KR100465254B1 - 투영리소그래피장치및그제조방법 - Google Patents

투영리소그래피장치및그제조방법

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Abstract

본 발명은 근접 효과에 의해 방사선 감응재내에 도입되는 콘트라스트가 단 한번의 노출로 효과적으로 제거되는 투영 리소그래피의 방법 및 장치에 관한 것이다. 패턴화된 방사선은 적어도 하나의 렌즈와 후방 초점면 필터를 갖는 렌즈 시스템을 통해 전송된다. 후방 초점면 필터는 적어도 두개의 개구(aperture), 즉, 이미지 개구(image aperture)와 근접 효과 수정 개구(proximity effect correction aperture)를 갖는다. 패턴화된 방사선은 이미지 개구를 통해 전송되어, 에너지 감응성 레지스트 재료에 원하는 이미지를 만든다. 반전 패턴 방사선의 일부는 근접 효과 수정 개구를 통해 에너지 감응성 레지스트 재료에 전송됨으로써, 근접 효과에 의해 야기된 에너지 감응성 레지스트 재료내의 콘트라스트를 효과적으로 제거한다.

Description

투영 리소그래피 장치 및 그 제조 방법{A PROCESS FOR DEVICE FABRICATION USING PROJECTION LITHOGRAPHY AND AN APPARATUS THEREFOR}
본 발명은 패턴화된 마스크에 방사선(radiation)을 조사함으로써 패턴의 이미지가 에너지 감응재(energy sensitive material)위에 투영(projected)되는 디바이스 제조용 프로세스 및 장치에 관한 것이다. 이 때, 마스크를 통해 전송된 방사선은 후방 초점면 필터(back focal plane filter)를 통과하는데, 이 필터는 어느 정도의 산란(scatter)을 갖는 방사선이 통과하는 개구(aperture)를 갖는다. 후방 초점면 필터를 통과한 방사선은 에너지 감응재에 이미지를 형성한다.
후방 초점면 필터가 마스크와 에너지 감응재 사이에 위치된 렌즈 시스템에서 사용되는 투영 리소그래피(projection lithography) 방법은 본 명세서에 참조하고 있는 미합중국 특허 제 5,079,112 호에 개시되어 있다. 제 1 도에 예시된 바와 같이, 광선(ray)(10)으로 도시된 에너지는 산란 영역(scattering regions)(30)과 저 산란 영역(less scattering regions)(40)을 포함하는 마스크(mask)(20)상으로 향한다. 광선은 산란 영역(30)과 저 산란 영역(40) 모두를 통해 전송된다. 산란 영역은 결과적인 방사선의 산란각이 최대 산란각을 초과하는 영역이다. 저 산란 영역은 방사선의 산란각이 최대 산란각 미만인 영역이다. 저 산란 영역(40)을 통해 전송된 광선(11)은 거의 산란되지 않는다. 마스크(20)의 산란 영역(3)을 통해 전송된 광선(12)은 상당히 산란된다.
제 1 도에 도시된 단일 렌즈 시스템(single lens system)에 있어서, 광선(11 및 12)은 렌즈(50)를 통해 후방 초점면 필터(60)상으로 전송된다. 후방 초점면 필터에는 개구(70)가 마련되어 있다. 광선(11)은 개구(70)를 통해, 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료(energy-definable resist material)의 소정 부분위로 전송된다. 따라서 마스크(20)에 의해 규정되는 패턴의 이미지(70)가 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료에 만들어진다. 광선(12)은 임계 산란각(critical scattering angle)을 넘어서 산란되므로, 개구(70)를 통과하지 못하지만, 대신에 후방 초점면 필터(60)의 비개구부(non-apertured portion)(80)에 의해 흡수되거나 차단된다. 미합중국 특허 제 5,079,112 호에 상세히 설명되어 있는 바와 같이, 산란된 광선(12)은 후방 초점면 필터를 통해 선택적으로 전송되는데, 만약 후방 초점면 필터가 비산란 광선(unscattered rays)의 전송을 차단하면서, 이 후방 초점면 필터를 통해 산란된 광선의 전송이 가능하도록 위치된 개구를 갖는다면, 에너지 감응성 레지스트 재료에 네가티브 이미지(negative image)를 형성한다.
전술한 방법뿐만 아니라 투영 리소그래피와 관련한 다른 방법에 있어서, 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료의 원하는 영역상으로 전송된 방사선은 에니지로 규정 가능한 레지스트 재료와 그 하부 기판에서 랜덤하게 산란된다. 다음, 이렇게 산란된 방사선은 에너지로 규정 가능한 재료중에서 패턴화된 방사선에 노출시킬 의도가 없는 영역도 노출시키게 된다. 노출된 영역과 인접하는, 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료의 영역은 노출된 영역과 인접하지 않은, 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료의 영역보다 후방 산란된 방사선에 보다 더 노출된다. 이것은 에너지로 규정 가능한 레지스트 재료의 비노출 영역내에 원치 않는 콘트라스트(contrast)를 야기한다. 이러한 원치 않는 콘트라스트는 근접 효과(proximity effect)로 알려져 있으며 오웬, 지(Owen, G et al.)등의 "Proximity effect correction for electron beam lithograph by equalization of background dose," J.Appl. Phys.(54(6), pp.3573-3581(June 1983)에 기술되어 있으며, 본 명세서에 참고로 인용된다. 오웬 등은 근접 효과를 수정을 위해 수정 노출(correction exposure)을 이용할 것을 제안하고 있다. 수정 노출은 패턴의 반전 필드(reverse field)에 후방 산란된 방사선의 분포를 모방한다. 이러만 기법은 두가지 노출, 즉 패턴 노출 및 수정 노출을 필요로 한다. 제조 입장에서는 노출의 수를 제한하는 것이 바람직하기 때문에, 여러 번의 노출을 필요로 하지 않는 근접 효과 수정 방법이 요구된다.
본 발명은 투영 리소그래피에서 경험되는 근접 효과가 보상되어, 원하는 이미지가 단 한번의 단계로 에너지 감응성 레지스트 재료내에 형성되도록 하는 장치 및 프로세스를 제공한다. 본 발명의 프로세스 및 장치에 있어서, 전자빔(electron beams), 전자기(예를 들면, 가시광 또는 비가시광) 또는 기타 방사선 형태의 에너지가 마스크상에 입사된다. 마스크는 적어도 2개의 영역을 갖는데, 이들 영역중 적어도 한 영역은 마스크를 통해 전송되는 방사선을 거의 산란시키지 않으며, 이들 영역중 적어도 한 영역은 마스크를 통해 전송되는 전자빔 또는 기타 방사선을 상당히 산란시킨다. 본 명세서에는, "상당히 산란시킨다"는 것은 몇몇 후속 개구를 통과하는 방사선의 최대 산란각보다 더 큰 산란각을 가짐을 의미한다. 따라서, 거의 산란되지 않은(즉, 비산란된) 방사선은 몇몇의 후속 개구를 통과하도록 허용하는 최대 산란각 미만의 산란각을 갖는 방사선이다. 그러므로, 비산란된 방사선은 몇몇의 후속 개구를 통과하는 반면, 상당히 산란된 방사선은 후속 개구를 통과하지 못한다.
그러한 마스크를 통해 전송된 방사선은 그 마스크에 의해 패턴화된다. 다음, 패턴화된 방사선은 렌즈 시스템(lens system)을 통해 에너지 감응성 레지스트 재료에 전송되고, 이 레지스트 재료에 마스크 패턴의 이미지를 형성한다. 렌즈 시스템은 비산란된 방사선을 이미지 개구(image aperture)로 불리우는 개구를 통해 후방 초점면 필터에 집속하는 적어도 제 1 렌즈(first lens)를 구비한다. 후방 초점면 필터는 후방 초점면내에 위치되거나, 또는 렌즈 시스템내의 렌즈의 몇몇 등가 접합면내에 위치된다.
후발 초점면 필터는 또한 근접 효과 수정 개구(proximity effect correction aperture)로 불리우는 적어도 하나의 다른 개구를 구비하는데, 산란된 방사선의 일부가 이 개구를 통해 전송된다. 이 개구의 사이즈 및 배치는 근접 효과를 수정하도록 선택된다. 근접 효과 개구의 사이즈 및 배치는 후방 초점면 필터에 의해 흡수되는 방사선의 양(amount of radiation)과 근접 효과를 수정하기 위해 필요한 방사선의 선랑(dose of radiation)을 계산함으로써 결정된다. 이로부터, 근접 효과를 수정하는데 필요한 산란된 방사선의 양이 결정된다. 일단 근접 효과를 수정하는데 필요한 방사선의 양이 결정되면, 방사선이 에너지 감응성 레지스트 재료의 적절한 영역내로 도입되도록 개구가 배치된다. 적절한 영역이란, 근접 효과에 의해 야기되는 에너지 감응성 레지스트 재료내의 콘트라스트를 감소시키기 위해 방사선의 선량이 도입되어야 하는 영역이다. 이러만 방사선의 선량은 수정 노출(correction exposure)로 불리운다. 실질적으로, 수정 노출은 후방 초점면 필터를 통해 전송된 패턴의 반전 패턴으로 이루어지는데, 그 이유는 이것이 후방 초점면 필터에 의해 차단된 방사선이기 때문이다. 근접 효과 수정 개구를 통해 전송되는 반전 패턴 이미지 부분은 렌즈 시스템의 렌즈의 수차(aberration)에 의해 흐려진다. 근접 효과 수정 개구의 위치는, 수정 노출 방사선이 에너지 감응재의 적절한 부분을 향해 나아가도록 렌즈 시스템내의 렌즈의 수차와 관련지어 선택된다. 일단 근접 효과 수정 개구의 위치가 주어진 렌즈 시스템내에서 정해지면, 정해진 그 위치에서 이 렌즈 시스템에서 행해지는 모든 수정 노출과 관련하여 이용될 수 있다. 즉. 개구는 객개의 노출마다 배치될 필요가 없다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제 2 렌즈는 후방 초점면 필터와 에너지 감응재 사이에 개재된다. 이러한 제 2 렌즈는 근접 효과 수정 개구를 통해 전송된 비산란된 방사선을 에너지 감응성 레지스트 재료에 집속하여, 이 레지스트 재료에 마스크 패턴의 이미지를 형성한다. 이러한 제 2 렌즈내 수차는 근접 효과 수정 개구를 통해 전송된 산란된 방사선을 에너지 감응성 레지스트 재료면이 아닌 어떤 다른 면에 집속시킨다. 이에 의해, 후방 산란 방사선이 미치지 않는 에너지 감응성 레지스트 재료의 비노출 영역이 후방 산란 방사선의 선량과 거의 동등한 방사선 선량에 노출된다. 이와 관련하여, 원하는 수정 분포 선량을 에너지 감응재의 운반하기 위해, 산란기(scatterer)의 특성과 후방 초점면 필터내의 근접 효과 수정 개구(들)의 배치가 특정 렌즈의 수차를 고려하여 맞춰진다.
본 발명의 장치는, 마스크로부터 입사되는 비산란된 패턴화된 방사선을 집속하는 적어도 하나의 렌즈를 포함한다. 이 렌즈는 상기 방사선을 집속하여 후방 초점면 필터내의 이미지 개구를 통해 전송한다. 또한, 이 렌즈는 자신에게 입사되는 산란된 패턴화된 방사선을 전송하지만, 이 방사선이 후방 초점면 필터내 이미지 개구를 통과하지는 못하도록 한다. 또한, 후방 초점면 필터는 이미지 개구와 후방 초점면 필터의 에지 사이에 개재된 적어도 하나의 근접 효과 수정 개구를 구비한다. 후방 초점면 필터에 입사되는 산란된 방사선의 적어도 일부는 근접 효과 수정 개구를 통해 전송된다.
근접 효과 수정 개구의 사이즈 및 배치는 근접 효과로 인한 에너지 감응재내의 콘트라스트를 감소시키도록 선택된다. 개구의 사이즈 및 배치는, 렌즈 시스템의 렌즈들중 한 렌즈의 수차를 고려하여 이 개구가 비집속된 방사선을 에너지 감응성 레지스트 재료로 향하도록 해서 근접 효과를 수정하도록 선택된다.
투영 리소그래피를 이용하는 디바이스 제조용 프로세스에 있어서, 패턴의 이미지를 에너지 감응성 레지스트 재료내로 도입하기 위해 이용되는 방사선의 일부는 전형적으로 방사선에 노출되지 않도록 의도된 레지스터의 영역내로 산란된다. 이러한 방사선 "산란(scatter)"은 후방 산란 또는 회절 효과의 결과이다. 이것은 근접 효과로 알려져 있다.
이러한 근접 효과는 에너지 감응성 레지스트 재료를 노출시키기 위해 사용되는 방사선의 종류와 무관하게 투영 리소그래피내에서 어느 정도는 발생한다. 근접 효과는 노출 방사선이 가시광 또는 비가시광같은 전자기 방사선인 광 리소그래피뿐만 아니라, 전자빔 및 이온빔 리소그래피에서도 발생한다. 제 2 도에 방사선 선량 프로파일로 예시된 것처럼(에너지 감응재로 도입되는 방사선이 위치의 함수로 예시됨), 전자빔 투영 리소그래피와 관련한 근접 효과는 노출된 영역과 인접하는 에너지 감응성 레지스트 재료의 영역들이 방사선 선량에 노출되도록 한다. 제 2 도에 있어서, 노출된 영역은 피크(96)로 표시되며, 노출된 영역(95)과 인접한 에너지 감응성 레지스트 재료의 영역은 피크(96)와 인접한 영역이다. 이것은 마이크로전자회로 제조시 양호하지 못한 배선 치수 제어(feature dimension control)를 초래하는데, 그 이유는 노출된 레지스트 영역에 인접하는 비노출된 에너지 감응성 레지스트 재료와 노출된 에너지 감응성 레지스트 재료 영역으로부터 더 멀리 떨어여 있는 비노출 에너지 감응성 레지스트 재료 사이에서 콘트라스트를 야기하기 때문이다. 이러한 콘트라스트는 이미지로부터 현상되는 배선에 상당한 에러를 야기할 수 있다. 결과적으로 디바이스는 허용 가능한 제조 공차의 범위를 넘어설 수도 있다.
근접 효과에 의해 야기되는 에너지 감응재의 비노출 영역에서의 콘트라스트를 보상하기 위해, 패턴화된 방사선의 비집속된 선량이 에너지 감응재내로 도입된다. 이러한 수정 노출의 선량 프로파일(dosage profile)이 제 3 도에 예시되어 있다. 제 2 도와 제 3 도를 비교해 보면, 제 3 도의 수정 노출이 제 2 도에 도시된 노출의 대략적인 반전 패턴이라는 것을 관측할 것이다. 제 4 도에 예시된 바와 같이, 이러한 수정 노출은 후방산란에 의해 야기되는 레지스트의 비노출 영역의 콘트라스트를 효과적으로 제거한다. 본 영세서에서 "효과적으로 제거한다"는 것은, 근접 효과의 결과인 에너지 감응성 레지스트 재료내의 콘트라스트 중 잔류하는 콘트라스트가 얼마간 존재하더라도 이것이 수용 불가능한 리소그래픽 결과를 초래하지는 않을 정도임을 의미한다. 수용 불가능한 리소그래픽 결과란, 제조된 장치가 그 의도된 목적에 부적합하게 되는 것이다. 예를 들면, 이미지로부터 현상된 배선이 허용 가능한 설계 제한치(tolerable design limits)내에 있지 않을 때, 수용 불가능한 리소그래픽 결과가 발생한다. 오늘날의 이러한 설계 제한치는 최소 라인폭의 ±10%이다.
본 발명의 프로세스 및 장치에 있어서, 패턴화된 방사선은 후방 초점면 필터내 개구를 통해 전송된다. 근접 효과 수정 노출 역시 후방 초점면 필터내의 적어도 하나의 개구를 통해 전송된다. 결과적으로, 주 노출(primary exposure) 및 근접 효과 노출(proximity effect exposure)은 단 한번의 단계로 달성될 수 있다. 이것은, 마스크로부터의 반전 패턴 정보가 렌즈 시스템내에서 손실되지 않고, 후방 초점면 필터에 의해 단순하게 전송되지 않기 때문이다. 적어도 하나의 추가적인 개구가 후방 초점면 필터내에 형성되고, 이 개구가 적절한 사이즈 및 위치를 가질 경우, 충분한 반전 패턴 정보가 후방 초점면 필터를 통해 전송되어, 근접 효과에 의해 야기되는 레지스트내의 비노출 영역의 콘트라스트를 효과적으로 제거한다.
제 5 도에는 본 발명의 일 실시예가 도시되어 있다. 전자빔 방사선(100)과 같은 방사선이 마스크(110)에 입사된다. 마스크는 입사 방사선(100)에 대해 투명(transparent)한 제 1 영역(120)과, 자신을 통해 전송되는 입사 방사선을 산란시키는 제 2 영역을 갖는다. 본 명세서에서 사용되는 "산란(scattering)"의 의미는, 물질을 통해 전송되는 방사선의 전송 방향의 각도가 변하는 것을 말한다. 설명을 쉽게 하기 위해, 본 명세서에서는 "산란(scattered)" 및 "비산란(unscattered)" 방사선으로 언급한다. 원칙적으로, 마스크의 투명 영역(transparent region)을 통해 전송되는 방사선은 어느 정도 산란된다. 그러나, 그 산란각은 마스크의 다른 영역을 통해 전송되는 방사선의 경우보다 마스크의 투명 영역을 통해 전송되는 방사선의 경우에 훨씬 작다. 따라서, "산란" 및 "비산란"이라는 용어의 사용은 상대적인 것으로, 즉, "비산란"이라는 용어는, 방사선이 마스크의 특정한 개구 다운스트림(particular aperture downstream)을 선택적으로 통과할 수 있을 정도로 매우 작은 산란각을 암시하며, '산란"이라는 용어는, 방사선이 비산란 방사선과 동일한 다운스트림 개구를 통과하지 못할 정도로 매우 큰 산란각을 의미한다. 마스크에 의해 산란된 방사선 빔은 빔(101)으로 표시되고, 산란되지 않은 방사선 빔은 빔(102)으로 표시된다.
마스크(130)를 통해 전송되는 모든 방사선은 제 1 렌즈(140)에 입사된다. 비산란 광은 렌즈를 통해 전송되어, 후방 초점면 필터(160)내의 이미지 개구(150)를 통과하도록 향한다. 후방 초점면 필터는 또한 근접 효과 수정 개구(170)를 갖는다. 제 1 렌즈(40)를 통해 전송된 산란된 방사선(101)의 일부는 근접 효과 수정 개구를 통과한다. 산란된 방사선의 비전송 부분(예시되지 않음)은 후방 초점면 필터에 의해 흡수된다. 이미지 개구(150)와 근접 효과 수정 개구(170)를 통과한 방사선은 제 2 렌즈(180)에 입사된다. 제 2 렌즈는 비산란된 방사선(102)을 웨이퍼(wafer)(190)상에 형성된 에너지 감응재(185)로 향하도록 한다. 비산란된 방사선은 에너지 감응재(185)내에 마스크(130)의 이미지를 형성한다. 제 2 렌즈(180)는 자신에게 입사된 산란된 방사선(101)을 에너지 감응재(185)의 표면이 아닌 다른 표면(200)에 집속시키는 수차를 갖는다.
당업자라면 렌즈에는 수차가 존재한다는 것을 인식할 것이다. 이러한 현상은 본. 엠(Born. M)의 Principles of Optics:Electromagnetic Theory of Propagation, Interface and Diffraction of Light(6th ed. 1980)에 설명되어 있다. 이들 수차는 렌즈를 통해 전송되는 방사선의 일부가 렌즈에 의해 산란되도록 만든다. 이러한 방사선이 산란되는 위치는 렌즈마다 다르다. 따라서, 후방 초점면내의 근접 효과 수정 개구의 배치는 사용되는 특정 렌즈의 수차에 따라 좌우된다. 산란된 방사선(101)은 에너지 감응재(185)에 도달할 때 흐려진다. 따라서, 산란된 방사선은 후방 산란 처리되지 않은 에너지 감응재(185)의 영역을 후방산란 선량과 동등한 방사선 선량에 노출시킴으로써, 에너지 감응재에 입사하는 비산란된 방사선(102)의 후방 산란 효과를 보상한다.
전술한 논의에 기초하여, 당업자라면 에너지 감응성 레지스트 재료에 도입되는 이미지의 반전 패턴이 후방 초점면 필터에 의해 차단(실제로 흡수)된다는 것을 이해할 것이다. 후방 초점면 필터내의 근접 효과 수정 개구를 통해 그러한 반전 패턴 정보의 일부를 전송함으로써. 근접 효과에 의해 야기되는 에너지 감응성 레지스트 재료의 콘트라스트가 효과적으로 제거된다. 전술한 바와 같이, 근접 효과 수정 개구의 사이즈 및 배치는 경험적으로 선택되는데, 즉, 개구의 사이즈와 배치는 원하는 효과가 관측될 때까지 조작된다. 그러나, 당업자라면, 예컨데 오웬 등이 특허에 설명된 모델링 기법을 또한 활용할 수 있을 것이다. 오웬 등이 제시한 기법을 활용하기 위해서는 후방 초점면 필터내의 에너지 분포를 우선적으로 결정하여야 한다. 전자 빔 투영 리소그래피에 있어서, 이러한 분포는 본 원에서 참조하고 있는 히르쉬, 피.비(Hirsch,P.B) 등의 "Electron Microscopy of Thin Crystals,(Butterworth, Pub.1965)"에 설명되어 있는 기법을 이용해 계산된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 본 발명의 장치는 전술한 2개의 렌즈 대신에 하나의 렌즈를 갖는다. 이 실시예는 제 6 도에 도시되어 있다. 이 실시예에서, 근접 효과 수정 개구(270)의 배치는, 마스크(210)와 후방 초점면 필터(260) 사이의 렌즈(240)의 수차도 고려하여, 근접 효과에 의해 야기되는 콘트라스트를 효과적으로 제거하도록 수정 노출이 에너지 감응성 레지스트 재료(285)의 적절한 부분내에 도입될 수 있게 된다.
제 1 도는 패턴화된 방사선이 후방 초점면 필터를 통과하는 투영 리소그래피에 대한 프로세스를 개략적으로 도시한 도면,
제 2 도는 투영 리소그래피를 이용하여 방사선에 패턴대로 노출되는 에너지 감응성 레지스트 재료의 방사선선 선량 프로파일을 예시한 도면,
제 3 도는 근접 효과를 보상하도록 의도된 제 2 도에 도시된 이미지의 반전노출과 관련한 방사선선 선량 프로파일을 예시한 도면,
제 4 도는 제 2 도와 제 3 도의 선량 프로파일을 조합한 선량 프로파일을 도시한 도면,
제 5 도는 본 발명의 2-렌즈 실시예를 개략적으로 예시한 도면,
제 6 도는 본 발명의 1-렌즈 실시예를 개략적으로 예시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 마스크 50 : 렌즈
60 : 후방 초점면 필터 80 : 비개구부

Claims (10)

  1. 투영 리소그래피 장치 제조 방법에 있어서,
    에너지 감응재(an energy-sensitive material)를 패턴화된 방사선- 상기 패턴화된 방사선은 방사선원(a radiation source)으로부터의 방사선을 마스크(a mask)에 조사함으로써 패턴화된 것으로, 이 때 상기 마스크는, 상기 조사된 방사선이 자신을 통해 전송될 때 거의 산란시키지 않는 제 1 영역(a first region)과, 상기 조사된 방사선이 자신을 통해 전송될 때 상당히 산란시키는 제 2 영역(a second region)을 구비함- 에 노출시키는 단계와,
    상기 패턴화된 방사선을 렌즈 시스템(a lens system)- 상기 렌즈 시스템은 적어도 하나의 렌즈와, 후방 초점면(back focal plane) 또는 상기 렌즈 시스템내의 렌즈의 몇몇 등가 접합면내에 위치된 후방 초점면 필터(back focal plane filter)를 구비하는데, 상기 후방 초점면 필터는 거의 산란되지 않은 방사선을 통과시키는 제 1 개구(aperture)와, 상당히 산란된 방사선의 일부를 통과시키는 적어도 하나의 다른 개구를 구비함- 을 통해 상기 에너지 감응성 레지스트 재료로 전송하는 단계를 포함하는 투영 리소그래피 장치 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 개구를 통과하는 상기 거의 산란되지 않은 방사선과, 상기 제 2 개구를 통과하는 상기 상당히 산란된 방사선은 상기 에너지 감응재상에 동시에 전송되는 투영 리소그래피 장치 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 시스템은 두개의 렌즈, 즉 상기 마스크와 상기 후방 초점면 사이에 개재(interposed)된 제 1 렌즈와, 상기 후방 초점면 필터와 상기 에너지 감응재 사이에 개재된 제 2 렌즈를 포함하는 투영 리소그래피 장치 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선은 전자 빔 방사선(electron beam radiation)인 투영 리소그래피 장치 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선은 전자기 방사선(electromagnetic radiation)인 투영 리소그래피 장치 제조 방법.
  6. 투영 리소그래피 장치에 있어서,
    적어도 하나의 렌즈와 후방 초점면 필터(back focal plane filter)를 포함하는 렌즈 시스템을 포함하되, 상기 후방 초점면 필터는 후방 초점면 또는 상기 렌즈 시스템내의 렌즈의 몇몇 등가 접합면내에 위치되어, 방사원으로부터 거의 산란되지 않은 방사선이 관통하여 전송되도록 되어 있는 제 1 개구와, 상기 방사원으로부터 상당히 산란된 방사선의 일부가 관동하여 전송되도록 되어 있는 적어도 하나의 다른 개구를 구비함으로써, 상기 렌즈 시스템이 상기 상당히 산란된 방사선과 상기 거의 산란되지 않은 방사선을 원하는 위치로 향하게 하는 투영 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사선원과 상기 렌즈 시스템 사이에 개재된 마스크(a mask)- 상기 마스크는 자신을 통과하는 상기 방사선의 일부는 상당히 산란시키고 일부는 거의 산란시키지 않음- 를 더 포함하는 투명 리소그래피 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 후방 초점면과, 상기 상당히 산란된 방사선과 상기 거의 산란되지 않은 방사선이 향하는 상기 위치 사이에 개재된 제 2 렌즈(a second lens)를 더 포함하는 투영 리소그래피 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사선은 전자 빔 방사선(electron beam radiation)인 투영 리소그래피 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사선은 전자기 방사선(electromagnetic radiation)인 투영 리소그래피 장치.
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