KR960042897A - 전자선 여기발광소자 - Google Patents
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Abstract
에미터의 에미션이 장시간 열화되지 않게 한다.
애노드전극(15)간의 애도느기판(2)이 노출되어 있는 부분을 덮도록 소수성 절연막(17)을 형성한다. 이에 의해 유리 애노드기판(2)이 전자선으로 직접 두드러지는 것이 없어지고, 유리의 표면에 함유되는 수분 등의 분해가 방지된다. 따라서, 산소가스가 방출되지 않고 에미터콘(14)의 에미션 저하를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시형태인 표시장치의 구성을 나타내는 도면, 제2도는 본 발명의 제2실시형태인 표시장치의 구성을 나타내는 도면, 제3도는 본 발명의 제3실시형태인 표시장치의 구성을 나타내는 도면, 제4도는 본 발명의 제4실시형태인 표시장치의 구성을 나타내는 도면, 제5도는 제4실시형태에 있어서의 소수성 절연막의 형성과정을 설명하기 위한 사시도.
Claims (22)
- 적어도, 전자를 방출하는 전자방출수단을 구비한 유리제 캐소드기판과, 그 캐소드기판에 대항하여 배치된 유리제 애노드기판으로 진공기밀용기가 형성되고, 상기 애노드 기판에는 스트라이프상의 애노드전극과 캐소드전극상에 형성된 상기 전자방출수단에서 방출된 전자로 여기되는 형광체층이 설치되어 있고, 애노드기판에 있어서의 유리노출면이 소수성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 유리노출면을 소수성 절연막으로 피복함으로써 소수성이 되게 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 적어도, 전자를 방출하는 전자방출수단을 구비한 유리제 캐소드기판과, 그 캐소드기판에 대향하여 배치된 유리제 애노드기판으로 전공기밀용기가 형성되고, 상기 애노드기판에는 스트라이프상의 애노드전극과 애노드전극상에 형성된 상기 전자방출수단에서 방출된 전자로 여기되는 형광층이 설치되어 있고, 상기 애노드기판에 있어서 전자선이 조사되는 상기 애노드전극의 근방만을 소수성으로 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제3항에 있어서, 상기 전자선이 조사되는 상기 애노드전극의 근방을 소수성 절연막으로 피복함으로써 소수성이 되게 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 적어도, 전자를 방출하는 전자방출수단을 구비한 유리제 캐소드기판과, 그 캐소드기판에 대향하여 배치된 유리제 애노드기판으로 진공기밀용기가 형성되고, 상기 애노드기판에는 스트라이프상의 애노드전극과 캐소드전극상에 형성된 상기 전자방출수단에서 방출된 전자로 여기되는 형광체층이 설치되어 있고, 상기 애노드전극상에 형성된 상기 형광체층 이외의 부분을 소수성으로 하는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제5항에 있어서, 상기 애노드 전극상에 형성된 상기 형광체층 이외의 부분을 소수성 절연막으로 피복함으로서 소수성이 되게 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 적어도, 전자를 방출하는 전자방출수단을 구비한 유리제 캐소드기판과, 그 캐소드기판에 대향하여 배치된 유리제 애노드기판으로 진공기밀용기가 형성되고, 상기 애노드기판에는 스트라이프상의 애노드전극과 캐소드전극상에 형성된 상기 전자방출수단에서 방출된 전자로 여기되는 형광체층이 설치되어 있고, 상기 애노드기판상에 형성된 상기 형광체층 이외의 부분에서, 상기 전자방출수단에 방출된 전자선이 조사되는 상기 애노드전극의 근방만을 소수성으로 하는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제7항에 있어서, 상기 애노드기판상에 형성된 상기 형광체층 이외의 부분에서, 상기 전자 방출수단에서 방출된 전자선이 조사되는 상기 애노드전극의 근방을 소수성 절연막으로 피복함으로써 소수성이 되게 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 및 제8항 중 어는 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 흑화처리되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 적어도, 전자를 방출하는 전자방출수단을 구비한 유리제 캐소드기판과, 그 캐소드기판에 대향하여 배치된 유리제 애노드기판으로 진공기밀용기가 형성되고, 상기 애노드기판에는 스트라이프상의 애노드전극과 애노드전극상에 형성된 상기 전자방출수단에서 방출된 전자로 여기되는 형광체층이 설치되어 있고, 상기 애노드기판 이외이고 전자선이 조사되는 상기 진공기밀용기내의 표면을 소수성으로 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제10항에 있어서, 상기 애노드기판 이외이고 전자선이 조사되는 상기 진공기밀용기내의 표면을 소수성 절연막으로 피복함으로써 소수성이 되게 한 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 제8항, 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 질화물 혹은 적어도 질화물을 함유하는 혼합물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 제8항, 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 탄화물 혹은 적어도 탄화물을 함유하는 혼합물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 제8항, 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 불화물 혹은 적어도 불화물을 함유하는 혼합물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 제8항, 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막은 당해 소수성 절연막이 형성되어야 할 피형성부위에 대하여, 그 피형성부위와 당해 소수성 절연막의 양자에 친화성을 갖는 물질에 의해 형성되는 내부층을 개재하게 하여 설치되는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제15항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 적어도 질소화합물을 함유하는 혼합물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 내부층은 상기 소수성 절연막에 이용되는 물질의 산화화합물로 되어있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제2항, 제4항, 제6항, 제8항, 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막은 당해 소수성 절연막이 형성되어야 할 피형성부위에 대하여 친화성을 갖는 물질의 함유량이 당해 소수성 절연막의 내층에서 표면에 걸쳐 감소하도록 된 층구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제18항에 있어서, 상기 소수성 절연막이 적어도 질소화합물을 함유하는 혼합물로 되어 있는 것을 특징으로 하는 여기발광소자.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 소수성 절연막에 대하여 적어도 산소성분을 함유시킴으로써 상기 피형성부위에 대한 친화성을 부여하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제18항, 제19항 및 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막은 기상 성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.
- 제15항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 절연막은 블랙매트릭스상에 대하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자선 여기발광소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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