KR960030365A - 고온용 폴리이미드 정전기 척 - Google Patents

고온용 폴리이미드 정전기 척 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고온 정전기 척의 구조물로 유용한 2가지 유형의 중합체 유전 시스템에 관한 것이다. 추가로, 공급원으로부터의 동력을 정전기 척 전도층으로부터의 전도성 익스텐션으로 전달하기 위한 고온 동력 커넥션에 관한 것이다.
제1중합체 유전 시스템은 기부의 기판 지지 플래튼에 접착시키기 위한 접착성이 요구되지 않은 폴리이미드 필름의 사용에 대해 제공된다. 자체-접착력 있는 폴리아미드 필름은 1개 내지 3개의 폴리이미드 재료 층으로 이루어지는데, 여기서 폴리이미드 재료로 된 1개 이상의 외부층은 접착 및/또는 캡슐화를 목적으로한 열가소성 재료이다. 필름이 2개 층으로 이루어진 경우, 1개 층은 약 350℃ 이상의 상승된 유리전이 온도를 갖는 비-열가소성 폴리이미드이다. 필름이 3개 층으로 이루어진 경우, 일반적으로 중간층은 비-열가소성 폴리이미드이고, 상부 및 하부층은 열가소성 폴리이미드이다. 열가소성 폴리이미드는 기판과의 결합을 위해(반도체 작업편을 지지하기 위해 사용된 전도성 플래튼의 표면과 같이) 기판과 접해서 위치되며, 열가소성 폴리이미드가 흘러서 기판과 결합되도록 하기 위해 열 및 압력이 가해진다.
제2중합체 유전 시스템은 기판에 접착된 폴리이미드-함유 필름을 제공하기 위해 기판에 대해 그 위치에서 경화되는 액체 폴리아민산 또는 변형된 폴리이미드 전구체의 사용을 목적으로 제공된다. 폴리아민산 또는 변형된 폴리이미드 전구체의 조성에 따라, 경화된 고체 폴리이미드 중에서 여러가지 결정화도가 달성될 수 있다.

Description

고온용 폴리이미드 정전기 척
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기부의 지지물(110)(예를 들면, 물리적 증기 침착에 유용한 여러가지 서셉터로서의 기능을 갖는 웨이퍼 지지 플래튼)과 지지물(110)의 표면에 부착된 정전기 척(112)을 포함하는 어셈블리(100)의 개략적인 측면도.

Claims (22)

  1. 정전기 척내에서 유전층으로서 작용하고, 175℃ 이상의 온도에서 지속적으로 작동되는 1개 이상의 폴리이미드-함유 필름을 포함하는 다층 정전기 척 수단.
  2. 제1항에 있어서, 기부의 기판에 접착된 1개 이상의 제1폴리이미드-함유 필름, 제1폴리이미드-함유 필름에 겹쳐지는 1개 이상의 전도층, 및 상기 전도층에 겹쳐지는 유전체 필름을 포함하고, 상기 제1폴리이미드-함유 필름이 175℃ 이상의 온도에서 지속적으로 작동됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전도층이 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속이 구리, 알루미늄, 크롬, 텅스텐, 니켈, 및 이것들의 혼합물로 이루어진 그룹으로터 선택됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  5. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 1개 이상의 폴리이미드-함유 필름의 두께가 1밀(25.4μ) 내지 3밀(76.2μ)의 범위내에 있음으로써 상기 정전기 축 수단을 통한 열전달이 개선됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전도층에 겹쳐지는 상기 유전체 필름이 175℃에서 지속적으로 작동되는 제2폴리이미드-함유 필름임을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전도층이 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  8. 제7항에 있어서, 상기 금속이 구리, 알루미늄, 크롬, 텅스텐, 니켈, 및 이것들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  9. 제6항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 1개 이상의 폴리이미드-함유 필름의 두께가 1밀(25.4μ) 내지 3밀(76.2μ)의 범위내에 있고, 상기 금속의 두께가 1,000Å 내지 3,000Å의 범위내에 있음으로써 상기 정전기 척 수단을 통한 열전달이 개선됨을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  10. 제1항, 2항, 3항, 4항, 6항, 7항 또는 8항에 있어서, 상기 정전기 척 수단이 200℃이상의 조작온도에서 지속됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  11. 제10항에 있어서, 정전기 척 수단이 400℃이상의 조작온도에서 지속됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  12. 제1항, 2항, 3항, 6항, 7항 또는 8항에 있어서, 상기 각각의 폴리이미드-함유 필름이 열 및 압력하에서 기부의 기판과 접착되는 열가소성 폴리이미드-함유 필름을 사용하여 형성됨을 특징으로 하는 다층정전기 척수단.
  13. 제12항에 있어서, 상기 정전기 척 수단이 200℃이상의 조작온도에서 지속됨을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  14. 제1항, 2항, 3항, 4항, 6항, 7항 또는 8항에 있어서, 상기 각각의 폴리이미드-함유 필름이 이것의 기부 기판에 적용되어 고체 폴리이미드-함유 필름을 제공하기 위해 그 위치에서 경화되는 액체 전구체를 사용하여 형성됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  15. 제14항에 있어서, 상기 정전기 척 수단이 200℃ 이상의 조작온도에서 지속됨을 특징으로 하는 정전기 척 수단.
  16. 제2항 또는 3항에 있어서, 1개 이상의 폴리이미드-함유 필름은 열 및 압력의 존재하에서 이것의 기부 기판에 접착되는 열가소성 폴리이미드-함유 필름을 사용하여 형성되고, 다른 폴리이미드-함유 필름은 이것의 기부 기판에 적용되어 고체 폴리이미드- 함유 필름을 제공하기 위해 그 위치에서 경화되는 액체 전구체를 사용하여 형성됨을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  17. 제16항에 있어서, 상기 정전기 축 수단이 200℃ 이상의 조작온도에서 지속됨을 특징으로 하는 다층 정전기 척 수단.
  18. 정전기 척을 동력 공급원에 전기적으로 연결시키기에 유용하고, 고온의 조작온도에서 지속될 수 있는 전기 커넥터로서, a) 동력 공급원에 전기적으로 연결되어 있고, 정전기 척에 전기적으로 맞물리는 전도성 코아; 및 b) 전도성 코아를 전기적으로 절연시키는 절연체를 포함하고, 상기 전도성 코아 및 절연체가 175℃이상의 조작온도에서 아무런 성능의 저하없이 지속될 수있는 재료로 구성됨을 특징으로 하는 전기 커넥터.
  19. 제18항에 있어서, 상기 커넥터가 고체 전도성 센터 컨텍트와 추가로 부착된 스프링에 부착된 전도성 컨텍트 버튼, 상기 고체 전도성 센터 컨텍트의 최소부분을 둘러싸고 있는 유전 절연체, 및 상기 유전 절연체를 경계짓는 전도성 클립을 포함하는 전도성 코아로 이루어짐을 특징으로 하는 전기 커넥터.
  20. 제19항에 있어서, 상기 구조물의 재료가 200℃이상의 조작온도에서 지속될 수 있음을 특징으로 하는 전기 커넥터.
  21. 제20항에 있어서, 상기 구조물의 재료가 400℃이상의 조작온도에서 지속될 수 있음을 특징으로 하는 전기 커넥터.
  22. 정전기 척내의 동력전달용 전기 커넥터로서, 관통공을 구비한 유전층의 표면에 전도층이 겹쳐져서 상기정전기 척의 전극을 발생시킴과 동시에, 전기 컨텍트와 기부의 전도성 컨텍트를 제공하는 공평면 피드스루 커넥션을 포함하는 전기 커넥터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960002236A 1995-01-31 1996-01-31 고온용 폴리이미드 정전기 척 KR960030365A (ko)

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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6278600B1 (en) * 1994-01-31 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance
US5822171A (en) 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
US5729423A (en) * 1994-01-31 1998-03-17 Applied Materials, Inc. Puncture resistant electrostatic chuck
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
US6099939A (en) * 1995-04-13 2000-08-08 International Business Machines Corporation Enhanced adhesion between a vapor deposited metal and an organic polymer surface exhibiting tailored morphology
JPH0955420A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Anelva Corp 静電吸着機構
EP0827187A3 (en) * 1996-08-26 2004-01-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck
US6184158B1 (en) * 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
US6117246A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
JPH10275752A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Ube Ind Ltd 張合わせウエハ−及びその製造方法、基板
USD406852S (en) * 1997-11-14 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved spacing mask and workpiece detection device
US5953200A (en) * 1998-02-05 1999-09-14 Vlsi Technology, Inc. Multiple pole electrostatic chuck with self healing mechanism for wafer clamping
EP0948042A1 (de) * 1998-03-06 1999-10-06 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen
US5905626A (en) * 1998-04-12 1999-05-18 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck with ceramic pole protection
US6104596A (en) * 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same
US6072685A (en) * 1998-05-22 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having an electrical connector with housing
US6159055A (en) * 1998-07-31 2000-12-12 Applied Materials, Inc. RF electrode contact assembly for a detachable electrostatic chuck
US6258228B1 (en) 1999-01-08 2001-07-10 Tokyo Electron Limited Wafer holder and clamping ring therefor for use in a deposition chamber
USD420023S (en) * 1999-01-09 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved spacing mask and workpiece detection device
US6094334A (en) * 1999-03-02 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Polymer chuck with heater and method of manufacture
US6268994B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck and method of manufacture
JP2001043961A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Keihin Sokki Kk 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法
JP2001126851A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Keihin Sokki Kk 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法
US6490144B1 (en) * 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
US6377437B1 (en) 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
KR20010066139A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 황인길 척을 가지고 있는 반도체 제조 장치
TW507312B (en) * 2000-02-04 2002-10-21 Philips Electron Optics Bv Particle-optical apparatus, and object carrier therefor
JP4753460B2 (ja) * 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6660665B2 (en) * 2002-05-01 2003-12-09 Japan Fine Ceramics Center Platen for electrostatic wafer clamping apparatus
CN100365795C (zh) * 2003-06-17 2008-01-30 创意科技股份有限公司 双极型静电卡盘
DE10332325A1 (de) * 2003-07-16 2005-02-03 Schaltbau Gmbh Druckkontakt-Steckverbinder
DE10332298B4 (de) * 2003-07-16 2018-09-27 Schaltbau Gmbh Wasserdichter Druckkontakt-Steckverbinder, Kontaktelement für einen wasserdichten Druckkontakt-Steckverbinder und Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements
TWI377224B (en) * 2004-07-27 2012-11-21 Kaneka Corp Polyimide film having high adhesiveness and production method therefor
KR20100017883A (ko) * 2004-09-24 2010-02-16 가부시키가이샤 가네카 높은 접착성을 갖는 폴리이미드 필름의 제조 방법
CN101098909B (zh) * 2005-01-18 2010-07-28 株式会社钟化 粘合性经改良的新的聚酰亚胺薄膜
US9520276B2 (en) * 2005-06-22 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Electrode assembly and plasma processing apparatus
KR101045149B1 (ko) 2005-08-04 2011-06-30 가부시키가이샤 가네카 금속 피복 폴리이미드 필름
US20070034957A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Wagner Richard J Electrostatic foot for non-permanent attachment
DE102006055618B4 (de) * 2006-11-24 2011-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mobiler elektrostatischer Trägerwafer mit elektrisch isoliertem Ladungsspeicher, Anordnung zur Halterung und Verfahren zum Halten und Lösen eines scheibenförmigen Bauteils
US9147588B2 (en) * 2007-03-09 2015-09-29 Tel Nexx, Inc. Substrate processing pallet with cooling
US7989022B2 (en) 2007-07-20 2011-08-02 Micron Technology, Inc. Methods of processing substrates, electrostatic carriers for retaining substrates for processing, and assemblies comprising electrostatic carriers having substrates electrostatically bonded thereto
US8043433B2 (en) * 2008-02-11 2011-10-25 Applied Materials, Inc. High efficiency electro-static chucks for semiconductor wafer processing
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US20090325340A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Mohd Aslami Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels
US8064185B2 (en) 2008-09-05 2011-11-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair
JP5731485B2 (ja) 2009-05-15 2015-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド ポリマー突起を有する静電チャック
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
CN102986017B (zh) 2010-05-28 2015-09-16 恩特格林斯公司 高表面电阻率静电吸盘
US20120154974A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Applied Materials, Inc. High efficiency electrostatic chuck assembly for semiconductor wafer processing
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
WO2013111363A1 (ja) * 2012-01-26 2013-08-01 京セラ株式会社 静電チャック
US9281226B2 (en) * 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
KR102127883B1 (ko) * 2012-11-02 2020-06-29 엔테그리스, 아이엔씨. 포토패터닝-가능 연성 돌기 접촉면을 갖는 정전 척
WO2014149182A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for electrostatic chuck repair and refurbishment
JP6358856B2 (ja) 2014-05-29 2018-07-18 東京エレクトロン株式会社 静電吸着装置及び冷却処理装置
US9868272B2 (en) * 2014-09-30 2018-01-16 Illinois Tool Works Inc. Card assembly and method of manufacturing the same
EP3262677A1 (en) 2015-02-23 2018-01-03 M Cubed Technologies Inc. Film electrode for electrostatic chuck
DE102015210736B3 (de) 2015-06-11 2016-10-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung mit folie zum elektrostatischen koppeln eines substrats mit einem substratträger
JP6226092B2 (ja) * 2016-03-14 2017-11-08 Toto株式会社 静電チャック
JP6784527B2 (ja) * 2016-07-12 2020-11-11 株式会社ディスコ 静電チャックテーブル、レーザー加工装置及び被加工物の加工方法
JP6238097B1 (ja) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 静電チャック
US11631574B2 (en) * 2017-11-24 2023-04-18 Tocalo Co., Ltd. Heater component
US11887878B2 (en) * 2019-06-28 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications
US20210035767A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Applied Materials, Inc. Methods for repairing a recess of a chamber component
US11587817B2 (en) * 2020-10-21 2023-02-21 Applied Materials, Inc. High temperature bipolar electrostatic chuck
CN117280437A (zh) * 2021-05-14 2023-12-22 应用材料公司 具有快速排热能力的高温基座
US12014906B2 (en) 2021-11-19 2024-06-18 Applied Materials, Inc. High temperature detachable very high frequency (VHF) electrostatic chuck (ESC) for PVD chamber
US12101920B2 (en) 2022-04-14 2024-09-24 Entegris, Inc. Conductive polymeric layers for charge dissipation

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157232A (ja) * 1984-01-27 1985-08-17 Toshiba Corp 静電チヤツク装置
US4733632A (en) * 1985-09-25 1988-03-29 Tokyo Electron Limited Wafer feeding apparatus
KR880004546A (ko) * 1986-09-12 1988-06-04 사이토 다이죠 온도를 제어할 수 있는 진공처리장치
JPH04186653A (ja) * 1990-11-17 1992-07-03 Toshiba Corp 静電チャック
US5280156A (en) * 1990-12-25 1994-01-18 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
JPH06326176A (ja) * 1993-05-12 1994-11-25 Tokyo Electron Ltd 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4252394A (en) * 1979-05-16 1981-02-24 Tecumseh Products Company Hermetic compressor motor terminal
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
GB2181057B (en) * 1985-10-23 1989-09-27 Blagoveshchensk G Med Inst Prosthetic valve holder
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
JPH0834205B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-29 株式会社東芝 ドライエツチング装置
US4724510A (en) * 1986-12-12 1988-02-09 Tegal Corporation Electrostatic wafer clamp
JPH0643629B2 (ja) * 1987-01-22 1994-06-08 日本真空技術株式会社 静電チャック部品の製造方法
US4846929A (en) * 1988-07-13 1989-07-11 Ibm Corporation Wet etching of thermally or chemically cured polyimide
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5255153A (en) * 1990-07-20 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith
US5221403A (en) * 1990-07-20 1993-06-22 Tokyo Electron Limited Support table for plate-like body and processing apparatus using the table
KR100188455B1 (ko) * 1991-05-20 1999-06-01 이노우에 아키라 드라이 에칭방법
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
JPH05166757A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の温調装置
US5348497A (en) * 1992-08-14 1994-09-20 Applied Materials, Inc. High voltage vaccum feed-through electrical connector
US5486975A (en) * 1994-01-31 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant electrostatic chuck
US5515167A (en) * 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
US5528451A (en) * 1994-11-02 1996-06-18 Applied Materials, Inc Erosion resistant electrostatic chuck

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157232A (ja) * 1984-01-27 1985-08-17 Toshiba Corp 静電チヤツク装置
US4733632A (en) * 1985-09-25 1988-03-29 Tokyo Electron Limited Wafer feeding apparatus
KR880004546A (ko) * 1986-09-12 1988-06-04 사이토 다이죠 온도를 제어할 수 있는 진공처리장치
JPH04186653A (ja) * 1990-11-17 1992-07-03 Toshiba Corp 静電チャック
US5280156A (en) * 1990-12-25 1994-01-18 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
JPH06326176A (ja) * 1993-05-12 1994-11-25 Tokyo Electron Ltd 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置

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