KR960706544A - 강유전성 액정 장치(Ferroelectric liquid crystal devices) - Google Patents

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Abstract

본 발명은 성분(A) 및 (B)를 포함하는 액정 혼합물을 함유하는 강유전성 액정 장치에 관한 것이다. 성분(A)는 물질에 자발 분극을 부여할 수 있는 하나 이상의 광학 활성 성분으로 이루어진다. 성분(B)는 하나 이상의 일반식(I)의 화합물로서 선택된다.
상기 식에서, a, b 및 c는 독립적으로 0, 1, 및 2이고 R1및 R2는 C1-15, 바람직하게는 C3-C12직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시이다. 상기 (B)에 일반식에서, CH=CH 결합 그룹은 C2H4에 의해 대체될 수 있고 CH2O 결합 그룹은 OCH2에 의해 대체될 수 있다.

Description

강유전성 액정 장치(Ferroelectric liquid crystal devices)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 x, y 메트릭스에서 애드레싱한 시간 멀티 플렉스의 개요도이고, 제2도는 확대시킨 제1도의 디스플레이 부분의 횡단면도이다.

Claims (24)

  1. 각각 전극 구조물을 가지며 대향 표면(對向 表面)중의 하나 이상이 정렬 층으로 처리된 이격된 2개의 셀 벽과 셀 벽 사이에 전압곡선에 대한 반응시간이 최소인 스멕틱 액정 물질의 층을 포함하는 강유전성 액정 장치에 있어서, 액정 물질이 0.1 내지 50중량%로 존재하며 물질에 자발 분극을 부여 할 수 있는 하나 이상의 광학 활성 화합물인 성분A와
    (여기서, a, b 및 c는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이고 R1및 R2는 C1-15, 바람직하게는 C3-C12직쇄 또는 알킬 또는 알콕시이며 CH=CH 결합 그룹은 C2H4에 의해 치환될 수 있고 CH2O 연결 그룹은 OCH2에 의해 치환될 수 있다)로부터 선택된 2가지 이상의 화합물인 성분 B〔단, 성분 A와 B의 합은 100중량%이고, 성분 A가
    인 경우, 성분 B는
    의 조합이 아니며, 성분 A가
    의 조합인 경우, 성분 B는
    가 아니다〕로 구성됨을 특징으로 하는 강유전성 액정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물이
    로부터 선택되는 화합물 하나 이상으로 구성되는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분 A가 다음 일반식의 화합물인 장치,
    상기 식에서, R1은 수소, C1-12알킬, 알콕시, 퍼플루오로알킬 및 퍼플루오로알콕시로부터 선택되며, 직쇄 또는 측쇄일 수 있고, r은 1 내지 10의 정수이며, n 및 m은 각각 독립적으로 0 또는 1 이고, X는 일반식
    의 그룹[여기서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 페닐 또는 사이클로헥실일 수 있고, (F)는 관련된 환이 불소치환체를 1 또는 2개 가질 수 있음을 나타내며, p는 0 또는 1이고, Z는 p가 0인, 경우, 단일 결합이고, p가 1인 경우, COO 또는 단일 결합이며, Y는 CO2또는 O2C일 수 있고, L은 키랄 에폭사이드일 수 있거나 일반식(여기서, J는 CN, F, Cl, CH3또는 CF3일 수 있고, R2는 C1-8직쇄, C1-15측쇄 또는 사이클릭일 수 있는 알킬이다)이다]이다.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분(A)가 다음 일반식의 화합물인 장치.
    상기 식에서, R1은 수소, C1-12알킬, 알콕시, 퍼플루오로알킬 및 퍼플루오로알콕시로부터 선택되고, 직쇄 또는 측쇄일 수 있으며, R2는 C1-8직쇄, C1-15측쇄 또는 사이클릭일 수 있는 알킬이고, r는 1내지 10의 정수이고, n 및 m은 각각 독립적으로 0 또는 1 이고, Y는 CO2또는 O2C일 수 있고, J는 CN, F, Cl, CH3또는 CF3일 수 있고, X는 일반식
    의 그룹〔여기서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 페닐 또는 사이클로헥실일 수 있고, (F)는 관련된 환이 불소 치환체를 1 또는 2개 가질 수 있음을 나타내고, p는 0 또는 1이고, Z는 p가 0인 경우, 단일 결합이고, p가 1인 경우, COO 또는 단일 결합이다]이다.
  5. 제4항에 있어서, J가 CN이고 Y가 CO2인 장치.
  6. 제5항에 있어서, A, B 및 C가 페닐 환인 장치.
  7. 제6항에 있어서, 성분 A가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  8. 제6항에 있어서, 성분 A가 다음 일반식의 화합물들 중의 하나인 장치.
  9. 제6항에 있어서, 성분 A가 다음 일반식의 화합물인 장치.
    상기 식에서, n은 0 또는 1이고, r은 1 내지 6이며, R1은 C1-12알킬 또는 알콕시이고 R2는 측쇄 알킬이다.
  10. 제9항에 있어서, R2가 이소프로필인 장치.
  11. 제1항 내지 제 10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  13. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  14. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  15. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  16. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나가 다음 일반식의 화합물인 장치.
  17. 제1항에 있어서, 성분A를 구성하는 화합물들 중의 하나 이상이 1 내지 15중량%의 양으로 존재하는 장치.
  18. 제2항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분A를 구성하는 화합물들 중의 하나 이상이 1 내지 15중량%의 양으로 존재하는 장치.
  19. 제1항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나 이상이 5 내지 60중량%의 양으로 존재하는 장치.
  20. 제2항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분B를 구성하는 화합물들 중의 하나 이상이 10 내지 30중량%의 양으로 존재하는 장치.
  21. 제1항에 있어서, 강유전성 액정 장치가 다중 어드레싱되는 장치.
  22. 제2항 내지 제 20항 중의 어느 한 항에 있어서, 강유전성 액정 장치가 다중 어드레싱되는 장치.
  23. 제1항에 있어서, 성분A를 성분B에 첨가하는 경우, 성분A가 콜레스테릭 내지 스멕틱 전이온도를 0.1˚C 이상 초과하는 온도 범위에 걸쳐 층 두께 d의 1/2을 초과하는 콜레스테릭 피치와 키랄 스멕틱 상에서 현저한 자발 분극 Ps를 갖는 경사된 키랄 스멕틱 액정 물질을 생성시키는 장치.
  24. 제23항에 있어서, 성분 A가 (+) 및 (-) 키랄 물질을 포함하여, 생성된 혼합물이 키랄 경사된 스멕틱상에서 상당한 자발 분극을 나타내는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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