접합 리키지 전류 측정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다이 속에는 액티브 용량이 1M 내지 4M가 되도록 패턴닝 하는 것을 특징으로 하는접합 리키지 전류 측정방법.
  4. 제1항에 있어서, 100∼200 다이에 대하여 2.5∼5.0V 전압으로 30∼130℃의 온도에서 접합 리키지를 구하여 누적 그래프를 그리는 것을 특징으로 하는 접합 리키지 전류 측정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 누적 그래프에서 불량인 다이에 대하여 Arrhenius plot를 하여 불량 원인을 판정하는 것을 특징으로 하는 접합 리키지 전류 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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