KR960027335A - 누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치 - Google Patents

누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치에 관한 것으로서, VDD와 출력노드 사이에 토템폴 결합된 제1PMOSFET와 제1NMOSFET을 가진 제1노드 바이어스회로, 출력노드와 VSS 사이에 토템 폴 결합된 제2PMOSFET와 제2NMOSFET을 가진 제2노드 바이어스회로를 포함하고, 상기 제1PMOSFET이 데이터 입력신호를 수신하는 동시에 상기 제1NMOSFET이 클럭신호를 수신하여 이 신호에 따라 출력노드를 충전전압을 가지는 충전상태로 충전하고, 제2상기 제2NMOSFET 이 입력 데이타신호를 수신하는 동시에 상기 제2PMOSFET이 역 클럭신호를 수신하여 이 신호에 따라 출력노드를 방전전압을 가지는 방전상태로 방전하며, 클럭신호의 비활성상태 동안 상기 제1NMOSFET에는 출력노드 방전전압에 의해 역방향 바이어스가 인가되고, 역 클럭신호의 비활성상태 동안 제2PMOSFET에는 출력노드 충전전압에 의해 역방향 바이어스가 걸리고, 이에 따라 출력노드로의 또는 출력노드로부터의 전하누설을 감소시키는 것을 특징으로 한다.

Description

누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치의 개략도, 제3A도는 감소된 MOSFET 임계전압으로 감소 전원에서 동작하는 제3도에 도시된 회로의 클럭에 대한 전압의 변화, 입력 및 신호, 제4도는 제3도에 도시된 회로에 출력레벨 복원회로가 부가된 회로의 개략도, 제4A도는 제4도에 도시된 회로의 클럭에 대한 전압의 변화, 입력 및 출력신호, 제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 누설전하를 감소시킨 동적, 클럭 인버터 래치의 기능 블럭과 개략도.

Claims (25)

  1. 제1전압 레벨에서 동작하는 제1공급노드; 제2전압 레벨에서 동작하는 제2공급로드; 신호노드; 제1데이터신호와 제1활성/비활성 클럭상태를 가진 제1클럭신호를 수신하고 이 신호들에 응답하여 상기 신호노드를 상기 제1활성 클럭상태 동안 상기 제1전압레벨에서 상기 제1공급노드에 결합하는, 상기 신호노드와 상기 제1공급노드 사이에 결합된 제1회로; 및 상기 제1클럭신호가 상기 제1활성 클럭상태로부터 상기 제1비활성 클럭상태로 전이할 때 상기 신호노드에서 상기 제1전압레벨을 유지하는, 상기 신호노드와 상기 제2공급노드 사이에 결합된 제2회로를 포함하는 동적 논리회로를 포함하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2회로가 제2데이터신호와 제2활성/비활성 클럭상태를 가진 제2클럭신호를 수신하고, 이 신호들에 응답하여 상기 제2활성클럭상태 동안 상기 제2전압레벨에서 상기 신호노드를 상기 제2공급노드에 결합하고, 상기 제2클럭신호가 상기 제2활성 클럭상태로부터 상기 제2비활성 클럭상태로 전이할 때 상기 제1회로가 상기 신호노드에 상기 제2전압레벨을 유지하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1회로 및 제2회로가 함께 AND, OR, NAND, NOR, EXCLUSIVE-OR 및 EXCLUSIVE-NOR의 논리함수중 하나를 구현하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1회로가 상기 신호노드와 상기 제1공급노드 사이에 드레인단자 및 소스단자를가지는 PMOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 PMOSFET이 상기 제1데이터신호를 수신하는 게이트단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2회로가 상기 신호노드가 상기 제1전압레벨이고, 상기 제1클럭신호가 상기 제1활성 클럭상태로부터 상기 제1비활성 클럭상태로 전이할때, 바이어스를 제거한 PMOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 PMOSFET이 상기 신호노드와 상기 제2공급노드 사이에 결합된 드레인단자와 소스단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 PMOSFET이 상기 제1클럭신호를 수신하는 게이트단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 제1회로가 상기 신호노드와 상기 제1공급노드 사이에 결합된 드레인 단자와 소스단자를 가진 NMOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 NMOSFET이 상기 제1데이터신호를 수신하는 게이트단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 신호노드가 상기 제1전압레벨이고, 상기 제1클럭신호가 상기 제1활성 클럭상태로부터 상기 제1비활성 클럭상태로 전이할 때, 상기 제2회로가 바이어스가 제거된 NMOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 NMOSFET이 상기 신호노드와 상기 제2공급노드 사이에 결합된 드레인단자와 소스단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 NMOSFET이 상기 제1클럭신호의 보수를 수신하는 게이트단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1회로 및 제2회로가 3.5V 이하의 전원전압에서 동작하기 위해 복수개의 MOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 동적 논리회로가 집접된 집적회로를 더 포함하는 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 동적 논리회로가 결합된 컴퓨터를 더 포함하는 장치.
  17. 제1전압레벨에서 동작하는 제1공급노드를 제공하는 단계; 제2전압레벨에서 동작하는 제2공급노드를 제공하는 단계; 신호노드를 제공하는 단계; 상기 제1데이터 신호와 제1활성/비활성 클럭상태를 가진 제1클럭신호를 수신하고, 이 신호들에 응답하여 상기 제1활성 클럭상태동안 상기 제1전압레벨에서 상기 신호노드를 상기 제1공급노드에 연결하는 상기 신호노드와 상기 제1공급노드에 결합된 제1회로를 제공하는 단계; 및 상기 제1클럭신호가 상기 제1활성 클럭상태로부터 상기 제1비활성 클럭상태로 전이할 때 상기 신호노드에 상기 제1전압레벨을 유지하는, 상기 신호노드와 상기 제2공급노드 사이에 결합된 제2회로를 제공하는 단계를 포함하는, 동적 논리회로를 포함하는 장치를 제공하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2회로가 제2데이터신호가 제2활성/비활성 클럭상태를 가진 제2클럭신호를 수신하고, 이 신호들에 응답하여 상기 제2활성 클럭상태 동안 상기 제2전압레벨에서 상기 신호노드를 상기 제2공급노드에 결합하고, 상기 제2클럭신호가 상기 제2활성 클럭상태로부터 상기 제2비활성 클럭상태로 전이할 때 상기 제1회로가 상기 신호노드에 상기 제2전압레벨을 유지하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 동적 논리회로가 집적되어 있는 집적회로를 제공하는 단계를 더 포함하는 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 동적 논리회로가 집적되어 있는 컴퓨터를 제공하는 단계를 더 포함하는 방법.
  21. 제1공급노드를 제1전압레벨로 동작하는 단계; 제2공급노드를 제2전압레벨로 동작하는 단계; 제1데이터 신호와 제1활성/비활성 클럭상태를 가진 제1클럭신호를 수신하고, 이 신호들에 응답하여 상기 제1공급노드와 제2공급노드 사이에 있는 신호노드를 상기 제1활성 클럭상태 동안 상기 제1전압레벨로 상기 제1공급노드에 연결하는 단계; 및 상기 제1클럭신호가 상기 제1활성 클럭상태로부터 상기 제1비활성 클럭상태로 전이할 때 상기 신호노드에 상기 제1전압레벨을 유지하는 단계를 포함하는, 논리신호를 동적으로 처리하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 제2데이터 신호와 제2활성/비활성 클럭상태를 가진 클럭신호를 수신하고, 이 신호들에 응답하여 상기 제2활성 클럭상태 동안 상기 제2전압레벨에서 상기 신호노드를 상기 제2공급노드에 연결하는 단계; 및 상기 제2클럭신호가 상기 제2활성 클럭상태로부터 상기 제2활성 클럭상태로 전이할 때 상기 신호노드에 상기 제2전압레벨을 유지하는 단계를 더 포함하는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 집적회로내에서 각 단계를 실행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제21항에 있어서, 컴퓨터내에서 각 단계를 실행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  25. 3.5V 이하의 전원전압으로 동작하는 복수개의 저전력 M0S를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 논리회로를 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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