KR960039120A - 에피택셜 이트륨-아이언-가넷박막의 제조방법 - Google Patents

에피택셜 이트륨-아이언-가넷박막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광소자 및 정자파소자등의 제작에 사용되는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법에 관한 것으로, 박막의 제조시 레이저 어블레이션 법을 적용하므로서 결정 배향성이 양호한 에피택셜 YIG 박막을 제조하는 방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
상기한 목적달성을 위한 본 발명은 레이저 어블레이션법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내에 내장된(111)GGG 기판을 700℃ 이상의 온도로 가열한 다음, 순도 99.99% 이상의 산소를 취입하여 산소분압을 5-50mTorr 범위로 조절하는 단계, YIG 타켓 및 (111)GGG 기판을 회전시킨 후, KrF 엑시머레이저 빔을 2.28-7.75J/㎠의 에너지 밀도 범위로 상기 YIG 타켓에 조사하여 상기 (111)GGG 기판상에 에피택셜 YIG 박막을 0.79-2.75㎛ 두께 범위로 증착하는 단계, 및 상기 두께범위로 에피택셜 YIG 박막이 증착된 (111)GGG 기판을 분당 3-5℃의 냉각속도범위로 냉각하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법을 제공함을 그 요지로 한다.

Description

에피택셜 이트륨-아이언-가넷박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 방법에 따라 제조된 YIG 박막의 X선 회전패턴을 나타내는 그래프, 제2도는 본 발명 방법에 따라 제조된 YIG 박막의 자기이력 곡선을 나타내는 그래프.

Claims (5)

  1. 레이저 어블레이션법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내에 내장된 (111)GGG 기판을 700℃ 이상의 온도로 가열한 다음, 순도 99.9% 이상의 산소를 취입하여 산소분압을 5-50mTorr 범위로 조절하는 단계, YIG 타켓 및 (111)GGG 기판을 회전시킨 후, KrF 엑시머 레이저 빔을 2.28-7.75J/㎠의 에너지 밀도 범위로 상기 YIG 타켓에 조사하여 상기 (111)GGG 기판상에 에피택셜 YIG 박막을 0.79-2.75㎛ 두께 범위로 증착하는 단계, 및 상기 두께 범위로 에피택셜 YIG 박막이 증착된 (111)GGG 기판을 분당3-5℃의 냉각속도범위로 냉각하는 단계를 포함하는 구성됨을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (111)GGG 기판의 가열온도는 700-900℃의 온도범위인 것을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법.
  3. 제1항 내지 제2항에 있어서, 상기 산소분압이 19-21mTorr인 것을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법.
  4. 제1항 내지 제2항에 있어서, 상기 KrF 레이저빔의 에너지 밀도가 7-7.75J/㎠인 것을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 KrF 레이저빔의 에너지 밀도가 7-7.75J/㎠인 것을 특징으로 하는 에피택셜 YIG 박막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019950009673A 1995-04-24 1995-04-24 에피택셜 이트륨-아이언-가넷 박막의 제조방법 KR0169583B1 (ko)

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