DE10056476B4 - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- -1 InGaAlP Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer strahlungserzeugenden Schichtenfolge (2) und einer für die erzeugte Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Fensterschicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3) eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten (4, 5, 6) aufweist, die mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellt sind und die entfernt von der Schichtenfolge (2) jeweils einen Al-Gehalt aufweisen, bei dem AlGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, und der Al-Gehalt in jeder der AlGaAs-Schichten (4, 5, 6) in Richtung zur strahlungserzeugenden Schichtenfolge (2) hin abnimmt, wobei die benachbart zur aktiven Schichtenfolge (2) liegende AlGaAs-Schicht (6) im Übergangsbereich zur aktiven Schichtenfolge (2) einen Al-Gehalt aufweist, der unterhalb der Transmissionsgrenze für die erzeugte Strahlung liegt.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Sie bezieht sich weiterhin auf ein verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterkörpers.
- Eine lichtemittierende Diode mit einem strahlungsdurchlässigen Fenster ist beispielsweise aus
US 5869849 A bekannt. Hierin ist ein Halbleiterchip mit einer aktiven Schichtenfolge auf der Basis von AlGaInP beschrieben, der ein Fenster aus GaP aufweist, das mittels Wafer-Bonding-Technik aufgebracht ist. - In der
US 5661742 A ist eine Leuchtdiodenstruktur beschrieben, die eine epitaktisch aufgebrachte InGaP-Fensterschicht aufweist. - In der Druckschrift
US 5665984 A wird eine lichtemittierende Diode beschrieben, die eine strahlungserzeugende Schichtenfolge aufweist, wobei der strahlungserzeugenden Schichtenfolge eine Fensterschicht mit variierendem Al-Gehalt nachfolgt. - In der Druckschrift
GB 2315920 A - In der Druckschrift
DE 19944020 A1 wird beschrieben, die Korrosion der freiliegenden Oberflächen von Begrenzungsschichten mit hohem Al-Anteil in AlGaAs-LEDs durch Platzieren eines Ursprungsoxids an den freiliegenden Oberflächen zu vermindern. - Die Druckschrift
US 5103271 A beschreibt das Aufbringen einer Schutzschicht aus GaAs auf eine GaAlAs-Struktur. - Wafergebondete Fensterschichten verursachen aufgrund der zusätzlich zu den Epitaxieprozessen erforderlichen Wafer-Bonding-Prozessschritte einen erheblichen zusätzlichen technischen Aufwand und epitaktisch aufgebrachte GaP-basierende Fensterschichten können nur auf GaP-basierende oder ähnliche aktive Schichtenfolgen aufgebracht werden.
- Unter GaP-basierenden Schichten sind im vorliegenden Zusammenhang alle AIII-BV-Halbleiterzusammensetzungen zu verstehend, die auf den A-Platz Ga und auf dem B-Platz P aufweisen. Hierunter fallen insbesondere entsprechende ternären und quaternären Verbindungen, wie InGaAlP, InGaP und GaAlP, sowie auch GaP selbst.
- Für eine Reihe von aktiven oder passiven optoelektronischen Schichtenfolgen, die insbesondere auf GaAs-Substraten aufgewachsen werden, wie beispielsweise IR-emittierende oder -detektierende Schichtenfolgen auf der Basis von GaAs, sind bislang keine zufriedenstellenden Fensterschichten bekannt.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper der eingangs genannten Art, insbesondere einen infrarotemittierenden Halbleiterkörper bereitzustellen, der eine Fensterschicht aufweist, die kostengünstig herstellbar ist und vergleichsweise unempfindlich gegenüber Korrosion durch Oxidation ist.
- Weiterhin soll ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Bauelements angegeben werden.
- Die erstgenannte Aufgabe wird durch einen Halbleiterkörper mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
- Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers gemäß Patentanspruch 1 und der auf diesen zurückbezogenen Unteransprüche ist Gegenstand des Patentanspruches 12. Bevorzugte Weiterbildungen des Halbleiterkörpers und des Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Gemäß der Erfindung weist bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper der eingangs genannten Art die Fensterschicht eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten auf, die mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellt sind und die entfernt von der Schichtenfolge jeweils einen Al-Gehalt aufweisen, bei dem AlGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, und der Al-Gehalt in jeder der AlGaAs-Schichten in Richtung zur strahlungserzeugenden Schichtenfolge hin abnimmt.
- In der Fensterschicht weist die benachbart zur Schichtenfolge angeordnete AlGaAs-Schicht im Übergangsbereich zur Schichtenfolge einen Al-Gehalt auf, bei dem AlGaAs für erzeugte Strahlung im Wesentlichen undurchlässig ist. Dieser Übergangsbereich ist vorzugsweise zwischen etwa 10 nm bis 30 nm dick.
- Die Fensterschicht ist weiterhin besonders bevorzugt mittels Flüssigphasenepitaxie oder einem gleichgearteten Verfahren und die Schichtenfolge ist mittels Gasphasenepitaxie, insbesondere mittels metallorgansicher Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie, oder dergleichen epitaktisch aufgewachsen.
- Die Erfindung kann in vorteilhafter Weise auch zur Herstellung von strahlungsdetektierenden Bauelementen eingesetzt werden.
- Die Erfindung und deren Vorteile werden im Folgenden anhand von mehreren Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den
1a bis2e erläutert. Es zeigen: -
1a eine prinzipielle Darstellung der Schichtenfolge eines Halbleiterkörpers gemäß der Erfindung; -
1b eine schematische Darstellung eines Diagramms, in dem der Al-Gehalt in dem Halbleiterkörper gemäß1a über der Schichtdicke aufgetragen ist; und -
2a bis2a eine schematische Darstellung eines Verfahrensablaufs zum Herstellen eines Halbleiterkörpers gemäß1a . - Bei einem Halbleiterkörper gemäß
1a ist auf einer Fensterschicht3 , die aus drei aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 besteht, eine strahlungserzeugende Schichtenfolge2 (im Weiteren jeweils nur kurz mit „aktiver Schichtenfolge” bezeichnet) epitaktisch aufgewachsen. Die aktive Schichtenfolge2 weist beispielsweise eine Lumineszenzdiodenstruktur oder eine vertikal oberflächenemittierende Laserdiodenstruktur (beispielsweise eine sogenannte VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)- oder VECSEL(Vertical External Cavity Surface Emitting Laser)-Struktur) auf. Besonders bevorzugt handelt es sich um eine auf der Basis von GaAs hergestellte Infrarot emittierende Halbleiterstruktur. - Die aktive Schichtenfolge
2 ist vorzugsweise mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie hergestellt. - Die oben genannten Strukturen für die aktive Schichtenfolge
2 sind hinlänglich bekannt und bedürfen von daher an dieser Stelle keiner eingehenden Erläuterung. - Die drei aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten
4 ,5 ,6 sind mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellt und haben jeweils einen sich über die Schichtdicke ändernden Al-Gehalt. Jede der AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 weist auf der entfernt von der aktiven Schichtenfolge2 liegenden Seite einen Al-Gehalt auf, der deutlich über dem Al-Gehalt liegt, bei dem AlGaAs für die in der aktiven Schichtenfolge2 erzeugte Strahlung im Wesentlichen undurchlässig ist. Diese Grenze des Al-Gehalts wird im folgenden jeweils nur kurz als Transmissionsgrenze bezeichnet. - Von der entfernt von der aktiven Schichtenfolge
2 liegenden Seite zur Schichtenfolge2 hin, nimmt in jeder der AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 der Al-Gehalt kontinuierlich ab. Auf der der aktiven Schichtenfolge2 zugewandten Seite liegt der Al-Gehalt, wenn überhaupt, jeweils nur für eine Schichtdicke von 10 nm bis 30 nm der Al-Gehalt unter der Transmissionsgrenze. - Folglich weist der Al-Gehalt, wie in dem Diagramm der
1b schematisch dargestellt, über die drei aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 einen sägezahnartigen Verlauf auf. Dort ist auf der waagrechten Achse die Wachstumsrichtung und auf der senkrechten Achse der Al-Gehalt aufgetragen und die Transmissionsgrenze des Al-Gehalts durch die gestrichelte Linie mit der Bezeichnung TG angedeutet. - Vorzugsweise weist die benachbart zur aktiven Schichtenfolge
2 liegende AlGaAs-Schicht6 im Übergangsbereich zur Schichtenfolge2 über eine Schichtdicke, die zwischen 10 nm und 30 nm liegt, einen Al-Gehalt auf, der unterhalb der Transmissionsgrenze liegt. Dies bringt den Vorteil mit sich, daß eine Oxidation der Al-haltigen Schicht an Luft verhindert werden kann, die u. a. eine unerwünschte elektrisch isolierende Sperrschicht für die nachfolgend aufgebrachte Schichtenfolge2 darstellen würde. - Die Gesamtschichtdicke d aller AlGaAs-Schichten
4 ,5 ,6 liegt vorzugsweise zwischen etwa 100 μm und 200 μm. Sie stellen zu sammen folglich einen mechanisch stabilen Träger für die aktive Schichtenfolge2 dar, deren Gesamtdicke in der Regel im Bereich von nur einigen μm liegt. - Die AlGaAs-Schichten
4 ,5 ,6 sind bevorzugt mittels Flüssigphasenepitaxie (LPE) hergestellt und sind typisch jeweils bis zu 50 μm dick. Eine bei der Flüssigphasenepitaxie auftretende Al-Verarmung in Wachstumsrichtung wird mit Hilfe der erfindungsgemäßen AlGaAs-Mehrfachstruktur „unschädlich” gemacht. Unter Zugrundelegung einer erfindungsgemäßen AlGaAs-Mehrfachstruktur mit zwei oder mehreren AlGaAs-Schichten können somit mittels eines Mehrfach-LPE-Wachstum bzw. -bootprozesses freitragende transparente AlGaAs-LPE-Schichten größerer Schichtdicken hergestellt werden. Typische Gesamtschichtdicken zwischen 100–200 μm mit ausreichender mechanischer Stabilität können auf diese Weise sehr einfach erzielt werden. Die Abscheidetemperaturen liegen typisch bei 700–1000°C. - Insgesamt darf der Al-Gehalt in der AlGaAs-Mehrfachstruktur
4 ,5 ,6 nicht über größere Schichtdicken (> 100 nm) unterhalb des Transparenzbereichs für das in der aktiven erzeugten Licht absinken, damit keine signifikante (> 3%) Absorption des emittierten Lichts in den AlGaAs-Schichten stattfinden kann. Dünne Schichten (typisch 10–30 nm) mit einem Aluminiumgehalt unterhalb des Transparenzbereichs (man vergleiche beispielsweise den in1b eingekreisten Übergangsbereich10 von der AlGaAs-Mehrschichtstruktur zur aktiven Schichtenfolge2 ) können jedoch insbesondere als Abdeckschicht für hochaluminiumhaltige AlGaAs-Schichten sinnvoll sein, damit eine Oxidation der Al-haltigen Schicht an Luft verhindert werden kann, die u. a. eine unerwünschte elektrisch isolierende Sperrschicht zu den nachfolgenden Epitaxieschichten der aktiven Schichtenfolge2 darstellen würde. - Bei dem in den
2a bis2e schematisch dargestellten Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers gemäß den1a und1b werden zunächst auf einem Epitaxiesubstrats7 , das beispielsweise aus GaAs oder aus einem anderen geeigneten Material besteht, mittels Flüssigphasenepitaxie nacheinander drei AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 aufgewachsen. Diese Prozessschritte erfolgen bei einer ersten Prozesstemperatur, die vorzugsweise zwischen etwa 700°C und etwa 1000°C liegt. - Nachfolgend werden die Schichten der aktiven Schichtenfolge
2 auf die AlGaAs-Mehrschichtstruktur4 ,5 ,6 mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie bei einer zweiten Prozesstemperatur aufgebracht, die niedriger ist als die erste Prozesstemperatur ist und im Bereich zwischen etwa 400°C und etwa 800°C liegt. - Nachfolgend werden auf den einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Halbleiterkörpers
1 elektrische Kontaktschichten8 und9 hergestellt. Die AlGaAs-Schichten4 ,5 ,6 sind bei einer derartigen Anordnung der elektrischen Kontaktschichten elektrisch leitend dotiert. - Optional wird vorher das Epitaxiesubstrat
7 entfernt, um die Strahlungsabsorption innerhalb des Substratbereichs des Halbleiterkörpers, das heißt außerhalb der aktiven Schichtenfolge2 weiter zu verringern. - Der Rückseitenkontakt
9 ist vorzugweise spiegelnd ausgebildet, falls eine Strahlungsaus- oder -einkopplung ausschließlich nach vorne und zur Seite bzw. von vorne und von der Seite vorgesehen ist. - Die erfindungsgemäße Halbleiter-Schichtenfolge eignet sich besonders bevorzugt für die Herstellung von Halbleiterkörpern, bei denen die Wellenlänge der über die Fensterschicht
3 aus- bzw. einzukoppelnden Strahlung im infraroten oder roten Spektral-Bereich und unter 870 nm liegt. Die Absorptionskante der Fensterschicht3 ist vorteilhafterweise mit Hilfe des variierenden Al-Gehalts insgesamt auf eine gegenüber der Wellenlänge der aus- bzw. einzukoppelnden Strahlung kürzeren Wellenlänge eingestellt. - Die erfindungsgemäße Halbleiter-Schichtenfolge eignet sich besonders bevorzugt für die Herstellung von Halbleiterkörpern, bei denen die Wellenlänge der über die Fensterschicht
3 aus- bzw. einzukoppelnden Strahlung im infraroten und roten Spektral-Bereich unter 870 nm liegt. Die Absorptionskante der Fensterschicht3 ist hierbei auf eine gegenüber der Wellenlänge der aus- bzw. einzukoppelnden Strahlung kürzeren Wellenlänge eingestellt. - Die erfindungsgemäße Schichtenfolge kann vorteilhafterweise sowohl für eine vertikal oberflächenemittierende Halbleiterlaserstruktur als auch für Lumineszenzdiodenstrukturen eingesetzt werden.
- Die Halbleiterschichten von beispielhaften erfindungsgemäßen Halbleiterkörpern bestehen je nach Bauelementstrukturen:
- – bei lichtemittierenden Dioden (LEDs) typisch aus elektrisch leitenden Schichten mit eventuell zusätzlichen Bragg-Reflektionsschichten, die transparent für das in der aktiven Schicht erzeugte Licht sind. Die aktive Schicht besteht in der Regel aus ein oder mehreren Quantenfilmen. Eine auf der aktiven Schicht angeordnete Schichtfolge kann u. a. aus elektrisch leitenden Schichten für eine ohmsche Verbindung mit einem elektrischen Metallkontakt bestehen.
- Aufgrund der Transparenz der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des AlGaAs-Epitaxiesubstrats kann ein der Teil des niederenergetischen Lichts aus der aktiven Schicht über die Rückseite der AlGaAs-Fensterschicht oder mittels eines spiegelnden Rückseitenkontakts an der Rückseite der AlGaAs-Fensterschicht reflektiert und teilweise zur Seite und/oder nach vorne ausgekoppelt werden. Mit Hilfe der transparenten AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des transparenten AlGaAs-Epitaxiesubstrats können folglich auch rückwärts emittierende LED-Strukturen hergestellt werden. Die Epitaxie der aktiven LED-Struktur erfolgt direkt auf der Fensterschicht, das heißt auf der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. dem AlGaAs-Epitaxiesubstrat, ohne durch nachträgliches technisch aufwendiges Waferbonden oder -fusen einen transparenten, teilweise elektrisch leitenfähigen Substratträgerkontakt herstellen zu müssen.
- – bei resonanten lichtemittierenden Dioden (RCLEDs) typisch aus elektrisch leitenden Schichten mit rückgekoppelten Bragg-Reflektionsschichten geringer Periodenzahl (typ. 5 Perioden, so daß keine Lasertätigkeit einsetzt), die transparent für das in der aktiven Schicht erzeugte Licht sind mit.
- Die aktive Schicht besteht in der Regel aus ein oder mehreren Quantenfilmen. Die Gesamtschichtdicke ist ein ganzzahliges Vielfaches von der halben Emissionswellenlänge. Die Position der Quantenfilme ist im Bauch des Stehwellenfeldes.
- Die nachgeordnete Schichtfolge besteht aus phasenangepaßten Bragg-Reflektionsschichten. Diese Schichten können u. a. aus elektrisch leitenden Schichten für einen späteren ohmschen Metallkontakt bestehen.
- Aufgrund der Transparenz der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des AlGaAs-Epitaxiesubstrats kann ein der Teil des niederenergetischen Lichts aus der aktiven Schicht über die Rückseite der AlGaAs-Fensterschicht oder mittels eines spiegelnden Rückseitenkontakts an der Rückseite der AlGaAs-Fensterschicht reflektiert und teilweise zur Seite und/oder nach vorne ausgekoppelt werden. Mit Hilfe der transparenten AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des transparenten AlGaAs-Epitaxiesubstrats können folglich auch rückwärts emittierende LED-Strukturen hergestellt werden. Die Epitaxie der aktiven RCLED-Strukturen erfolgt direkt auf der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. dem AlGaAs-Epitaxiesubstrat, ohne durch nachträgliches technisch aufwendiges Waferbonden oder -fusen einen transparenten, teilweise elektrisch leitenfähigen Substratträgerkontakt herstellen zu müssen.
- – bei rückwärts über das Substrat auskoppelnden vertikal Oberflächen-emittierenden Laserstrukturen (VCSEL) typisch aus elektrisch leitenden Schichten mit rückgekoppelten Bragg-Reflektionsschichten mit höherer Periodenzahl (typ. 22 Perioden), so daß Lasertätigkeit mit geringerer Absorption in einem Resonator hoher Güte oberhalb des Schwellstromes einsetzen kann.
- Die aktive Schicht besteht in der Regel aus ein oder mehreren Quantenfilmen. Die Gesamtschichtdicke ist ein ganzzahliges Vielfaches von der halben Emissionswellenlänge. Die Position der Quantenfilme ist im Bauch des Stehwellenfeldes.
- Die anschließende Schichtfolge besteht aus phasenangepaßten Bragg-Reflektionsschichten (typ. 27 Perioden), die als Reflektor hoher Güte (R ist ca. 0,99) für das in der aktiven Schicht erzeugte Licht dienen. Diese Schichten können u. a. aus elektrisch leitenden Schichten für einen späteren ohmschen Metallkontakt bestehen.
- Aufgrund der Transparenz der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des AlGaAs-Epitaxiesubstrats wird der Teil der niederenergetischen Laserstrahlung, der aufgrund der geringeren Reflektivität der rückgekoppelten Braggreflektorschichten den Laserresonator verläßt, ohne Absorption über die AlGaAs-Rückseitenschichten ausgekoppelt. Mit Hilfe der transparenten AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. des AlGaAs-Epitaxiesubstrats können somit rückwärts emittierende VCSEL-Strukturen hergestellt werden. Die Epitaxie der aktiven VCSEL-Struktur erfolgt direkt auf der Fensterschicht, das heisst auf der AlGaAs-Mehrschichtstruktur bzw. dem AlGaAs-Epitaxiesubstrat, ohne durch nachträgliches technisch aufwendiges Waferbonden oder -fusen einen transparenten, teilweise elektrisch leitenfähigen Substratträgerkontakt herstellen zu müssen.
Claims (14)
- Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) mit einer strahlungserzeugenden Schichtenfolge (2 ) und einer für die erzeugte Strahlung zumindest teilweise durchlässigen Fensterschicht (3 ), dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3 ) eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden AlGaAs-Schichten (4 ,5 ,6 ) aufweist, die mittels Flüssigphasenepitaxie hergestellt sind und die entfernt von der Schichtenfolge (2 ) jeweils einen Al-Gehalt aufweisen, bei dem AlGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, und der Al-Gehalt in jeder der AlGaAs-Schichten (4 ,5 ,6 ) in Richtung zur strahlungserzeugenden Schichtenfolge (2 ) hin abnimmt, wobei die benachbart zur aktiven Schichtenfolge (2 ) liegende AlGaAs-Schicht (6 ) im Übergangsbereich zur aktiven Schichtenfolge (2 ) einen Al-Gehalt aufweist, der unterhalb der Transmissionsgrenze für die erzeugte Strahlung liegt. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, das die zur Schichtenfolge (2 ) nächstliegende AlGaAs-Schicht (6 ) im Übergangsbereich zur Schichtenfolge (2 ) einen Al-Gehalt aufweist, bei dem AlGaAs in sauerstoffhaltiger Atmosphäre nicht oder nur unwesentlich oxidiert, so dass sie als Passivierungsschicht dient. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, das die Schichtdicke des Übergangsbereichs zwischen etwa 10 nm und 30 nm ist. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenlänge einer über die Fensterschicht (3 ) auszukoppelnden Strahlung kleiner als 870 nm ist und sich eine Absorptionskante der Fensterschicht (3 ) vermittels des variierenden Al-Gehalts insgesamt bei einer kürzeren Wellenlänge befindet. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die AlGaAs-Schichten (4 ,5 ,6 ) elektrisch leitend dotiert sind. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3 ) eine Dicke von mehr als 5 μm aufweist. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3 ) ein freitragendes Sustrat mit einer Dicke zwischen etwa 100 μm und etwa 1000 μm aufweist. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3 ) mittels Flüssigphasenepitaxie und die Schichtenfolge (2 ) mittels Gasphasenepitaxie, insbesondere mittels metallorgansicher Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie, epitaktisch aufgewachsen sind. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht (3 ) elektrisch leitend dotiert ist. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenfolge (2 ) eine vertikal oberflächenemittierende Halbleiterlaserstruktur aufweist. - Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenfolge (2 ) eine Lumineszenzdiodenstruktur aufweist. - Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, gekennzeichnet durch die Schritte: a) Bereitstellen eines Epitaxiesubstrats (7 ), b) Aufwachsen der AlGaAs-Schichten (4 ,5 ,6 ) mittels Flüssigphasenepitaxie auf das Epitaxiesubstrat (7 ) bei einer ersten Prozesstemperatur; c) Aufwachsen der Schichtenfolge (2 ) auf die AlGaAs-Schichten (4 ,5 ,6 ) mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie bei einer zweiten Prozesstemperatur. - Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Prozesstemperatur zwischen 700°C und 1000°C und die zweite Prozesstemperatur zwischen 400°C und 800°C liegt.
- Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Prozess-Schritt c) das Epitaxiesubstrat (
7 ) entfernt wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10056476A DE10056476B4 (de) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
TW090127499A TW540164B (en) | 2000-11-15 | 2001-11-06 | Radiation-emitting semiconductor-body and its production method |
PCT/DE2001/004293 WO2002065555A1 (de) | 2000-11-15 | 2001-11-15 | Strahlungsemittierender halbleiterkörper und verfahren zu dessen herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10056476A DE10056476B4 (de) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10056476A1 DE10056476A1 (de) | 2002-05-23 |
DE10056476B4 true DE10056476B4 (de) | 2012-05-03 |
Family
ID=7663315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10056476A Expired - Fee Related DE10056476B4 (de) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10056476B4 (de) |
TW (1) | TW540164B (de) |
WO (1) | WO2002065555A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004057802B4 (de) | 2004-11-30 | 2011-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit Zwischenschicht |
DE102013112740B4 (de) | 2013-11-19 | 2021-03-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
US9306115B1 (en) * | 2015-02-10 | 2016-04-05 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4946542A (en) * | 1988-12-05 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Crystal growth method in crucible with step portion |
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JP3195194B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2001-08-06 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE59705207D1 (de) * | 1996-08-07 | 2001-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer infrarotemittierenden lumineszenzdiode |
US6057562A (en) * | 1997-04-18 | 2000-05-02 | Epistar Corp. | High efficiency light emitting diode with distributed Bragg reflector |
-
2000
- 2000-11-15 DE DE10056476A patent/DE10056476B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-06 TW TW090127499A patent/TW540164B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-15 WO PCT/DE2001/004293 patent/WO2002065555A1/de active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW540164B (en) | 2003-07-01 |
DE10056476A1 (de) | 2002-05-23 |
WO2002065555A1 (de) | 2002-08-22 |
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
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|
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R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
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|
R020 | Patent grant now final |
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|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |