JPS5948977A - レ−ザダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
レ−ザダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS5948977A JPS5948977A JP57160058A JP16005882A JPS5948977A JP S5948977 A JPS5948977 A JP S5948977A JP 57160058 A JP57160058 A JP 57160058A JP 16005882 A JP16005882 A JP 16005882A JP S5948977 A JPS5948977 A JP S5948977A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザダイオードの製造方法に関する。
今日レーザダイオードは光通信システムにおける発光素
子としそばかりでなくオーティオディスク等の光ビーム
し用の分野へも使用されるようになり人癌生産の必要性
が生じて来た。
子としそばかりでなくオーティオディスク等の光ビーム
し用の分野へも使用されるようになり人癌生産の必要性
が生じて来た。
レーザダイオードは一般に結晶のヘキ開面をレーザの反
射ミラーとして用いている。その１ζめ通常の動作レベ
ルにおける使用中においても反射面は除々に侵され劣化
現象を呈する。そこで曲常けこのヘキ開面を誘電体膜で
保議し通常動作レベルにおける劣化現象を押えようと試
がなされている。
射ミラーとして用いている。その１ζめ通常の動作レベ
ルにおける使用中においても反射面は除々に侵され劣化
現象を呈する。そこで曲常けこのヘキ開面を誘電体膜で
保議し通常動作レベルにおける劣化現象を押えようと試
がなされている。
これら誘電体膜としては５ｉ０２． Ａｅ２０＋、 Ｓ
ｉ３Ｎ＋等が使われており、形成方法としてｉ、Ｉ Ｃ
Ｖ Ｌ）、−°ｌバッター等がｓる。ＣＶＤ、スパッタ
ー弄り方ｔんに、よりこれらの誘電体膜を形成する場合
には次のような欠点がある。一つの欠点はレーザダイオ
ードが扁温にきらされるということである。ｃｖＩ）、
スパッター共に良質の誘電体膜を得るためには基板をあ
る程度高温に保たなければならない。又低温成長時には
膜厚、膜質のコントロール精度が低下する等の欠点もあ
る。もう一つの欠点はＣＶ Ｄ及びスパッターによると
誘電体膜かヘキ開面ばかりでなく電極等不必要な部分に
も敲長するため、こ扛を防ぐために複雑な治具を必要と
すく）ことである。
ｉ３Ｎ＋等が使われており、形成方法としてｉ、Ｉ Ｃ
Ｖ Ｌ）、−°ｌバッター等がｓる。ＣＶＤ、スパッタ
ー弄り方ｔんに、よりこれらの誘電体膜を形成する場合
には次のような欠点がある。一つの欠点はレーザダイオ
ードが扁温にきらされるということである。ｃｖＩ）、
スパッター共に良質の誘電体膜を得るためには基板をあ
る程度高温に保たなければならない。又低温成長時には
膜厚、膜質のコントロール精度が低下する等の欠点もあ
る。もう一つの欠点はＣＶ Ｄ及びスパッターによると
誘電体膜かヘキ開面ばかりでなく電極等不必要な部分に
も敲長するため、こ扛を防ぐために複雑な治具を必要と
すく）ことである。
本発明の目的はレーザダイオードのヘキ開面に誘電体膜
を形成する場合に前述した欠点を取り除いて大量生産を
可能とした方法を提供することにある。
を形成する場合に前述した欠点を取り除いて大量生産を
可能とした方法を提供することにある。
本発明によれば治具に装置したレーザダイオードを誘電
体膜形成雰囲気に置き反応温度より低い温度に保ち、レ
ーザ光をヘキ開面に照射することによシヘキ開面にのみ
選択的に誘電体膜な形成させるというレーザダイオード
の法貨方法が４１Ｊ・られる。
体膜形成雰囲気に置き反応温度より低い温度に保ち、レ
ーザ光をヘキ開面に照射することによシヘキ開面にのみ
選択的に誘電体膜な形成させるというレーザダイオード
の法貨方法が４１Ｊ・られる。
反応管内に反応ガスを導入し誘電ｆ７１−膜を・形成す
るＣＶＤ法の場合基板を所定温ＩＬに保つ−Ｃおかない
と反応が進行せず誘電体膜は形成されない。そこで基板
を所定温度より低い温度に保った丑まで基板の所定の場
所にレーザ光線を照射すると、レーザ光線のエネルギー
が反応を促進し、レーザ光線の照射を受けた部分のみ誘
電体膜が形成される。
るＣＶＤ法の場合基板を所定温ＩＬに保つ−Ｃおかない
と反応が進行せず誘電体膜は形成されない。そこで基板
を所定温度より低い温度に保った丑まで基板の所定の場
所にレーザ光線を照射すると、レーザ光線のエネルギー
が反応を促進し、レーザ光線の照射を受けた部分のみ誘
電体膜が形成される。
この原理を応用すると、治具に並べられたレーザダイオ
ードのヘキ開面のみにレーザ光線を照射することにより
、ヘキ開面のみに誘電体膜を形成することが北米る。
ードのヘキ開面のみにレーザ光線を照射することにより
、ヘキ開面のみに誘電体膜を形成することが北米る。
次に図面を用いて詳細に説明する。訪電体ｌ漠として８
ｉ０２膜を用い、レーザ光線としてＡｒ レーザを用
いた場合について説明する。
ｉ０２膜を用い、レーザ光線としてＡｒ レーザを用
いた場合について説明する。
所定の巾にヘキ開されたヘキ開バー１は治具２の所定の
位置に置かれる。次にこの治具２を反応装置に入れ置換
後温度を上げ反応ガスが分解し／、口い温度に保つ。
位置に置かれる。次にこの治具２を反応装置に入れ置換
後温度を上げ反応ガスが分解し／、口い温度に保つ。
反応カスを導入［７、光学系をあらかじめ調整１７であ
るＡｒ レーザ光線３をヘキ開１１４のみに照射する
。このようにりるとＡｒ レーザ光線３の照す１を受
けたヘキ開面４のみに８ｉ０２１１ｆｉ ５を形成する
ことが出来る。ヘキ開バーの′叶！、極部分６にけレー
ザ光線３が当らないように光学系を調整しておくと、５
ｉＯｚの形成ｄ起らないので、特別の冑ｊ詭を行なう必
要がなく治具の構造が簡単にＢり太ニー１４生産がやり
易くなる利点がある。
るＡｒ レーザ光線３をヘキ開１１４のみに照射する
。このようにりるとＡｒ レーザ光線３の照す１を受
けたヘキ開面４のみに８ｉ０２１１ｆｉ ５を形成する
ことが出来る。ヘキ開バーの′叶！、極部分６にけレー
ザ光線３が当らないように光学系を調整しておくと、５
ｉＯｚの形成ｄ起らないので、特別の冑ｊ詭を行なう必
要がなく治具の構造が簡単にＢり太ニー１４生産がやり
易くなる利点がある。
このようにＡｒ レーザ光線の照射う・・よるＳ ＋
０２膜の選択成長を行うことにより、レーザタイオード
の大量生産のイ・ツクになっているヘキ開面へのパッシ
ベーション上４呈を改嵜することが出来る。
０２膜の選択成長を行うことにより、レーザタイオード
の大量生産のイ・ツクになっているヘキ開面へのパッシ
ベーション上４呈を改嵜することが出来る。
以上の実施例においては誘電体膜としてＳ Ｉ（Ｊ ２
膜を用いたがＭ２Ｏ３等他の誘電体膜においても同様の
効果が得られることは明らかである。Ａｒレーザ光線の
代りにＨｅ −Ｎｅ等の他のレーザ光線及び紫外線を用
いても同様の効果が得られる。
膜を用いたがＭ２Ｏ３等他の誘電体膜においても同様の
効果が得られることは明らかである。Ａｒレーザ光線の
代りにＨｅ −Ｎｅ等の他のレーザ光線及び紫外線を用
いても同様の効果が得られる。
又ＣＶＤ法はかりでなくスパッター法にもこの方法を応
用して同様の効果か得られることは明らかである。実施
例においてはヘキ開バーのみに１ボって説明を行って来
たが、ベレットあるいれ１ヒートシンクに接崩されたベ
レットに関して４９回１・）百の方法にまりヘキ開面に
バンシペーションをイ」うことが出来るっ
用して同様の効果か得られることは明らかである。実施
例においてはヘキ開バーのみに１ボって説明を行って来
たが、ベレットあるいれ１ヒートシンクに接崩されたベ
レットに関して４９回１・）百の方法にまりヘキ開面に
バンシペーションをイ」うことが出来るっ
第１図は治具にレーザダイオードのヘキ開・・−を＝＄
、着したｎ「の模式図である。第２図ｄ°ヘキｆｊ「ｉ
バーにレーザ光線を照射したＩＪｒの図である。 １・・・・・・レーザタイオードヘキしｉ−１バー、２
・川・・治具、３・・・・・・レーザ光線、４・・・・
・・ヘキ開面、５・・・・・・５ｉ（Ｊ２Ｉ１％、６・
・・・・・電極金１、り穐６１４５１ どｌ ／ ２ ／ 図 弓 Ｚ 回
、着したｎ「の模式図である。第２図ｄ°ヘキｆｊ「ｉ
バーにレーザ光線を照射したＩＪｒの図である。 １・・・・・・レーザタイオードヘキしｉ−１バー、２
・川・・治具、３・・・・・・レーザ光線、４・・・・
・・ヘキ開面、５・・・・・・５ｉ（Ｊ２Ｉ１％、６・
・・・・・電極金１、り穐６１４５１ どｌ ／ ２ ／ 図 弓 Ｚ 回
Claims (1)
- レーザダイオードを誘電体膜を形成する雰囲気で反応、
温度以下に保ち、レーザー光を照射することによりレー
ザダイオードの出力面にのみ選択的に誘電体膜を形成す
ることを特徴とするレーザダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160058A JPS5948977A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | レ−ザダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160058A JPS5948977A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | レ−ザダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948977A true JPS5948977A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15706989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160058A Pending JPS5948977A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | レ−ザダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948977A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365459A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-17 | Mamegen:Kk | 絹ごし厚揚げの製造方法 |
| JPH06169718A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-21 | Takahashi Shoten:Kk | 絹ごし厚揚げ生地の製造方法 |
| JPH08236861A (ja) * | 1996-02-13 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2003198044A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに、レーザバー固定装置 |
| JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130369A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 | ||
| JPS5642347A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Passivation of surface of compound semiconductor |
| JPS5667980A (en) * | 1979-11-08 | 1981-06-08 | Sony Corp | Semiconductor laser system and preparation method thereof |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57160058A patent/JPS5948977A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130369A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 | ||
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| JPH08236861A (ja) * | 1996-02-13 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2003198044A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに、レーザバー固定装置 |
| JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
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