KR960032770A - 박막 반도체 집적 회로 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
한 개의 P 채널 박막 트랜지스터가 P 채널 박막 트랜지스터와 N 채널 박막트랜지스터로 이루어진 CMOS 회로에 첨가된다. 첨가된 P 채널 박막 트랜지스터의 전압 강하를 사용하여, 원래의 P 채널 박막 트랜지스터의 드레인 근처 전계의 세기는 약화될 수 있고, 누설전류를 줄여준다. 이는 전체 CMOS 회로의 소비전력의 억제를 가능케 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터(TFT)로 구성된 인버터 회로의 예를 도시한 도면.
Claims (7)
- 박막 반도체 집적 회로에 있어서, 최소한 한 개의 P 채널 박막 트랜지스터, 한 개의 신호 입력 단자 및 출력 신호를 출력하기 위한 한 개의 출력 단자를 갖는 제1박막 트랜지스터 회로와, 최소한 한 개의 N 채널 박막 트랜지스터, 상기 제1박막 트랜지스터 회로의 상기 신호 입력 단자와 입력 신호를 공유하는 신호 입력부 및 출력 신호를 출력하기 위한 한 개의 출력 단자를 갖는 제2박막 트랜지스터 회로를 포함하며, 최소한 한 개의 P 채널 박막 트랜지스터가 상기 제1 및 상기 제2박막 트랜지스터 회로의 출력 단자 사이에 삽입되고 접속되는 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2박막 트랜지스터 회로에 입력되는 입력 신호가 상기 제1 및 제2박막 트랜지스터 회로 사이에 삽입된 P 채널 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 입력되는 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 최소한 한 개의 N 채널 박막 트랜지스터에 부가하여, 항상 도통 상태가 되는 최소한 한 개의 P 채널 박막 트랜지스터가 상기 제2박막 트랜지스터 회로에 접속하는 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 최소한 한 개의 P 채널 박막 트랜지스터에 부가하여, 항상 도통 상태가 되는 최소한 한 개의 P 채널 박막 트랜지스터가 상기 제2박막 트랜지스터 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 활성층은 실리콘의 결정화를 촉진시키기 위한 촉매원소를 1×1015~5×1019atoms/㎤ 정도로 포함한 결정실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 촉매 원소는 Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu 및 Au의 그룹중 선택된 한개 혹은 복수의 원소인 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 결정 실리콘은 0.001~5원자%의 농도의 수소 또는 할로겐 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 반도체 집적 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04340995A JP3768260B2 (ja) | 1995-02-07 | 1995-02-07 | トランスファゲイト回路 |
| JP95-43409 | 1995-02-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960032770A true KR960032770A (ko) | 1996-09-17 |
| KR100306830B1 KR100306830B1 (ko) | 2001-12-17 |
Family
ID=12662952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960003280A KR100306830B1 (ko) | 1995-02-07 | 1996-02-07 | 박막반도체집적회로 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5912474A (ko) |
| JP (1) | JP3768260B2 (ko) |
| KR (1) | KR100306830B1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076135A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Texas Instr Japan Ltd | Ｍｏｓトランジスタ、インバータ、レシオ回路及びラッチ回路 |
| JP4744807B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP5030373B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2012-09-19 | 三菱重工業株式会社 | 半導体回路 |
| JP5312442B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2013-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、イメージセンサ及び撮影機器 |
| WO2016031014A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| KR102302275B1 (ko) * | 2015-02-28 | 2021-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0488801B1 (en) * | 1990-11-30 | 1998-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device |
| JPH04241466A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-28 | Casio Comput Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
| US5501989A (en) * | 1993-03-22 | 1996-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer |
-
1995
- 1995-02-07 JP JP04340995A patent/JP3768260B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-07 KR KR1019960003280A patent/KR100306830B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-11-07 US US08/967,295 patent/US5912474A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3768260B2 (ja) | 2006-04-19 |
| US5912474A (en) | 1999-06-15 |
| KR100306830B1 (ko) | 2001-12-17 |
| JPH08213477A (ja) | 1996-08-20 |
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|
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