KR960030292A - 전계 방출 표시 소자의 제조 방법 - Google Patents

전계 방출 표시 소자의 제조 방법 Download PDF

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KR960030292A
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박남신
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윤종용
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    • H01J17/38Cold-cathode tubes
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
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Abstract

본 발명은 전계 방출 표시 장치(field emission display) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 평판 표시 장치(flat panel display), 초고주파 증폭기 센서, 전자 빔 응용 기기의 소스로 사용할 수 있는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자의 제조 방법은 분리층으로 금속층을 이용한 그레이징 각도 증착을 이용하지 않고, 폴리이미드를 이용하여 분리층을 형성하고, 그 상부에 금속 마스크를 형성하여 홀을 식각하여 바로 마이크로-팁을 형성함으로써, 마이크로-팁의 높이를 조정하기 용이하고, 폴리이미드 자체가 솔벤트에 쉽게 용해되는 관계로 식각 공정상의 오염의 문제가 해소되어 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

전계 방출 표시 소자의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제12도는 마이크로-팁 형성후의 수직 단면도, 제13도는 본 발명에 따른 전계 방출 표시 소자 완성 후의 수직 단면도이다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 스트라이프 상의 음극들을 형성하는 단계; 상기 스트라이프 상의 음극들이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트 전극층을 증착하고 소정의 패턴으로 식각하여 상기 음극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 게이트 전극들을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극들이 형성된 상기 절연층 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계; 상기 폴리이미드층 상에 금속을 증착하는 단계; 상기 금속층을 소정 직경의 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 폴리이미드층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 게이트 전극층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 절연층을 상기 홀들을 형성하기 위해 식각하는 단계; 상기 홀들 내부에 전계 방출용 마이크로-팁들을 형성하는 단계; 상기 폴리이미드층을 리프트-오프시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 SiO2또는 Al2O3를 1㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트층은 Mo 또는 Cr을 3000~6000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 형성하는 단계는, 폴리이미드를 스핀 코팅하는 단계; 상기 코팅된 폴리이미드층을 소정의 온도로 프리 베이킹하여 경화시키는 단계; 및 상기 폴리이미드를 솔벤트에 스트립하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속을 증착하는 단계는 Al을 2000Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속층을 식각하는 단계는 리액티브 이온 에칭법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 식각하는 단계는 O2플라즈마를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극을 식각하는 단계는 CF4/O2플라즈마 또는 CCl3F/O2로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 절연층을 식각하는 단계는 CHF3/O2플라즈마로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드가 분할층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100290142B1 (ko) * 1998-12-30 2001-06-01 구자홍 전계방출표시소자제조방법
KR100299428B1 (ko) * 1998-12-21 2001-09-06 김덕중 하프서브미크론이하의게이트홀을가진전계방출표시장치및그제조방법
KR100464299B1 (ko) * 1998-04-10 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 전계효과전자방출소자의제조방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0724280B1 (en) * 1995-01-30 2002-07-24 Nec Corporation Method of fabricating a field-emission cold cathode
KR100239688B1 (ko) * 1995-11-20 2000-01-15 김영환 필드 에미션 디스플레이(fed)의 마이크로팁 제조방법
JP3139375B2 (ja) * 1996-04-26 2001-02-26 日本電気株式会社 電界放射冷陰極の製造方法
US6153358A (en) * 1996-12-23 2000-11-28 Micorn Technology, Inc. Polyimide as a mask in vapor hydrogen fluoride etching and method of producing a micropoint
US6010383A (en) * 1997-10-31 2000-01-04 Candescent Technologies Corporation Protection of electron-emissive elements prior to removing excess emitter material during fabrication of electron-emitting device
KR100464298B1 (ko) * 1998-03-26 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 전계방출표시소자및그제조방법
US6165808A (en) * 1998-10-06 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Low temperature process for sharpening tapered silicon structures
US6387717B1 (en) 2000-04-26 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Field emission tips and methods for fabricating the same
US6448717B1 (en) * 2000-07-17 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatuses for providing uniform electron beams from field emission displays
FR2899572B1 (fr) * 2006-04-05 2008-09-05 Commissariat Energie Atomique Protection de cavites debouchant sur une face d'un element microstructure
US8260174B2 (en) 2008-06-30 2012-09-04 Xerox Corporation Micro-tip array as a charging device including a system of interconnected air flow channels
TWI521016B (zh) 2012-07-18 2016-02-11 財團法人工業技術研究院 蝕刻含聚亞醯胺之膜層的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206124A (ja) * 1990-11-28 1992-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子の製造方法
US5330606A (en) * 1990-12-14 1994-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma source for etching
US5209687A (en) * 1990-12-28 1993-05-11 Sony Corporation Flat panel display apparatus and a method of manufacturing thereof
JP3084497B2 (ja) * 1992-03-25 2000-09-04 東京エレクトロン株式会社 SiO2膜のエッチング方法
US5234846A (en) * 1992-04-30 1993-08-10 International Business Machines Corporation Method of making bipolar transistor with reduced topography
US5458520A (en) * 1994-12-13 1995-10-17 International Business Machines Corporation Method for producing planar field emission structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464299B1 (ko) * 1998-04-10 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 전계효과전자방출소자의제조방법
KR100299428B1 (ko) * 1998-12-21 2001-09-06 김덕중 하프서브미크론이하의게이트홀을가진전계방출표시장치및그제조방법
KR100290142B1 (ko) * 1998-12-30 2001-06-01 구자홍 전계방출표시소자제조방법

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JP3740190B2 (ja) 2006-02-01
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