KR960038986A - 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로에 관한 것으로, 반도체 메모리소자의 비트라인전압을 전원전압의 변동에 관계없이 일정한 전압레벨로 유지할 수 있도록 하기 위해 전압레벨 쉬프트회로를 사용한 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로도, 제4도는 제2도의 전압레벨 쉬프트회로의 상세회로도.
Claims (2)
- 비트라인 및 비트바 라인에 접속된 메모리셀중 선택되는 메모리셀의 워드라인이 활성화 될 때 상기 비트라인 및 비트바 라인의 전압차가 일정하게 유지되도록 하기 위해 각각의 PMOS트랜지스터의 소오스단자가 전원전압에 접속되고, 상기 각각의 PMOS트랜지스터의 드레인단자가 상기 비트라인 및 비트바 라인에 대응 접속되며, 상기 각각의 PMOS트랜지스터의 게이트 단자로 전압레벨 쉬프트회로의 출력신호가 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전압레벨 쉬프트회로는 전원전압 및 출력단자간에 다수의 PMOS트랜지스터가 직렬로 접속되고 상기 출력단자 및 접지간에 풀다운트래지스터인 NMOS트랜지스터가 접속되며 동작 저압레벨에 대응하는 전원전압의 크기에 따라 상기 전압레벨 쉬프트회로의 출력신호의 크기가 결정되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008342A KR960038986A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008342A KR960038986A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960038986A true KR960038986A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66552933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008342A KR960038986A (ko) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 반도체 메모리소자의 비트라인 풀업회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960038986A (ko) |
-
1995
- 1995-04-11 KR KR1019950008342A patent/KR960038986A/ko not_active Application Discontinuation
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