KR960030232A - 저전력 발진기 - Google Patents

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KR960030232A
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패트릭 카와무라 제이.
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윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
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    • HELECTRICITY
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Abstract

발진기 회로(150)는 제2전압을 생성하기 위해서 제1전압에 응답하는 기준 회로(102)와 함께 설계된다. 제2전압에 응답하여 발진기(108)는 상기 제1전압의 크기보다 작은 크기를 가지는 제1출력 신호를 생성한다. 제1출력 신호에 응답하여, 레벨 변환기(114)는 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제2출력 신호를 생성한다. 발진기가 제1전압의 크기보다 작은 크기의 제1출력 신호를 생성하므로, 전력 손실은 제1전압에서의 발진기 동작에 따라 감소된다. 제1출력 신호의 크기는 레벨 변환기에 의해 소망하는 제2출력 신호 크기까지 증가한다.

Description

저전력 발진기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 도면, 제2도는 본 발명의 다른 실시예의 도면, 제3도는 본 발명의 다른 실시예의 도면.

Claims (35)

  1. 발진기 회로에 있어서, 제2전압을 생성하기 위해 제1전압에 응답하는 기준 회로; 상기 제1전압의 크기보다 작은 크기를 가지는 제1출력 신호를 생성하기 위해 상기 제2전압에 응답하는 발진기; 및 상기 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가진 제2출력 신호를 생성하기 위해 상기 제1출력 신호에 응답하는 레벨 변환기(translator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전압의 크기가 상기 제2출력 신호의 크기와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1출력 신호의 크기가 상기 제1전압의 크기의 1/2과 거의 동일한 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1출력 신호는 상보형 신호(complementary signal)들로 구성된 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  5. 발진기 회로에 있어서, 제2전압을 생성하기 위해 제1전압에 응답하는 기준 회로; 상기 제1전압의 크기보다 작은 크기를 가지는 제1출력 신호를 생성하기 위해 상기 제1 및 제2전압에 응답하는 발진기; 및 상기 제1출력신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제2출력 신호를 생성하기 위해 상기 제1출력 신호에 응답하는 레벨 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1전압의 크기가 상기 제2출력 신호의 크기와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1출력 신호의 크기가 상기 제1전압의 크기의 거의 1/2인 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1출력 신호는 상보형 신호들로 구성된 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  9. 발진기 회로에 있어서, 제1전압의 크기보다 작은 크기를 가지는 제1출력 신호를 생성하기 위해 상기 제1전압 및 제1전압에 응답하는 제1발진기; 제1전압의 크기보다 작은 크기를 가지는 제2출력 신호를 생성하기 위해 상기 제2전압 및 기준 전압에 응답하는 제2발진기; 상기 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제3출력 신호를 생성하기 위해 상기 제1출력 신호에 응답하는 제1레벨 변환기; 및 상기 제2출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제4출력 신호를 생성하기 위해 상기 제2출력 신호에 응답하는 제2레벨 변환기를 가지는 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1출력 신호의 크기는 상기 제1전압과 상기 제2전압 사이의 편차의 크기와 거의 동일하고, 상기 제2출력 신호의 크기는 상기 제2전압과 상기 기준 전압 사이의 크기와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제3출력 신호 및 상기 제4출력 신호의 크기는 상기 제1전압의 크기와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2출력 신호의 적어도 하나의 상보형 신호들로 구성된 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제2전압을 생성하기 위해 상기 제1전압에 응답하는 기준 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  14. 제9항에 있어서, 상기 제3출력 신호는 상기 제4출력 신호와 동상인 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  15. 제9항에 있어서, 상기 제3출력 신호는 상기 제4출력 신호에 대해서 위상 시프트되는 것을 특징으로 하는 발진기 회로.
  16. 반도체 소자의 전력 손실을 줄이기 위한 방법에 있어서, 제1전압으로 발진기 회로를 동작(powering)시키는 단계; 발진기 회로의 출력 단자에서 제1출력 신호를 생성하는 단계; 상기 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 상기 제2전압으로 레벨 변환 회로를 동작시키는 단계; 및 상기 제1출력 신호에 응답하여 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제2출력 신호를 레벨 변환 회로의 출력 단자에서 생성하는 단계등을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2전압으로 기준 회로를 동작시키는 단계; 및 기준 회로의 출력 단자에서 상기 제1전압을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1출력 신호의 크기는 상기 제1전압의 크기와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1출력 신호의 크기는 상기 제2출력 신호의 크기의 거의 1/2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  20. 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법에 있어서, 제1전압으로 발진기 회로를 동작시키는 단계; 발진기 회로의 출력 단자에서 제1출력 신호를 생성하는 단계; 상기 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 제2전압으로 레벨 변환 회로를 동작시키는 단계; 상기 제1출력 신호에 응답하여 상기 제1출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가지는 상기 제2출력 신호를 상기 레벨 변환 회로의 출력 단자에서 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제2전압으로 펌프 회로를 동작시키는 단계; 및 상기 제2출력 신호에 응답하여 상기 펌프 회로의 출력 단자에서 공급 전압을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제2전압으로 기준 회로를 동작시키는 단계; 및 기준 회로의 출력 단자에서 상기 제1전압을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  23. 제21항에 있어서, 공급 전압은 상기 제2전압에 대해서 네가티브(negative)인 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 공급 전압은 기판 전압인 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  25. 제24항에 있어서, 인에이블 신호의 제1상태에 응답하여 상기 제2출력 신호를 생성하며 상기 인에이블 신호의 제2상태에 응답하여 상기 제2출력 신호를 생성하지 않는 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  26. 제21항에 있어서, 공급 전압은 상기 제2전압에 대해서 포시티브(positive)인 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 공급 전압이 고전압인 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  28. 제27항에 있어서, 인에이블 신호의 제1상태에 응답하여 상기 제2출력 신호를 생성하고 상기 인에이블 신호의 제2상태에 응답하여 상기 제2출력 신호를 생성하지 않는 것을 특징으로 하는 집적 회로에 대한 공급 전압을 발생하기 위한 방법.
  29. 집적 회로의 전력 손실을 줄이는 방법에 있어서, 공급 전압 단자와 기준 단자 사이에 출력 단자를 가지는 다수의 발진기 회로를 직렬로 연결하는 단계; 상기 공급 전압과 기준 단자 사이에 제1전압을 인가하는 단계;상기 제1전압에 응답하여 상기 다수의 발진기 회로를 작동시키는 단계; 및 각 출력 단자에서 발진기 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  30. 제29항에 있어서, 제2전압으로 레벨 변환기 회로를 동작시키는 단계; 적어도 하나의 발진기 출력 신호에 응답하여 레벨 변환기 회로의 출력 단자에서, 적어도 하나의 발진기 출력 신호의 크기보다 큰 크기를 가진 변환된 출력 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 제2전압으로 펌프 회로를 동작시키는 단계; 변환된 출력 신호에 응답하여 펌프 회로의 출력 단자에서 공급 전압을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  32. 제31항에 있어서, 공급 전압이 기판 전압인 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  33. 제31항에 있어서, 공급 전압이 고 전압인 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  34. 제31항에 있어서, 인에이블 신호의 제1상태에 응답하는 변환된 출력 신호를 생성하고 상기 인에이블 신호의 제2상태에 응답하여 변환된 출력 신호를 생성하지 않는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
  35. 제31항에 있어서, 인에이블 신호의 제1상태에 응답하는 발진기 출력 신호를 생성하고 상기 인에이블 신호의 제2상태에 응답하는 발진기 출력 신호를 생성하지 않는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 전력 손실을 줄이기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6414556B1 (en) * 1995-09-06 2002-07-02 Nec Corporation Voltage controlled oscillator having an oscillation frequency variation minimized in comparison with a power supply voltage variation
CA2159762C (en) * 1995-10-03 2000-02-08 Hugh Chow Duty cycled control implemented within a frequency synthesizer
DE19634084A1 (de) * 1996-08-23 1998-02-26 Philips Patentverwaltung Phasenregelkreis
US5757242A (en) * 1996-12-09 1998-05-26 Industrial Technology Research Institute Low power consumption oscillators with output level shifters
US6137374A (en) * 1998-10-15 2000-10-24 Chrysler Corporation Low power clock oscillator
JP3902769B2 (ja) * 2003-08-29 2007-04-11 松下電器産業株式会社 降圧電圧出力回路
KR100804627B1 (ko) * 2005-08-26 2008-02-20 삼성전자주식회사 레벨 검출회로 및 방법과, 반도체 메모리 장치의 기판바이어스 전압 발생회로 및 방법
US7944266B2 (en) * 2005-09-29 2011-05-17 Qualcomm Incorporated Low-voltage down converter
US20080316081A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Favepc, Inc. Battery-free remote control device
US7847646B2 (en) * 2008-05-27 2010-12-07 Favepc, Inc. Carrier generator with LC network
US10826429B2 (en) * 2017-11-29 2020-11-03 Mediatek Inc. Compensation module, oscillation circuit, and associated compensation method capable of reducing sensitivity of output oscillation signal

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3916430A (en) * 1973-03-14 1975-10-28 Rca Corp System for eliminating substrate bias effect in field effect transistor circuits
JPS549544A (en) * 1977-06-24 1979-01-24 Citizen Watch Co Ltd Mutual complement type insulation gate type electric field effect transistor circuit
US4336466A (en) * 1980-06-30 1982-06-22 Inmos Corporation Substrate bias generator
JP2573266B2 (ja) * 1987-12-18 1997-01-22 株式会社東芝 発振回路
US4956618A (en) * 1989-04-07 1990-09-11 Vlsi Technology, Inc. Start-up circuit for low power MOS crystal oscillator
JP2557271B2 (ja) * 1990-04-06 1996-11-27 三菱電機株式会社 内部降圧電源電圧を有する半導体装置における基板電圧発生回路
US5113156A (en) * 1991-04-22 1992-05-12 Motorola, Inc. Low power crystal oscillator with automatic gain control
US5175512A (en) * 1992-02-28 1992-12-29 Avasem Corporation High speed, power supply independent CMOS voltage controlled ring oscillator with level shifting circuit
JPH08204450A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Nec Corp 半導体集積回路

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Publication number Publication date
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US5483205A (en) 1996-01-09
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JPH08288800A (ja) 1996-11-01
KR100478866B1 (ko) 2005-06-13
DE69617275T2 (de) 2003-05-22
EP0721250A2 (en) 1996-07-10

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