KR960039183A - 건식 에칭 장치 및 방법 - Google Patents

건식 에칭 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960039183A
KR960039183A KR1019960013331A KR19960013331A KR960039183A KR 960039183 A KR960039183 A KR 960039183A KR 1019960013331 A KR1019960013331 A KR 1019960013331A KR 19960013331 A KR19960013331 A KR 19960013331A KR 960039183 A KR960039183 A KR 960039183A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etch
etching
flow rate
correction
gas flow
Prior art date
Application number
KR1019960013331A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100190418B1 (ko
Inventor
겐 와까하라
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960039183A publication Critical patent/KR960039183A/ko
Priority to RU97107093A priority Critical patent/RU2127027C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of KR100190418B1 publication Critical patent/KR100190418B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

에칭 가스 플라즈마로 에칭 챔버 내에 배치된 에칭 재료를 에칭하는 건식 에칭 장치가 기술된다. 이 장치는 에칭 반응시에 발생되는 서로 다른 파장 성분의 세기를 검출하는 다수의 방출 검출기와 상기 검출된 세기로부터 그들 간의 세기 비율을 분석하는 방출 분석기와, 방출 분석기의 출력 신호로부터 서로 다른 필름에 대한 선택도 비율 및 에칭 속도를 계산하는 처리 데이터 계산 회로와, RF 전력, 진공도 및 가스 유속 또는 가스 유속비율을 처리 데이터 계산 회로의 출력 신호에 기초해서 피드백-제어하는 에칭 파라메터 연산 제어기를 포함한다.

Description

건식 에칭 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제1 양호한 실시예에서의 건식 에칭 자료를 보여주는 설명을 위한 다이어그램.

Claims (5)

  1. 에칭 가스 플라즈마로 에칭 챔버 내의 에칭 재료를 에칭하는 건식 에칭 장치에 있어서, 에칭 반응시에 발생되는 서로 다른 파장 성분들의 세기를 검출하는 다수의 방출 검출기와, 상기 검출된 세기들로부터 그들간의 세기 비율을 분석하는 방출 분석기와, 상기 방출 분석기의 출력 신호로부터 서로 다른 필름에 대한 선택도 비율 및 에칭 속도를 계산하기 위한 처리 데이터 계산 회로와, 상기 처리 데이타 계산 회로의 출력 신호에 기초해서 RF 전력, 진공도 및 가스 유속 또는 가스 유속 비율을 피드백-제어하는 에칭 파라메터 연산 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 장치.
  2. 제1항에 있어서, RF 전력, 진공도, 가스 유속 및 가스 유속 비율에 대한 보정 제한 값이 미리 저장되어 있는 에칭 파라메터 보정 제한 저장 회로와, 상기 에칭 파라메터 연산 제어기로부터 출력된 보정값을 상기 에칭 파라메터 보정 제한 저장 회로로부터 출력된 상기 보정 제한 값과 비교하는 비교 결정 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 에치 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 비교 결정 회로는 상기 보정 값이 보정 제한값 보다 클 때 상기 보정 값을 취소 및/또는 생산 라인에 경보하는 결정을 하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭장치.
  4. 에칭 재료를 에칭하는 건식 에칭 방법에 있어서, 에칭 필름, 포토레지스트 및 에칭 가스 각각에 대해 적절한 플라즈마 방출 파장 및 방출 세기를 다수의 방출 검출기로 동시에 모니터하는 단계와, 계산된 상기 에칭 속도 및 선택도 비율에 기초해서 에칭 반응 정도를 결정하는 단계와, 처리 파라메터를 제어하기 위해서 RF전력, 진공도 에칭 가스 유속 및 에칭 가스 유속 비율을 포함하는 상기 처리 파라메터를 상기 에칭 반응 정도에 대한 상기 결정에 따라서 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 처리 파라메터의 상기 보정이 미리 설정된 보정 제한 값 내에서 이루어지도록 상기 보정 단계가 실행되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960013331A 1995-04-27 1996-04-27 건식 에칭 장치 및 방법 KR100190418B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97107093A RU2127027C1 (ru) 1996-04-27 1997-04-25 Способ управления процедурой передачи в системе факсимильной связи

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-103752 1995-04-27
JP7103752A JP2666768B2 (ja) 1995-04-27 1995-04-27 ドライエッチング方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960039183A true KR960039183A (ko) 1996-11-21
KR100190418B1 KR100190418B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=14362302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960013331A KR100190418B1 (ko) 1995-04-27 1996-04-27 건식 에칭 장치 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5702562A (ko)
JP (1) JP2666768B2 (ko)
KR (1) KR100190418B1 (ko)
TW (1) TW377471B (ko)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5653811A (en) * 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
JP2845199B2 (ja) * 1996-06-14 1999-01-13 日本電気株式会社 ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
JPH10163176A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Meidensha Corp 半導体素子の製造方法
US6461982B2 (en) 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
TW374853B (en) * 1997-08-04 1999-11-21 Toshiba Corp Dry etching method of thin film and method for manufacturing thin film semiconductor device
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US5997589A (en) * 1998-07-09 1999-12-07 Winbond Electronics Corp. Adjustment pumping plate design for the chamber of semiconductor equipment
EP1145276A1 (en) * 1998-12-30 2001-10-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for etch rate stabilization
JP2000299198A (ja) * 1999-02-10 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2001007084A (ja) * 1999-06-21 2001-01-12 Nec Corp エッチング終点判定方法
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
US6368975B1 (en) * 1999-07-07 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
US6943392B2 (en) * 1999-08-30 2005-09-13 Micron Technology, Inc. Capacitors having a capacitor dielectric layer comprising a metal oxide having multiple different metals bonded with oxygen
US6558517B2 (en) * 2000-05-26 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Physical vapor deposition methods
JP3565774B2 (ja) * 2000-09-12 2004-09-15 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及び処理方法
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
WO2002061179A1 (en) * 2001-01-19 2002-08-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
US6566147B2 (en) * 2001-02-02 2003-05-20 Micron Technology, Inc. Method for controlling deposition of dielectric films
US20050189074A1 (en) * 2002-11-08 2005-09-01 Tokyo Electron Limited Gas processing apparatus and method and computer storage medium storing program for controlling same
US6838122B2 (en) * 2001-07-13 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers
US20030017266A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-23 Cem Basceri Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers, including such layers having a varied concentration of barium and strontium within the layer
US7011978B2 (en) * 2001-08-17 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitor constructions comprising perovskite-type dielectric materials with different amount of crystallinity regions
US7261745B2 (en) * 2003-09-30 2007-08-28 Agere Systems Inc. Real-time gate etch critical dimension control by oxygen monitoring
US7303648B2 (en) * 2004-05-25 2007-12-04 Intel Corporation Via etch process
JP4629421B2 (ja) * 2004-12-06 2011-02-09 パナソニック株式会社 ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
DE102005023762A1 (de) * 2005-05-19 2006-11-23 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Effizienzsteigerung von Tensiden, zur Unterdrückung lamellarer Mesophasen, zur Temperaturstabilisierung des Einphasengebietes sowie ein Verfahren zur Verminderung der Grenzflächenspannung in Mikroemulsionen welche Siliconöle enthalten mittels Additiven, sowie Tensid-Ölgemisch
JP2008072032A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8017517B2 (en) * 2007-06-07 2011-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual damascene process
US8815745B2 (en) * 2008-02-01 2014-08-26 Lam Research Corporation Reducing damage to low-K materials during photoresist stripping
JP4873025B2 (ja) * 2009-02-24 2012-02-08 パナソニック株式会社 プラズマ処理方法
WO2011021539A1 (ja) 2009-08-20 2011-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置とプラズマ処理方法
KR20120126418A (ko) * 2011-05-11 2012-11-21 (주)쎄미시스코 플라즈마 모니터링 시스템
JP5815361B2 (ja) * 2011-10-07 2015-11-17 シャープ株式会社 基板処理制御装置および基板処理制御方法、制御プログラム、可読記憶媒体
JP6072613B2 (ja) * 2013-05-30 2017-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
JPWO2014203881A1 (ja) * 2013-06-21 2017-02-23 富士電機株式会社 炭化珪素半導体素子の製造方法
CN105580103B (zh) * 2013-09-24 2018-05-11 应用材料公司 用于对工艺腔室的控制气体供应的方法、用于控制对工艺腔室的气体供应的控制器以及设备
US20180166301A1 (en) * 2016-12-13 2018-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61104624A (ja) * 1984-10-29 1986-05-22 Hitachi Ltd ドライエツチング方法
US4767496A (en) * 1986-12-11 1988-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for controlling and supervising etching processes
JPH04355918A (ja) * 1991-01-30 1992-12-09 Sony Corp 高融点金属系材料のドライエッチング方法
JPH05114586A (ja) * 1991-10-22 1993-05-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ドライエツチングの終点検出装置
JP3157605B2 (ja) * 1992-04-28 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5642296A (en) * 1993-07-29 1997-06-24 Texas Instruments Incorporated Method of diagnosing malfunctions in semiconductor manufacturing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
US5702562A (en) 1997-12-30
TW377471B (en) 1999-12-21
JP2666768B2 (ja) 1997-10-22
JPH08298259A (ja) 1996-11-12
KR100190418B1 (ko) 1999-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960039183A (ko) 건식 에칭 장치 및 방법
US6207008B1 (en) Dry etching endpoint detection system
US5288367A (en) End-point detection
US5045149A (en) Method and apparatus for end point detection
KR100567481B1 (ko) 플라즈마 에칭 종료 검출 방법
KR930022482A (ko) 플라즈마 처리방법
KR950027918A (ko) 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR19980086943A (ko) 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 다중 파라미터를 사용하여 처리를 모니터링하기 위한 방법 및 그 장치
US5789754A (en) Leak detection method and apparatus for plasma processing equipment
US4246060A (en) Plasma development process controller
US4263089A (en) Plasma development process controller
JP3217581B2 (ja) エッチング終点検出方法
KR950006998A (ko) 플라즈마처리의 종점검지 방법 및 장치
JP3884894B2 (ja) プラズマエッチング処理装置
JP3885060B2 (ja) プラズマエッチング処理方法
JPH11162400A (ja) プロセスガス監視装置
JPH02111020A (ja) プラズマ処理装置
JPH04291719A (ja) ウエーハ処理終点判定方法
JPH0722401A (ja) プラズマエッチング装置
JPS6159834A (ja) エツチング終点検出方法
JPH05251398A (ja) ドライエッチング装置
JPH08148475A (ja) エッチング処理装置
JPH05206075A (ja) プラズマエッチング終点検出装置
KR970030415A (ko) 반도체 제조장치 및 이 장치를 사용하는 반도체장치의 제조방법
JPH04133425A (ja) ドライエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101223

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee