JPS60216556A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60216556A JPS60216556A JP7328084A JP7328084A JPS60216556A JP S60216556 A JPS60216556 A JP S60216556A JP 7328084 A JP7328084 A JP 7328084A JP 7328084 A JP7328084 A JP 7328084A JP S60216556 A JPS60216556 A JP S60216556A
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体基板に薄膜を形成したり、エツチングす
るなどの加工を施して行う半導体装置の製造方法に関す
る。
るなどの加工を施して行う半導体装置の製造方法に関す
る。
半導体装置の製造のためには、半導体基板の表面への不
純物の付着、基板内への拡散、酸化膜、窒化膜あるいは
金属膜の形成、フォトプロセスを利用した選択エツチン
グ等の各種工程による半導体基板の加工が施される。し
かし、これらの工程において半導体基板が高温にさらさ
れると、基板の熱変形あるいは熱応力による結晶欠陥の
発生の問題がある。また、例えば半導体集積回路の集積
度の増大に伴ない、接合あるいは配線設計の微細化、不
純物成度制御の高精度化への要求が強まり、プラズマに
よるエツチング、気相成長、化合物生成あるいはプラズ
マ中より引き出されたイオンビームによるエツチング、
気相成長、化合物生成などの方法、またはイオン注入法
などのいわゆるドライプロセスが採用されるようになっ
た。しかしこれらの方法では結晶に損傷を生ずる問題が
あった。
純物の付着、基板内への拡散、酸化膜、窒化膜あるいは
金属膜の形成、フォトプロセスを利用した選択エツチン
グ等の各種工程による半導体基板の加工が施される。し
かし、これらの工程において半導体基板が高温にさらさ
れると、基板の熱変形あるいは熱応力による結晶欠陥の
発生の問題がある。また、例えば半導体集積回路の集積
度の増大に伴ない、接合あるいは配線設計の微細化、不
純物成度制御の高精度化への要求が強まり、プラズマに
よるエツチング、気相成長、化合物生成あるいはプラズ
マ中より引き出されたイオンビームによるエツチング、
気相成長、化合物生成などの方法、またはイオン注入法
などのいわゆるドライプロセスが採用されるようになっ
た。しかしこれらの方法では結晶に損傷を生ずる問題が
あった。
本＠明は、半導体基板を高温にすることなく、結晶欠陥
の生ずる虞のない加工方法を用いた半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
の生ずる虞のない加工方法を用いた半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体基板の加工を光化学反応、光分解反応
によって行うもので、半導体基板に反応ガスあるいは反
応溶液を接触させ、反応エネルギ−を与える光を半導体
基板に照射して光化学反服元分解反応を引き起こすこと
により上記の目的を達成するものである。
によって行うもので、半導体基板に反応ガスあるいは反
応溶液を接触させ、反応エネルギ−を与える光を半導体
基板に照射して光化学反服元分解反応を引き起こすこと
により上記の目的を達成するものである。
第１図に示す装置を用いて、シリコン基板１を反応室２
内に収容し、反応室内を真空ポンプ３により排気して真
空にしたのち、マスフローメータ４によって流量制御し
てボンベ５から８ｉ［４ガスを５ 峰へｉｎ 、 、ポ
ンベ６からＮ２０ガスを８００１Ｒ１／′ｍｉｎ 。
内に収容し、反応室内を真空ポンプ３により排気して真
空にしたのち、マスフローメータ４によって流量制御し
てボンベ５から８ｉ［４ガスを５ 峰へｉｎ 、 、ポ
ンベ６からＮ２０ガスを８００１Ｒ１／′ｍｉｎ 。
キャリヤガスとしてポンベ７からＮ２ガスを６５ｍ１７
ｍ１ｎ導入し、１０Ｔｏｒｒ前後の圧力に保つ。そこへ
ＡｒＦエキシマレーザの１９３ＯＡの発振光８を鏡９、
レンズｌＯを通して基板ｌの直上のガス中に照射し、同
時にＣＯ２レーザの波長の１０．６μｍの発振光１１を
鏡１２、レンズｌＯを通して基板１に焦点を結ぶように
照射する。光８，１１を基板ｌの全面にわたって走査す
ることにより、光１１によって基板１が約２５０℃に加
熱され、その基板上に混合ガスから吹命反応により酸化
シリコン膜１３が堆積する。同様に８ ｉＨ４とＮＨｓ
の混合ガスを用いて７００〜８００ Ａの波長の紫外光
により窒化シリコン膜を加熱された基板上に堆積するこ
とができる。
ｍ１ｎ導入し、１０Ｔｏｒｒ前後の圧力に保つ。そこへ
ＡｒＦエキシマレーザの１９３ＯＡの発振光８を鏡９、
レンズｌＯを通して基板ｌの直上のガス中に照射し、同
時にＣＯ２レーザの波長の１０．６μｍの発振光１１を
鏡１２、レンズｌＯを通して基板１に焦点を結ぶように
照射する。光８，１１を基板ｌの全面にわたって走査す
ることにより、光１１によって基板１が約２５０℃に加
熱され、その基板上に混合ガスから吹命反応により酸化
シリコン膜１３が堆積する。同様に８ ｉＨ４とＮＨｓ
の混合ガスを用いて７００〜８００ Ａの波長の紫外光
により窒化シリコン膜を加熱された基板上に堆積するこ
とができる。
上記の実施例では、光化学反応を励起するための光と基
板を加熱するための光を同時に照射したが、双方の光を
同一光路で交互に入射させてもよい。
板を加熱するための光を同時に照射したが、双方の光を
同一光路で交互に入射させてもよい。
本発明は気相中における反応を光によって励起する場合
に限らず、液相中の反応についても適用できる。倒置ば
シリコン基板をスルフアミノ酸ニッケル塩浴中に浸漬し
、浴中にＡｒレーザあるいはＫｒ レーザ光を照射して
光分解反応を起こすと共に、ＣＯ２レーザ光を基板に照
射して分解したＮｉの析出を促進してＮｌ膜を基板上忙
形成することもできる。
に限らず、液相中の反応についても適用できる。倒置ば
シリコン基板をスルフアミノ酸ニッケル塩浴中に浸漬し
、浴中にＡｒレーザあるいはＫｒ レーザ光を照射して
光分解反応を起こすと共に、ＣＯ２レーザ光を基板に照
射して分解したＮｉの析出を促進してＮｌ膜を基板上忙
形成することもできる。
さらに、例えば光によるイオン化によって生じたイオン
を用いてのイオン注入、イオンエツチングを促進するた
めに、イオン化のための光と同時に基板を加熱するため
の赤外または遠赤外領域の光を照射することも有効であ
る。
を用いてのイオン注入、イオンエツチングを促進するた
めに、イオン化のための光と同時に基板を加熱するため
の赤外または遠赤外領域の光を照射することも有効であ
る。
本発明は、光化学反応あるいは光分解反応を利用して半
導体基板を加工する場合に必要な基板の温度を得るため
あるいは反応促進のために赤外領域または遠赤外領域の
光も照射するもので、反応の制御が照射光の調整により
容易にでき、また光ビームを用いての微細加工も可能で
ある。さらに光化学反応などに必要な温度は普通３００
℃以下の低温であるため、高温加熱に伴う問題の発生は
なく、また結晶の損傷も少なく、あっても基板の同時加
熱により回復するので特性の良好な半導体装置の製造に
極めて有効である。
導体基板を加工する場合に必要な基板の温度を得るため
あるいは反応促進のために赤外領域または遠赤外領域の
光も照射するもので、反応の制御が照射光の調整により
容易にでき、また光ビームを用いての微細加工も可能で
ある。さらに光化学反応などに必要な温度は普通３００
℃以下の低温であるため、高温加熱に伴う問題の発生は
なく、また結晶の損傷も少なく、あっても基板の同時加
熱により回復するので特性の良好な半導体装置の製造に
極めて有効である。
第１図は本発明の実施例に用いる装置の断面図である。
１・・・シリコン基板、２・・・反応室、５・・・８ｉ
Ｈ４ボンベ、６− Ｎ２０ボンベ、７− Ｎ２ボンベ、
８− ＡｒＦエキシマレーザ光、１１ ・Ｃ０２レーザ
光、１３・・・８４０２第１図
Ｈ４ボンベ、６− Ｎ２０ボンベ、７− Ｎ２ボンベ、
８− ＡｒＦエキシマレーザ光、１１ ・Ｃ０２レーザ
光、１３・・・８４０２第１図
Claims (1)
- １）半導体基板に反応ガスあるいは反応溶液を接触させ
、該反応ガスあるいは反応溶液に反応エネルギーを与え
る光を照射すると共に前記半導体基板に熱エネルギーを
与える光を照射して引き起こされた反応によって半導体
基板に加工を施すことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328084A JPS60216556A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328084A JPS60216556A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216556A true JPS60216556A (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=13513570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328084A Pending JPS60216556A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010036A (en) * | 1990-04-20 | 1991-04-23 | Eaton Corporation | Low temperature semiconductor bonding process with chemical vapor reaction |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164523A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth of semiconductor |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP7328084A patent/JPS60216556A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164523A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth of semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010036A (en) * | 1990-04-20 | 1991-04-23 | Eaton Corporation | Low temperature semiconductor bonding process with chemical vapor reaction |
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