KR970021360A - 에피택셜 바륨-페라이트 박막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마이크로파 소자용 재료는 물론 자기기록용 재료로 사용되는 에피택셜(epitaxial) 박막의 제조방법에 관한 것으로써, 그 목적은 레이저 어블레이션법을 이용하여 결정배향성이 양호한 에피택셜 BaFe12019박막을 제조하는 방법을 제공하고자 하는데 있다.
본 발명은 레이저 어블레이션법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공 상태의 반응실내에 내장된 단결정(001)Al203또는(012)Al203기판의 온도를 700℃ 이상의 온도로 가열한 다음, 99.99% 이상의 고순도 산소를 취입하여 산소를 500-900mTorr의 범위로 조절하는 단계; BaFe12O19타겟과 상기 A1203기판을 회전시키면서 KrF 엑시머 레이저의 에너지 밀도를 4.4-6.67J/cm2범위로 조절하고 상기 BaFe12O19타겟에 조사하여 상기 타겟으로 부터 어블레이션된 입자를 상기 Al2O3, 기판상에 BaFe12O19박막을 0.4-1.5Å/s로 증착하는 단계; 및 상기 BaFe21019, 박막이 증착된 Al203기판을 3-5℃/분의 냉각속도 범위로 냉각하는 단계를 포함하여 구성되는 에피택셜 BaFe21O19박막의 제조방법에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단결정(001)Al203기판을 사용한 경우의 본 발명방법에 의해 제조된 BaFe12O19박막의 자기이력곡선을 나타내는 그래프.
Claims (4)
- 레이저 어블레이션법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내의 내장된 단결정(001)Al203또는(012)A1203기판의 온도를 700℃ 이상의 온도로 가열한 다음, 99.99% 이상의 고순도 산소를 취입하여 산소를 500-900 mTorr의 범위로 조절하는 단계; BaFe12019타겟과 상기 Al203기판을 회전시키면서 KrF 엑시머레이저의 에너지 밀도를 4.4-6.67J/cm2범위로 조절하고 상기 BaFe12O19박막이 중착된 Al2O3기판을 3-5℃/분의 냉각속도 범위로 냉각하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 에피택셜 BaFe12O19박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Al203기판이 700-900℃의 온도범위로 가열됨을 특징으로 하는 에피택셜 BaFe12O19박막의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산소분압이 850-900mTorr인 것을 특징으로 하는 에퍼택셜 BaFe12019박막의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 KrF레이저빔 에너지 밀도가 6-6.67J/cm2인 것을 특징으로 하는 에피택셜 BaFe12019박막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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