KR970001602A - 단결정 성장용 수직로 - Google Patents
단결정 성장용 수직로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970001602A KR970001602A KR1019960020251A KR19960020251A KR970001602A KR 970001602 A KR970001602 A KR 970001602A KR 1019960020251 A KR1019960020251 A KR 1019960020251A KR 19960020251 A KR19960020251 A KR 19960020251A KR 970001602 A KR970001602 A KR 970001602A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- furnace
- heater
- heater element
- insulating material
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004116 SrO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
노 케이싱인 고압용기(1)에, 뒤집힌 컵 형상의 절연 실린더(2), 및 절연 실린더(2)내에 소정간격으로 히터요소(18)를 배열하기 위한 공간을 수직으로 구분하는 평행하게 배열된 히터 설치판(16)에 개별적으로 설치된 히터요소(18)가 장착된다.
고압 가스분위기에서 가열하는 것에 의한 단결정 성장 과정에 있어서, 절연 실린더(2) 및 히터설치판(16)은 고압가스의 자발적 대류효과 및 인접히터 요소로부터의 복사열 효과를 가능한 적게 억제할 수 있어 각 가열대역의 온도제어능력을 개선시킬 수 있고 이로써 노내의 수직적 온도분포를 적절히 제어할 수 있다. 또한 보다 큰 장치크기의 히터요소(18)가 안정하게 지지된 상태에 유지될 수 있어 보다 큰 치수의 단결정이 성장될수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예의 단결정 성장용 노의 구조를 묘사하는 개략적 종단면도이고, 제2도는 단결정 성장용 노에 배열된 가열로의 히터 설치판을 묘사하는 사시도이고, 제3도는 본 발명의 다른 실시예의 단결정 성장용 노의 구조를 묘사하는 개략적 종단면도이고, 제4(a)도는 본 발명의 또 다른 실시예의 단결정 성장용 노로서 형성된 열처리로를 묘사하는 개략적 종단면도이고, 제4(b)도는 단결정 성장공정동안의 제4(a)도에 나타낸 노의 온도분포를 묘사하는 그래프이고, 제5(a)도는 본 발명의 또 다른 실시예의 세라믹 소결로로서 형성된 열처리로를 묘사하는 개략적 종단면도이고, 제5(b)도는 소결동안의 제5(a)도에 나타낸 노의 온도분포를 묘사하는 그래프이다.
Claims (15)
- 바깥쪽으로 접속되는 가스공급 및 배출경로를 갖는 밀봉된 노 케이싱; 노 케이싱내에 단결정 성장요 원료를 충전하기 위한 원료충전용기를 지지하는 지지부재; 노 케이싱내에 평행하게 수직으로 배열되는, 원료 충전용기의 주변을 가열하기 위한 대략 원통형의 히터요소; 노 케이싱내에 배열되는, 상부부터 각 히터요소 전체를 폐쇄하는 대략 뒤집힌 컵 형상의 절연 실린더; 히터요소가 절연 실린더내에 배열되어 있는 수직으로 분리된 공간에 소정간격으로 평행하게 배열되고; 히터요소가 설치되는 링 형상의 히터설치판; 및 노 케이싱의 바닥벽에 설치된 전력공급단자에 독립적으로 접속되는, 절연 실린더내 각 히터요소의 외주로부터 수직으로 매달은 납전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 각 히터요소에 의해 가열온도를 검출하기 위한 열전쌍, 및 히터설치판에 지지되는 각히터요소의 내부를 수직으로 관통하는, 열전쌍용 보호관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 각 히터요소 및 히터설치판 내측의 원료 충전용기를 폐쇄하는, 기밀 재료로 이루어진 챔버를 더 포함하며, 챔버의 바닥에는 챔버의 내측과 외측을 연통하는 개구부가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 각 납전극의 상단부는 히터요소에 고정되어 있고, 그 하단부는 가요성 금속납와이어를 통해 전력공급용 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 밀봉된 노 케이싱은 압력용기 및 압력용기의 바닥을 덮는 바닥 폐쇄부로 이루어지고, 바닥 폐쇄부는 중앙에 개구부가 있는 링모양 바닥 폐쇄부 및 링 모양 폐쇄부의 중앙 개구부를 폐색하도록 바닥부터 맞물려 삽입된 내부 바닥 폐쇄부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 히터설치판으로 구분된 공간의 온도 제어능력의 독립성을 개선시키도록 각 히터설치판의 면에 배열된 절연 재료를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제1항에 있어서, 히터설치판은 절연 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제3항에 있어서, 한쌍의 히터요소 사이에 개재된 절연재료를 더 포함하고, 절연재료는 인접 히터요소를거쳐 챔버의 외면에 근접한 위치까지 연장되고, 특정 절연재료는 한쌍의 히터요소 사이의 공간을 거의 채울수 있는 절연재료의 두께보다 더 두꺼운 두께로 제조되어 노에 국소적으로 보다 샤프한 온도구배를 갖는 샤프한 온도구배영역을 두는 것을 특징으로 하는 단결정 설장용 수직로.
- 제8항에 있어서, 절연재료는 BN, SiC, Si3N4, AlN, Al2O3, SiO2및SrO2와 같은 세라믹 재료 또는 탄소 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 제9항에 있어서, 결정성장동안 해리압이 높은 원소의 증기를 발생시킴으로써 챔버내측을 소정 증기압에 유지하는 저장기를 더 포함하며, 상기 원소는 단결정 생산용 노에 사용하는 단결정 성장용 원료의 조성원소이고, 원료는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 및 Ⅱ-Ⅵ 화합물 중에서 선택되는것을 특징으로 하는 단결정 성장용 수직로.
- 밀봉된 노 케이싱; 노 케이싱내에 배열되는, 기밀재료로 이루어지는 챔버; 노 케이싱내에 평행하게 수직으로 배열되고 챔버의 외면에 배열되는 대략 원통형의 히터요소로서, 히터요소에의 전력공급은 챔버에 소정 온도분포를 형성하도록 조절되는 히터요소; 및 한쌍의 히터요소 사이에 개재된 절연재료로 이루어지고, 절연재료는 인접 히터요소를 거쳐 챔버의 외면에 근접한 위치까지 연장되고, 특정 절연재료는 한쌍의 히터요소 사이의 공간을 거의 채울 수 있는 절연재료의 두께보다 더 두꺼운 두께로 제조되어 노에 국소적으로 보다 샤프한 온도구배를 갖는 샤프한 온도구배영역을 두는 것을 특징으로 하는 가열처리로.
- 제11항에 있어서, 챔버에서 가열물질을 전달하는 전달수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가열처리로.
- 제12항에 있어서, 챔버에 가열물질을 충전하기 위한 원료 충전용기를 더 포함하고, 가열물질은 화합물의 단결정 성장용 원료이며, 가열하여 생성된 원료의 용융용액은 측면이 시드결정에 접촉하기 시작하여 고화됨으로써 용융용액을 단결정으로 성장시키고, 단결정의 융점을 포함하는 온도영역에는 샤프한 온도구배가 배열되는 것을 특징으로 하는 가열처리로.
- 제11항에 있어서, 각 히터요소의 외면을 폐쇄하도록 배열된 외부절연재료를 더 포함하고, 외부절연재료의 내주면은 히터요소의 외주면 부근에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 가열처리로.
- 제14항에 있어서, 노케이싱의 바닥과 각 히터요소중에서 가장 하부에 있는 히터요소 사이에 배열된 하부절연재료를 더 포함하고, 하부절연재료의 내주면은 챔버의 외주면 부근에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 가열처리로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13960895A JP2818552B2 (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 縦形の単結晶製造装置 |
JP95-139608 | 1995-06-06 | ||
JP02276596A JP3881052B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 単結晶製造装置 |
JP96-22765 | 1996-02-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970001602A true KR970001602A (ko) | 1997-01-24 |
KR0165750B1 KR0165750B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=26360028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960020251A KR0165750B1 (ko) | 1995-06-06 | 1996-06-07 | 단결정 성장용 수직로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5698029A (ko) |
KR (1) | KR0165750B1 (ko) |
DE (1) | DE19622659C2 (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3531333B2 (ja) * | 1996-02-14 | 2004-05-31 | 信越半導体株式会社 | チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶 |
FR2757184B1 (fr) * | 1996-12-12 | 1999-02-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de cristallogenese |
DE69942919D1 (de) * | 1998-03-31 | 2010-12-16 | Nippon Mining Co | Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiter-Einkristalls |
JP3509556B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2004-03-22 | 日立電線株式会社 | 単結晶の製造方法および製造装置 |
US6287382B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-09-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrode assembly for electrical resistance heater used in crystal growing apparatus |
US6712081B1 (en) * | 1999-08-31 | 2004-03-30 | Kobe Steel, Ltd. | Pressure processing device |
US6849121B1 (en) * | 2001-04-24 | 2005-02-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Growth of uniform crystals |
RU2002115062A (ru) * | 2002-05-31 | 2004-02-20 | Корнинг Инкорпорейтид (Us) | Способ выращивания монокристаллов фторида кальция |
DE10232324B4 (de) * | 2002-07-17 | 2006-01-26 | Ald Vacuum Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen eines gerichtet erstarrten Gussteiles und Gießvorrichtung hierzu |
DE10246567C1 (de) | 2002-10-05 | 2003-12-18 | Crystal Growing Systems Gmbh | Verfahren zum Kalibrieren der Temperatur-Regeleinrichtung eines Vertical-Gradient-Freeze-Kristallzüchtungsofens und Vertical-Gradient-Freeze-Kristallzüchtungsofen zur Durchführung dieses Verfahrens |
US20090025628A1 (en) * | 2005-08-17 | 2009-01-29 | Pengdi Han | Hybrid stockbarger zone-leveling melting method for directed crystallization and growth of single crystals of lead magnesium niobate-lead titanate (pmn-pt) solid solutions and related piezocrystals |
JP5526666B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-06-18 | 国立大学法人信州大学 | サファイア単結晶の製造装置 |
DE102011079284B3 (de) * | 2011-07-15 | 2012-11-29 | Siltronic Ag | Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall |
CN102534798A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-07-04 | 西安交通大学 | 一种高温高压晶体生长设备 |
CN105189833A (zh) * | 2013-03-13 | 2015-12-23 | 先进可再生能源有限公司 | 使用用于石墨热区的部件的锅炉 |
CN105133005B (zh) * | 2014-06-03 | 2018-01-09 | 长春理工大学 | 获得平整固液界面的晶体生长方法及装置 |
US9543171B2 (en) * | 2014-06-17 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element |
CN104651934B (zh) * | 2014-10-17 | 2017-12-01 | 洛阳西格马炉业股份有限公司 | 一种节能型蓝宝石晶体生长炉 |
JP6726910B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2020-07-22 | 国立大学法人信州大学 | 酸化ガリウム結晶の製造装置および酸化ガリウム結晶の製造方法 |
EP3282812A1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-14 | Henkel AG & Co. KGaA | Heating element for a volatile liquid emanation device |
JP2018048043A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 国立大学法人信州大学 | タンタル酸リチウム結晶の製造装置およびタンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
CN113061975A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-07-02 | 眉山博雅新材料有限公司 | 一种用于生长晶体的设备 |
US20220298673A1 (en) * | 2021-03-22 | 2022-09-22 | Axt, Inc. | Method and system for vertical gradient freeze 8 inch gallium arsenide substrates |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2332799A1 (fr) * | 1975-11-25 | 1977-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Four de cristallisation |
JPS63174293A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | 株式会社 雅慶電機製作所 | 電気炉の加熱装置 |
US5116456A (en) * | 1988-04-18 | 1992-05-26 | Solon Technologies, Inc. | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form |
JP3232461B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2001-11-26 | 株式会社ジャパンエナジー | 単結晶の成長方法 |
-
1996
- 1996-06-04 US US08/659,013 patent/US5698029A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-05 DE DE19622659A patent/DE19622659C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-07 KR KR1019960020251A patent/KR0165750B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19622659A1 (de) | 1996-12-12 |
DE19622659C2 (de) | 1998-09-17 |
KR0165750B1 (ko) | 1998-12-15 |
US5698029A (en) | 1997-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970001602A (ko) | 단결정 성장용 수직로 | |
US4404172A (en) | Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound | |
KR20020059353A (ko) | 질화 알루미늄 성장용 에피택셜 성장법 및 이를 위한 성장챔버 | |
KR890011010A (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치 | |
JP4574853B2 (ja) | SiC単結晶の生成装置と方法 | |
US4521272A (en) | Method for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound | |
JPS6312128A (ja) | バレル型気相成長装置 | |
JPS6357400B2 (ko) | ||
JP2001072486A5 (ko) | ||
JP3902225B2 (ja) | 昇華育種による炭化シリコン単結晶の製造方法及び装置 | |
KR900016508A (ko) | 실리콘단결정의 제조방법 및 장치 | |
JP2001072486A (ja) | 埋込み精製チャンバを使用する結晶形成装置と結晶成長工程 | |
JP6853445B2 (ja) | ヒータ断熱構造体および単結晶製造装置 | |
KR20130083653A (ko) | 단결정 성장 장치 | |
JP2000044383A (ja) | 単結晶成長装置 | |
NL8002144A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van gadolinium- -galliumgranaat. | |
US6523599B1 (en) | Casting furnace with centrally located heating element for producing directionally solidified castings | |
JP3881052B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2631591B2 (ja) | 半導体単結晶製造方法および製造装置 | |
KR100816764B1 (ko) | 반도체 다결정 화합물 합성장치 및 합성방법 | |
KR101365483B1 (ko) | 단결정 성장 장치 및 방법 | |
SU405820A1 (ko) | ||
US20030136335A1 (en) | Heater arrangement for crystal growth furnace | |
KR20130063675A (ko) | 단결정 성장 장치 | |
KR20130063676A (ko) | 단결정 성장 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090910 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |