KR960702677A - 평면화된 트렌치 및 전계 산화물 분리 방법(planarized trench and field oxide isolation scheme) - Google Patents

평면화된 트렌치 및 전계 산화물 분리 방법(planarized trench and field oxide isolation scheme)

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Abstract

트렌치 분리와 전계 산화물 형성을 결합시킴으로써 반도체 기판에서의 활성영역을 격리시키는 분리 방법이 개시되어 있다. 깊은 트렌치는 실리콘 기판에서 에칭된다. 산화물층은, 에칭된 트렌치를 또한 충전시키도록 전계 기판상에 데포지트된다. 다음에, 폴리실리콘층은 웨이퍼상에 데포지트되고 에치백되어 폴리실리콘 스페이서를 형성한다. 이러한 폴리실리콘 스페이서는, 상기 기판의 활성 영역상에 놓인 산화물을 에칭하는데 사용되는 포트레지스트 마스크를 정렬시킴으로써 전체벽이 있는 활성 영역을 갖는 완전 평면화 분리 영역을 초래시키는데 사용된다.

Description

평면화된 트렌치 및 전계 산화물 분리 방법(PLANARIZED TRENCH AND FIELD OXIDE ISOLATION SCHEME)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 포트레지스트가 재거되고 폴리실리콘 스페이서가 선택적으로 습식 에칭된 후의 제7도 구조를 예시한 것이다.
제9도는 질화물층이 에칭된 후의 제8도 구조를 예시한 것이다.

Claims (18)

  1. 트렌치 분리와 전계 산화물 형성을 결합시킴으로써 실리콘 기판상의 활성 영역을 격리시키는 분리방법에 있어서, 상기 기판상에 패드 산화물 층을 데포지트하는 단계, 상기 패드 산화물상에 질화물층을 데포지트하는 단계, 제1포토레지스트 마스크를 사용하여 상기 기판상에 활성 및 비활성 영역을 한정하는 단계, 상기 기판의 비활성 영역으로부터 상기 패드 산화물층 및 상기 질화물층을 제거하는 단계, 상기 비활성 영역에서 미리 결정된 깊이까지 상기 기판을 에칭하는 단계, 상기 비활성 영역에서 하나 이상의 깊이 트렌치 영역을 한정하도록 LTO 경질 마스크를 패터닝하는 단계, 한정된 바와같은 하나 이상의 깊은 트렌치를 에칭하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 LTO 층을 제거하는 단계, 미리 결정된 두께의 산화물층이 상기 하나 이상의 깊은 트렌치를 충전시키도록 상기 기판상에 상기 산화물충을 데포지트하는 단계, 상기 산화물층상에 폴리실리콘층을 데포지트하는 단계, 스페이서를 형성하도록 상기 폴리실리콘층을 에치하는 단계, 및 상기 활성 영역상에 있는 산화물층의 일부가 신뢰성있게 에칭될 수 있도록 상기 스페이서를 사용하여 상기 산화물층의 상부에 제2의 포토레지스트 마스크를 정렬시키는 단계를 포함하는 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성 영역상에 놓인 산화물층의 일부를 제거하는 단계, 상기 제2의 포트레지스트마스크를 제거하는 단계, 및 상기 폴리실리콘 스페이서를 제거하는 단계를 부가적으로 포함하는 분리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 산화물 층의 두께와 대략적으로 동일한 거리만큼 상기 활성영역으로부터 측면으로 변위되어 있는 분리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스페이서는, 상기 활성 영역에 대한 평면 전계 산화뭍을 형성하도록 상기 스페이서 다음에 놓인 산화물층의 일부가 에칭되게 하는 자기 정렬 마스크로서 작용하는 분리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 산화물층은 열적 TEOS 또는 플라즈마 강화 TEOS(PETEOS)를 사용하여 데포지트되는 분리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 산화물층은 소기의 전계 산화물 두께와 동일한 두께로 데포지트되는 분리 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 폴리실리콘 층을 에칭하는 단계는 반응 이온 에칭(RIE)에 의해 달성되는 분리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판이 에칭되는 미리 결정된 깊이는 1㎛와 동일한 분리 방법.
  9. 트렌치 분리와 전계 산화물 형성을 결합시킴으로써 실리콘 기판상의 활성영역을 격리시키는 분리 방법에 있어서, 상기 기판상에 제1의 패드 산화물층을 데포지트하는 단계, 상기 패드 산화물상에 질화물층을 데포지트하는 단계, 제1포트레지스트 마스크를 사용하여 상기 기판상에 활성 및 비활성 영역을 한정하는 단계, 상기기판의 비활성 영역으로부터 상기 패드 산화물층 및 상기 질화물층을 제거하는 단계, 상기 비활성 영역에서 미리 결정된 깊이로 상기 기판을 에칭하는 단계, 상기 비활성 영역에서 하나 이상의 깊은 트렌치 영역을 한정하도록 LTO 경질 마스크를 패터닝하는 단계, 한정된 바와같은 하나 이상의 깊은 트렌치를 에칭하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 LTO층을 제거하는 단계, 미리 결정된 두께의 산화물 층이 상기 하나 이상의 깊은 트렌치를 충전시키도록 상기 기판상에 상기 산화물층을 데포지트하는 단계, 상기 산화물층상에 폴리실리콘층을 데포지트하는 단계, 및 스페이서를 형성하도록 상기 폴리실리콘층을 에칭하는 단졔, 및 상기 활성 영역상에 놓인 산화물층의 일부가 신뢰성있게 에칭될 수 있도록 상기 스페이서를 사용하여 상기 산화물층의 상부에 제2의포트레지스트 마스크를 정렬시키는 단계를 포함하는 분리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 제2의 포트레지스트 마스크를 정렬시키는 단계후에 이행될 이하의 단계; 상기 활성영역상에 놓인 산화물충의 일부를 제거하는 단계, 상기 제2의 포트레지스트 마스크를 재거하는 단계, 및 상기 폴리실리콘 스페이서를 제거하는 단계를 부가적으로 포함하는 분리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 LTO층을 에칭하는 단계후에 및 상기 기판상에 산화물층을 데포지트하는 단계전에 이행되는 제2의 패드 산화물층을 데포지트하는 단계를 부가적으로 포함하는 분리 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 산화물층의 두께와 개략적으로 동일한 거리만큼 상기 활성 영역으로부터 측면으로 변위되어 있는 분리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 활성 영역에 대한 평면 전계 산화물을 형성하도록 상기 스페이서 다음에 놓인 산화물층의 일부가 에칭되게 하는 자기 정렬 마스크로서 작용하는 분리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 산화물층은 열적 TEOS 또는 플라즈마 강화 TEOS(PETEOS)를 사용하여 데포지트되는 분리 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 산화물층은 소기의 전계 산화물 두께와 동일한 두께로 데포지트되는 분리 방법.
  16. 제15항에 있어서. 상기 폴리실리콘층을 에칭하는 단계는 반응 이온 에칭(RIE)에 의해 달성되는 분리방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판이 에칭되는 미리 결정된 깊이는 1㎛와 동일한 분리 방법.
  18. 청구범위 제10항의 방법에 따라 제조되는 반도체 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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