KR960029909A - 투영 리소그라피 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

투영 리소그라피 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 근접 효과에 의해 야기되는 방사선 감응제내로 도입되는 콘트라스트가 한번의 노출로 효과적으로 제거되는 투영 리소그라피의 방법 및 장치에 관한 것이다. 패턴화된 방사선은 적어도 하나의 렌즈 및 후방 촛점면 필터를 갖는 렌즈 시스템을 통해 전송된다. 후방 촛점면 필터는 적어도 두개의 개구, 이미지 개구 및 근접 효과 수정 개구를 갖는다. 패턴화된 방사선은 이미지 개구를 통해 전송되어 에너지 감응 절연도료제내에 원하는 이미지를 도입한다. 역패턴 방사선의 일부는 근접 효과 수정 개구를 통해 에너지 감응 절연도료제위로 전송되어 근접 효과에 의해 야기되어 에너지 감응 절연도료제내에 존재하는 콘트라스트를 효과적으로 제거한다.

Description

투영 리소그라피 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 패턴화된 방사선이 후방 촛점면 필터를 통과하는 투영 리소그라피에대한 프로세스를 개략적으로 도시한 도면.

Claims (10)

  1. 에너지 감응제(an energy-sensitive material)를 패턴화된 방사선에 노출시키는 단계로서, 상기 방사선은 방사원(a radiation source)으로부터의 방사선에 의해 마스크(a mask)를 조사함으로써 패턴화되고 상기 마스크는 이 마스크를 통해 전송된 상기 조사된 방사선을 그다지 산란시키지 않는 제1영역(a first region)과 이 마스크를 통해 전송된 상기 조사된 방사선을 상당히 산라시키는 제2영역(a second region)을 갖는, 상기 노출 단계와, 렌즈 시스템(a lens system)을 통해 상기 패턴화된 방사선을 상기 에너지 감응 절연도료제 위로 전송하는 단계로서, 상기 렌즈 시스템은 적어도 하나의 렌즈 및 후방 촛점면 또는 상기 렌즈 시스템내 렌즈의 몇몇 등가 접합면내에 위치된 후방 촛점면 필터를 갖되, 상기 후방 촛점면 필터는 이 필터를 통해 상기 그다지 산란되지 않은 방사선의 통과를 허용하는 제1개구 및 이 필터를 통해 상기 상당히 산란된 방사선의 일부가 통과될 수 있게 하는 적어도 하나의 다른 개구를 갖는, 상기 전송 단계를 포함하는 투영 리소그라피 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1개구를 통과하는 상기 그다지 산란되지 않은 방사선 및 상기 제2개구를 통과하는 상기 상당히 산란된 방사선이 상기 에너지 감응제 위로 동시에 전송되는 투영 리소그라피 장치 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 시스템은 두개의 렌즈, 즉 상기 마스크와 상기 후방 촛점면 사이에 개재된 제1렌즈 및 상기 후방 촛점면 필터와 상기 에너지 감응제 사이에 개재된 제2렌즈를 포함하는 투영 리소그라피 장치 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 방사선은 전자 빔 방사선인 투영 리소그라피 장치 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방사성은 전자기 방사선인 투영 리소그라피 장치 제조 방법.
  6. 적어도 하나의 렌즈 및 후방 촛점면 또는 렌즈 시스템내 렌즈의 몇몇 등가 접합면내에 위치된 후방 촛점면 필터를 포함하되, 상기 렌즈 시스템은, 상기 후방 촛점면 필터가 이 필터를 통해 방사원으로부터 그다지 산란되지 않은 방사선을 전송하기에 적합한 제1개구 및 이 필터를 통해 상기 방사원으로부터 상당히 산란된 방사선의 일부를 전송하기에 적합한 적어도 하나의 다른 개구를 갖는 시스템으로서, 상기 상당히 산란된 방사선 및 상기 그다지 산란되지 않은 방사선을 원하는 위치로 향하도록 하는 투영 리소그라피 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 방사원과 상기 렌즈 시스템 사이에 개재된 마스크(a mask)로서, 이 마스크를 통과하는 상기 방사선의 일부는 상당히 산란되고 일부는 그다지 산란되지 않는 상기 마스크를 더 포함하는 투영 리소그라피 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 후방 촛점면과 상기 상당히 산란된 방사선 및 상기 그다지 산란되지 않은 방사선이 향하는 상기 위치 사이에 개재된 제2렌즈(a second lens)를 더 포함하는 투영 리소그라피 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 방사선은 전자 빔 방사선인 투영 리소그라피 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 방사선은 전자가 방사선인 투영 리소그라피 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990088482A (ko) * 1998-05-22 1999-12-27 그로비치,보리스 아로노비치 리소그래픽패턴형성방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08297692A (ja) * 1994-09-16 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法
US6404499B1 (en) 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
US6051346A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating a lithographic mask
JP2000331633A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP3348779B2 (ja) 1999-06-23 2002-11-20 日本電気株式会社 パターン露光マスク、パターン露光方法及び装置、回路製造方法及びシステム、マスク製造方法
US6324933B1 (en) 1999-10-06 2001-12-04 Agere Systems Guardian Corp. Planar movable stage mechanism
NL1015155C2 (nl) * 2000-05-11 2001-11-13 Tno Elektronenstraallithografie.
US7012266B2 (en) 2002-08-23 2006-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. MEMS-based two-dimensional e-beam nano lithography device and method for making the same
US6858521B2 (en) * 2002-12-31 2005-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for fabricating spaced-apart nanostructures
US6987027B2 (en) 2002-08-23 2006-01-17 The Regents Of The University Of California Microscale vacuum tube device and method for making same
WO2005004196A2 (en) * 2002-08-23 2005-01-13 Sungho Jin Article comprising gated field emission structures with centralized nanowires and method for making the same
US6995911B2 (en) * 2003-06-26 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Micro-lenses and structures for increasing area coverage and controlling shape of micro-lenses
US20060057388A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Sungho Jin Aligned and open-ended nanotube structure and method for making the same
US20080020499A1 (en) * 2004-09-10 2008-01-24 Dong-Wook Kim Nanotube assembly including protective layer and method for making the same
US7868850B2 (en) * 2004-10-06 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Field emitter array with split gates and method for operating the same
JP5299937B2 (ja) * 2006-05-18 2013-09-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光近接効果を補正する方法
US7897008B2 (en) * 2006-10-27 2011-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for regional plasma control
US8387674B2 (en) 2007-11-30 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Comany, Ltd. Chip on wafer bonder
US8178280B2 (en) * 2010-02-05 2012-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4463265A (en) * 1982-06-17 1984-07-31 Hewlett-Packard Company Electron beam proximity effect correction by reverse field pattern exposure
US5130213A (en) * 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5258246A (en) * 1989-08-07 1993-11-02 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5079112A (en) * 1989-08-07 1992-01-07 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5532496A (en) * 1994-12-14 1996-07-02 International Business Machines Corporation Proximity effect compensation in scattering-mask lithographic projection systems and apparatus therefore

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990088482A (ko) * 1998-05-22 1999-12-27 그로비치,보리스 아로노비치 리소그래픽패턴형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
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JP3267499B2 (ja) 2002-03-18
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US5561008A (en) 1996-10-01
EP0725423A2 (en) 1996-08-07
DE69623361T2 (de) 2003-04-30
JPH08250414A (ja) 1996-09-27
US5701014A (en) 1997-12-23
EP0725423A3 (en) 1998-05-06
KR100465254B1 (ko) 2006-01-27
TW333621B (en) 1998-06-11
SG50410A1 (en) 1998-07-20

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