KR960026094A - 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법 - Google Patents
반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법에 관한 것으로, 특히 정렬도 확인 작업을 용이하게 하고, 미스 정렬을 방지함으로써 마스크 패턴의 정렬도 향상으로 인한 소자의 전기적 특성 및 신뢰성 향상을 도모할 수 있도록 한 것인 바, 이러한 본 발명은 패턴 정렬이 기준이 되는 서브 레이어에 정렬된 마진폭을 갖는 정렬기준마크를 형성하고, 마스크 패턴의 스크라이브 라인에 상기 정렬기준마크에 대응하는 정렬마크를 형성하여, 상기 두 마크의 중첩 정도로 포토 마스크의 정렬도를 확인하는 것을 특징으로 하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명 포토 마스크 정렬도 확인방법을 위한 요부구성을 보인 도면으로써, 제1도는 패턴 정렬의 기준이 되는 서브 레이어와 포토 마스크를 중첩한 상태의 평면도이고, 제2도는 서브 레이어에 형성되는 정렬기준마크의 상세도이며, 제3도는 포토 마스크에 형성되는 정렬마크의 상세도이다.
Claims (5)
- 패턴 정렬의 기준이 되는 서브 레이어에 정렬의 마진 폭을 갖는 정렬 기준마크를 형성하고, 마스크 패턴의 스크라이브 라인에 상기 정렬기준마크에 대응하는 정렬마크를 형성하여, 상기 두 마크의 중첩 정도를 포토마스크의 정렬도를 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법.
- 제1항에 있어서, 서브 레이어의 정렬기준마크 안에 포토 마스크의 정렬마크 패턴이 위치하면 정확도 정렬도, 정렬기준마크와 정렬마크의 패턴이 X축 및 Y축 방향으로 중첩되며 미스 정렬로 판단, 정렬도를 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정렬기준마크와 정렬마크를 십(+)자 형태로 하여 X축 및 Y축 방향의 변위 뿐만 아니라 회전 변위에 의한 미스 정렬도도 확인할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정렬기준마크와 정렬마크가 서브 레이어와 마스크 패턴의 스크라이브라인의 정중앙에 그 위치를 같이하여 형성된 것을 사용하는 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법.
- 제3항에 있어서, 상기 정렬기준마크와 정렬마크가 서브 레이어와 마스크 패턴의 스크라이브 라인의 정중앙에 그 위치를 같이하여 형성된 것을 사용하는 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037779A KR960026094A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037779A KR960026094A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026094A true KR960026094A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037779A KR960026094A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 패턴 형성을 위한 포토 마스크의 정렬도 확인방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026094A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419054B1 (ko) * | 1996-10-25 | 2004-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의제조방법 |
| KR100490277B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2005-08-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 얼라인먼트에러측정방법및얼라인먼트에러측정패턴 |
-
1994
- 1994-12-28 KR KR1019940037779A patent/KR960026094A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490277B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2005-08-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 얼라인먼트에러측정방법및얼라인먼트에러측정패턴 |
| KR100419054B1 (ko) * | 1996-10-25 | 2004-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의제조방법 |
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