KR960042874A - 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 발광 소자는 제1도전형의 반도체 기판, 및 상기 반도체 기판상에 형성된 적층 구조를 포함한다. 적층 구조는 적어도 순차 적층되는 제1도전형의 제1클래딩 층, 비도프된 활성층, 제2도전형의 제2클래딩 층, 및 제2도전형의 전류 확산층을 포함한다. 또한, 비도프된 활성층과 제2클래딩 층 사이에 비도프된 스페이서층이 더 제공된다.

Description

반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 부분(a)는 본 발명의 제1실시예에 따른 LED 소자 구조를 나타내는 단면도이고, 제1도의 부분(b)는 LED에 포함되는 각층의 캐리어 농도 프로파일을 나타내는 도면, 제2도는 제1도의 부분(a)에 도시된 LED의 비도프된(undoped) 스페이서층의 잔재 두께(remaining thickness), PL 강도 및 발광 광도 간의 관계를 나타내는 그래프, 제3도는 P-클래딩(P-claddind) 층의 캐리어 농도를 파라미터로서 사용했을 때의 제1도의 부분(a)에 도시된 LED의 비도프된 스페이서층의 잔재 두께 및 발광 광도 간의 관계를 나타내는 그래프, 제4도의 부분(a)는 본 발명의 제2실시예에 따른 LED 소자 구조를 나타내는 단면도이고, 제4도의 부분(b)는 LED에 포함되는 각층의 캐리어 농도 프로파일을 나타내는 도면, 제5도는 제4도의 부분(a)에 도시된 LED에 있어서, P-클래딩 층에 가장 가까운 전류 확산층의 캐리어 농도와 비도프된 스페이서층의 설계 두께와의 관계를 나타내는 도면.

Claims (20)

  1. 제1도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 위에 형성되며, 적어도 순차적으로 적층되어 있는 제1도전형의 제1클래딩 층, 비도프된 활성층, 제2도전형의 제2클래딩 층, 및 제2도전형의 전류 확산층을 포함하는 적층 구조를 포함하고, 상기 비도프된 활성층과 상기 제2클래딩 층 사이에 비도프된 스페이서층이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2클래딩 층에서 떨어져 있는 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도가 상기 클래딩 층에 가깝게 있는 전류 확산층이 제1부분의 캐리어 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 캐리어 농도는 상기 전류 확산층의 제1부분과 제2부분 사이에 위치한 부분에서는 연속적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제1부분의 캐리어 농도는 약 0.5×1018㎝-3와 약 1.5×1018㎝-3사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도는 약 2× 1018㎝-3이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제1부분이 캐리어 농도는 약 0.5×1018㎝-3와 약 1.5×1018㎝-3사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도는 약 2× 1018㎝-3이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 비도프된 스페이서층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å 사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1클래딩 층과 비도프된 활성층 사이에 위치한 제2의 비도프된 스페이서층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1클래딩 층, 상기 비도프된 활성층, 및 제2의 클래딩 층은 주재료로서 AlGaInP 혹은 GaInP로 형성되고, 상기 전류 확산층은 주재료로서 AlGaAs, AlGaInP, GaP, 및 AlGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성되며, 상기 제2클래딩 층의 도펀트는 Zn, Mg 혹은 Be인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  11. 반도체 발광 소자 제조 방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상에, 적어도 제1도전형의 제1클래딩 층, 비도프된 활성층, 제2도전형의 제2클래딩 층, 및 제2도전형의 전류 확산층을 포함하는 적층 구조를 형성하는 단계, 상기 비도프된 활성층과 제2의 클래딩 층 사이에 비도프된 스페이서층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전류 확산층은, 제2의 클래딩 층에서 떨어져 있는 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도가 상기 제2의 클래딩 층에 가까운 전류 확산층의 제1부분의 캐리어 농도보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전류 확산층은 상기 전류 확산층의 제1부분과 제2부분 사이에 있는 부분에서는 캐리어 농도가 연속적으로 변화하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제1부분의 캐리어 농도는 약 0.5× 1018㎝-3와 약 1.5×1018㎝-3사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도는 약 2× 1018㎝-3이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제1부분의 캐리어 농도는 약 0.5× 1018㎝-3와 약 1.5×1018㎝-3사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 전류 확산층의 제2부분의 캐리어 농도는 약 2× 1018㎝-3이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 비도프된 스페이서층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å 사이의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제1클래딩 층과 비도프된 활성층 사이에 제2의 비도프된 스페이서층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 제1클래딩 층, 상기 비도프된 활성층, 및 제2클래딩 층은 주재료로서 AlGaInP 혹은 GaInP에 의해 형성되고, 상기 전류 확산층은 주재료로서 AlGaAs, AlGaInP, GaP, 및 AlGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료에 의해 형성되며, 상기 제2클래딩 층의 도펀트는 Zn, Mg 혹은 Be인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0908988A3 (en) 1997-10-06 2001-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and fabricating method thereof
DE10056476B4 (de) * 2000-11-15 2012-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
US6906352B2 (en) * 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6834068B2 (en) * 2001-06-29 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and method for fabricating the same
DE10261676A1 (de) * 2002-12-31 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Chip mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Stromaufweitungsschicht
WO2004070851A1 (en) * 2003-02-10 2004-08-19 Showa Denko K.K. Light-emitting diode device and production method thereof
US7528417B2 (en) 2003-02-10 2009-05-05 Showa Denko K.K. Light-emitting diode device and production method thereof
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
JP3763303B2 (ja) * 2003-03-31 2006-04-05 日立電線株式会社 半導体発光素子
US7026653B2 (en) * 2004-01-27 2006-04-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting devices including current spreading layers
JP2005235797A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
CN100392881C (zh) * 2005-06-23 2008-06-04 华南师范大学 一种GaN基LED外延片及其制备方法
JP2007042751A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US7569866B2 (en) 2005-09-30 2009-08-04 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP4367393B2 (ja) 2005-09-30 2009-11-18 日立電線株式会社 透明導電膜を備えた半導体発光素子
JP2008091789A (ja) 2006-10-04 2008-04-17 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP5190411B2 (ja) * 2009-05-14 2013-04-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP5338748B2 (ja) * 2010-06-01 2013-11-13 信越半導体株式会社 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板
KR101701510B1 (ko) 2010-07-09 2017-02-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101403918B1 (ko) 2012-11-09 2014-06-09 광전자 주식회사 비도핑 알루미늄인듐인 정공방지층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드
JP2016046411A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 シャープ株式会社 半導体発光素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02197183A (ja) * 1988-03-29 1990-08-03 Pennwalt Corp 積層圧電構造及びその形成方法
JPH02151085A (ja) * 1988-12-01 1990-06-11 Nec Corp 半導体発光素子
US5048035A (en) * 1989-05-31 1991-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US5153889A (en) * 1989-05-31 1992-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JPH05110135A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Nikko Kyodo Co Ltd 多層エピタキシヤル結晶構造
EP0544357B1 (en) * 1991-11-26 1996-09-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation-emitting semiconductor diode
JPH05335619A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Matsushita Electron Corp 発光ダイオードおよびその製造方法
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
WO1994015369A1 (en) * 1992-12-22 1994-07-07 Research Corporation Technologies, Inc. Group ii-vi compound semiconductor light emitting devices and an ohmic contact therefor
US5537433A (en) * 1993-07-22 1996-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitter
JPH0794781A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Toshiba Corp 面発光型半導体発光ダイオード
US5639674A (en) * 1994-03-14 1997-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor

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Publication number Publication date
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US6074889A (en) 2000-06-13
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KR100237804B1 (ko) 2000-01-15
TW301065B (ko) 1997-03-21
JPH08321633A (ja) 1996-12-03

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