KR960019494A - 리튬산 탄탈륨(LiTaO₃) 단결정 박막의 제조방법 - Google Patents

리튬산 탄탈륨(LiTaO₃) 단결정 박막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 어블레이션법을 이용하여 결정배향성이 양호한 LiTaO3단결정 박막을 제조하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 레이저 어블레이션 법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내에 내장된 Al2O3기판의 온도를 650℃ 이상의 온도를 가열한 다음, 99.99% 이상의 고순도 산소를 취입하여 산소분압을 100~250mTorr의 범위로 조절하는 단계; 및 KrF 엑시머레이저의 에너지 밀도를 1.67~2.85J/㎠의 범위로 조절하고 LiTaO3타켓에 조사하여 상기 타켓으로부터 어블레이션된 입자를 상기 Al2O 기판상에 집적시킨 다음, 집적된 단결정 박막을 3~5℃/분의 냉각속도로 냉각하는 단계를 포함하여 110 구성되는 LiTaO3단결정 박막의 제조방법에 관한 것을 그 요지로 한다.

Description

리튬산 탄탈륨(LiTaO3) 단결정 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명방법에 따라 제조된 LiTaO3박막의 X선회질 패턴을 나타내는 그래프.

Claims (4)

  1. 레이저 어블레이션 법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내에 내장된 Al2O3기판의 온도를 650℃ 이상의 온도를 가열한 다음, 99.99% 이상의 고순도 산소를 취입하여 산소분압을 100~250mTorr의 범위로 조절하는 단계; 및 KrF 엑시머레이저의 에너지 밀도를 1.67~2.85J/㎠의 범위로 조절하고 LiTaO3타켓에 조사하여 상기 타켓으로부터 어블레이션된 입자를 상기 Al2O3기판상에 집적시킨 다음, 집적된 단결정 박막을 3~5℃/분의 냉각속도로 냉각하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 LiTaO3단결정 박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Al2O3기판이 650~900℃의 온도범위로 가열됨을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산소분압이 150~200mTorr의 범위로 조절됨을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, Al2O3기판이 700℃의 온도로 가열되고, 산소분압이 200mTorr로 조절되고 레이저빔의 에너지 밀도가 2.85J/㎠로 조사됨을 특징으로 하는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100431740B1 (ko) * 2001-09-14 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 고유전막을 구비한 반도체소자 및 그 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100431740B1 (ko) * 2001-09-14 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 고유전막을 구비한 반도체소자 및 그 제조 방법

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