KR960030292A - 전계 방출 표시 소자의 제조 방법 - Google Patents
전계 방출 표시 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전계 방출 표시 장치(field emission display) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 평판 표시 장치(flat panel display), 초고주파 증폭기 센서, 전자 빔 응용 기기의 소스로 사용할 수 있는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자의 제조 방법은 분리층으로 금속층을 이용한 그레이징 각도 증착을 이용하지 않고, 폴리이미드를 이용하여 분리층을 형성하고, 그 상부에 금속 마스크를 형성하여 홀을 식각하여 바로 마이크로-팁을 형성함으로써, 마이크로-팁의 높이를 조정하기 용이하고, 폴리이미드 자체가 솔벤트에 쉽게 용해되는 관계로 식각 공정상의 오염의 문제가 해소되어 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제12도는 마이크로-팁 형성후의 수직 단면도, 제13도는 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자 완성 후의 수직 단면도이다.
Claims (10)
- 기판 상에 스트라이프 상의 음극들을 형성하는 단계; 상기 스트라이프 상의 음극들이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트 전극층을 증착하고 소정의 패턴으로 식각하여 상기 음극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 게이트 전극들을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극들이 형성된 상기 절연층 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계; 상기 폴리이미드층 상에 금속을 증착하는 단계; 상기 금속층을 소정 직경의 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 폴리이미드층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 게이트 전극층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 절연층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 홀들 내부에 전계 방출용 마이크로-팁들을 형성하는 단계; 상기 폴리이미드층을 리프트-오프시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 SiO2또는 Al2O3를 1㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트층은 Mo 또는 Cr을 3000~6000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 형성하는 단계는, 폴리이미드를 스핀 코팅하는 단계; 상기 코팅된 폴리이미드층을 소정의 온도로 프리 베이킹하여 경화시키는 단계; 및 상기 폴리이미드를 솔벤트에 스트립하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속을 증착하는 단계는 Al을 2000Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층을 식각하는 단계는 리액티브 이온 에칭법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 식각하는 단계는 O2플라즈마를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극을 식각하는 단계는 CF4/O2플라즈마 또는 CCl3F/O2로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층을 식각하는 단계는 CHF3/O2플라즈마로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드가 분할층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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