JPS63174293A - 電気炉の加熱装置 - Google Patents

電気炉の加熱装置

Info

Publication number
JPS63174293A
JPS63174293A JP548587A JP548587A JPS63174293A JP S63174293 A JPS63174293 A JP S63174293A JP 548587 A JP548587 A JP 548587A JP 548587 A JP548587 A JP 548587A JP S63174293 A JPS63174293 A JP S63174293A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating
heating element
heating elements
furnace
electric furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP548587A
Other languages
English (en)
Inventor
西沢 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GAKEI DENKI SEISAKUSHO
GAKEI DENKI SEISAKUSHO KK
Original Assignee
GAKEI DENKI SEISAKUSHO
GAKEI DENKI SEISAKUSHO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GAKEI DENKI SEISAKUSHO, GAKEI DENKI SEISAKUSHO KK filed Critical GAKEI DENKI SEISAKUSHO
Priority to JP548587A priority Critical patent/JPS63174293A/ja
Publication of JPS63174293A publication Critical patent/JPS63174293A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) この発明は、例えばGaAsのような■−v族化合物半
導体の単結晶をチョクラルスキー法で引き上げる際に用
いて好適な電気炉の加熱装置に関する。
(従来技術) 上述したようなその一成分に揮発性成分を含む化合物半
導体の単結晶を組成融液を収容したルツボより引き上げ
る際には、揮発性成分の蒸気圧を制御して蒸発を防止す
るために、引き上げ方向に正確な温度勾配を作る必要が
あることは良く知られている。
そのためには炉体内へ縦方向に複数の発熱体を独立して
積層設置させ、それぞれの発熱体を個別的に制御して所
望する温度勾配を作る必要のあることもまた良く知られ
ている。
しかし、具体的にどのようにしてそれぞれに独立した発
熱体を炉体内へ積層設置するのかについては、何ら明ら
かにされていない。
とくに発熱体に黒鉛等の抵抗加熱体を用いた場合には、
各々の独立した発熱体に電極を取り付ける必要があり炉
体の狭い空間の中でこの電極が他の発熱体や電極と接触
することなく配設することは容易なことではない。
(技術的課題) この発明の目的は、電気炉の炉体内に複数個積層設置し
た発熱体へ、そのための設置空間を取らずに効率良く電
気を供給することを具体的に明らかにした加熱装置を提
供せんとするにある。
(技術的手段) 上述した技術的課題を達成するためにこの発明は、電気
炉の加熱装置を、炉体内の炉底及び又は炉頂より複数の
発熱体を互いに非接触状態で同心状に積層させて設け、
前記炉底及び又は炉頂より前記各々の発熱体に対応させ
た一対の電極棒を立設、及び又は吊設し、この電極棒に
前記各々の発熱体を互いに接触しないように取り付けた
ものである。
この発明はまた上述した電気炉の加熱装置において、発
熱体を二つ割りの鍔部を有する二重螺旋構造のもとした
もんである。
この発明はさらにまた上述した電気炉の加熱装置におい
て、発熱体を二つ割りの鍔部を有する二ff′f1%i
旋構造のものといた上で、この鍔部に他の発熱体への電
極棒を非接触状態で挿通させる切欠き、または穴が設け
たもんである。
(実施例) 図面はこの発明の一実施例を概略的に示し、図面に依れ
ば第1図において対圧耐熱構造の炉体1の軸心部を上下
方向に貫通して、例えばAl2O3製の炉心管2が取り
付けられており、この炉心管2の周囲には複数の例えば
黒鉛製の抵抗加熱体から成る発熱体3a、3b、 3c
、及び4a、4b、4cが軸心を共通にしてそれぞれが
接触しないように間隙を設けて縦方向に積層設置されて
いる。この発熱体3a、3b、3c、及び4a、4b、
4cはそれぞれが鍔部5a、 5b、5c、及び6a、
6b、6cを有する二つ割りの二重螺旋構造のもので、
下半分のもの3a、3b、3cは炉底1a上に上向きに
設置され、上半分のもの4a、4b、4cは炉頂1bよ
り下向きに電極を介し吊設されている。
この上半分のものも下半分のものと向きが逆になるだけ
で基本的には電極の導入及び取付構造が同じであるので
、下半分のものの電極の導入及び取付構造について説明
すると、炉底1a上に設置された最下段に位置する発熱
体3aの鍔部5aには、一対の取付穴7.7と二組の切
欠き8.8・9.9が設けられており、取付穴7.7に
は炉底1aを機密に貫通して導入された電極棒10、I
Oが固着されている。二番目に位置する発熱体3bの鍔
部5bには一対の取付穴11.11と一組の切欠き12
.12が設けられており、取付穴11.11には最下段
の発熱体3aの鍔部5aに設けた切欠き8.8を非接触
状態で挿通して炉底1aより立設された電極棒13.1
3が固着されている。三番目に位置する発熱体3cの鍔
部5cには一対の取付穴14.14のみが設けられてお
り、この取付穴14、I4には最下段の発熱体の切欠き
9.9及び二番目の発熱体3bの切欠き12.12を排
接触状態で挿通して炉底1aより立設された電極棒15
.15が固着されている。それぞれの電極棒は一部のも
のは図示しであるが、中空になっており、内部に導入さ
れる冷却水によって冷却されるようになっている。
上半分の発熱体に対する電極棒は、第1図に示されたよ
うに、最上段に取り付けた発熱体4aに対する電極棒1
6.16のみしか図示してないが、各発熱体4a、4b
、4Cの構造は、下半分の各発熱体3a、3b、3Cと
同じであり、向きが逆なだけであるから、他の発熱体4
b、4Cに対する電極棒の取付構造は上述した下半分の
発熱体3b、3Cに対するものと同じである。
したがって、各電極棒10.10・13.13・15.
15に通電させると二段目と三段目の発熱体3b、3C
へ電気を供給する電極棒13.13・15.15は、こ
れを挿通させるために発熱体3a、 3bの鍔部5a、
5bに設けた各切欠き8.8・9.9・12.12との
間に間隙が設けられているので、必要とされない発熱体
3d、3bと接触して短絡をひき起こすことなく、各々
が目的とする発熱体へ電気を供給することができるもの
である。
上部に設けた発熱体4a、4b、4Cにも同様にして電
気が供給され、実施例のものでも合計6個の独立した発
熱体を縦方向に積層設置できるので、それぞれの発熱体
の温度を制御することにより、第1図に想像線で示した
ような複雑、かつ極めて正確な軸方向の温度勾配を炉体
1内の炉心管2内部に作り出すことができるものである
から、これを引き上げ方向に極めて正確な温度勾配を作
ることを必要とする、GaAsやGaPのような化合物
半導体の単結晶の製造にあたって使用すると、格子欠陥
の少ない良質な単結晶を得ることができるものである。
また、実施例のように各電極棒を配置すると、炉底、或
いは炉頂に対し同一円周上に電極棒が位置することにな
り、構造が簡単かつコンパクトになる他、同心円を形成
するように配置するよりは炉体内部の発熱体を設けた加
熱室の空間を狭ばめ熱効率を高めることができるもので
ある。
さらに、この発明は実施例では炉底より立設した複数の
発熱体と、炉頂より吊設させた複数の発熱体とから構成
しであるが、いずれが一方のみを用いても良いであろう
尚、この発明は水平ブリッジマン法を実施する電気炉に
そのまま応用できる。
(効果) 以上詳細に説明したようにこの発明に依れば、極めて簡
単な構造で縦方向に積層設置した複数個の発熱体へ安全
、確実に電力を供給することができ、炉体内に複雑、か
つ正確な温度勾配を自在に作ることができる等々の効果
を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明に係る電気炉の加熱装置の一実施例を示
し、第1図はそれを概略的に示す側断面図、第2図はこ
の発明の要部を示す斜視図、第3図は第1図のA−A’
線断面図、第4図は第1図のB−B ’線断面図、第5
図は第1図のc−c ’線断面図である。 1Φ・・炉体      1a・・・炉底1bφ・・炉
頂      3a、3b、3c・争発熱体4a、4b
、4ces発熱体  5a、5b、5c・鍔部6a、6
b、8C1l拳鍔部   1o、10−−−電極棒13
.13・・拳電極棒   15.15・φ・電極棒16
.16・・・電極棒 特 許 出 願 人 株式会社雅慶電機製作所第3図 第4図 第5図 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炉体内の炉底及び又は炉頂より複数の発熱体を互
    いに非接触状態で同心状に積層させて設け、前記炉底及
    び又は炉頂より前記各々の発熱体に対応させた一対の電
    極棒を立設、及び又は吊設し、この電極棒に前記各々の
    発熱体を互いに接触しないように取り付けたことを特徴
    とする、電気炉の加熱装置。
  2. (2)発熱体が二つ割りの鍔部を有する二重螺旋構造の
    ものであることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記
    載の電気炉の加熱装置。
  3. (3)発熱体が二つ割りの鍔部を有する二重螺旋構造の
    もので、この鍔部に他の発熱体への電極棒を非接触状態
    で挿通させる切欠き、または穴が設けられているものを
    含んでいることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記
    載の電気炉の加熱装置。
JP548587A 1987-01-13 1987-01-13 電気炉の加熱装置 Pending JPS63174293A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP548587A JPS63174293A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 電気炉の加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP548587A JPS63174293A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 電気炉の加熱装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63174293A true JPS63174293A (ja) 1988-07-18

Family

ID=11612546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP548587A Pending JPS63174293A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 電気炉の加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63174293A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19622659A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Kobe Steel Ltd Vertikalofen zur Züchtung von Einkristallen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19622659A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Kobe Steel Ltd Vertikalofen zur Züchtung von Einkristallen
DE19622659C2 (de) * 1995-06-06 1998-09-17 Kobe Steel Ltd Vertikalofen zur Züchtung von Einkristallen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5116456A (en) Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
US5968266A (en) Apparatus for manufacturing single crystal of silicon
KR101574749B1 (ko) 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법
JP2561072B2 (ja) 単結晶の育成方法及びその装置
JP3592467B2 (ja) 単結晶引上げ装置用超電導磁石
JPS63174293A (ja) 電気炉の加熱装置
US6355910B1 (en) Heating element for heating crucibles and arrangement of heating elements
EP0781874B1 (en) Apparatus for producing silicon single crystal
US6652649B1 (en) Supplemental heating unit for crystal growth furnace
US6562125B2 (en) Heater arrangement for crystal growth furnace
CN1195107C (zh) 硅锭块生长装置
US20060193366A1 (en) Heating element structure with efficient heat generation and mechanical stability
CN213835626U (zh) 一种蓝宝石长晶炉
JP2556966B2 (ja) 単結晶の育成装置
JP3595977B2 (ja) 結晶成長装置及び単結晶の製造方法
JP2556967B2 (ja) 単結晶の育成装置
KR20020071412A (ko) 수직-수평 온도구배를 갖는 대형 결정 육성장치 및 그육성방법
CN217733339U (zh) 一种晶体加热用加热器结构
KR20130078995A (ko) 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드
JP3768093B2 (ja) 均熱性に優れたMoSi2製モジュールヒーター
JPS5891097A (ja) 単結晶製造装置
CN117328133A (zh) 液相法生长碳化硅晶体的装置
CN114318504A (zh) 一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法
JPH0699211B2 (ja) 単結晶育成方法および装置
JPS6033297A (ja) 単結晶半導体引上装置