KR960014311B1 - 구동회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

구동회로

제1도는 이 발명의 실시예 1를 표시하는 회로도이다.

제2도는 이 발명의 실시예 2를 표시하는 회로도이다.

제3도는 이 발명의 실시예 3를 표시하는 회로도이다.

제4도는 이 발명의 실시예 4를 표시하는 회로도이다.

제5도는 이 발명의 실시예 5를 표시하는 회로도이다.

제6도는 이 발명의 실시예 6를 표시하는 회로도이다.

제7도는 이 발명의 실시예 7를 표시하는 회로도이다.

제8도는 이 발명의 실시예 8를 표시하는 회로도이다.

제9도는 실시예 8에서 실현된 전자부품으로서의 서멀헤드(thermal head)의 회로접속도이다.

제10도는 서멀헤드의 단면도이다.

제11도는 상기 서멀헤드의 발열저항체의 요부의 한 예를 표시하는 부분평면도이다.

제12도는 상기 서멀헤드의 발열저항체의 요부의 다른 예를 표시하는 부분평면도이다.

제13도는 상기 서멀헤드의 발열정항체의 요부의 또다른 예를 표시하는 부분평면도이다.

제14도는 제12도에 표시한 발열저항체의 종래의 구동회로로 구동하였을때의 피크온도를 표시하는 설명도이다.

제15도는 제13도에 표시한 발열저항체의 종래의 구동회로로 구동하였을때의 피크온도를 표시하는 설명도이다.

제16도는 제13도에 표시한 발열저항체의 종래의 구동회로로 구동하였을때의 10ms마다의 피크온도를 표시하는 설명도이다.

제17도는 상기 실시예 8의 동작의 한 예를 표시하는 타이밍도이다.

제18도는 제13도에 표시한 발열저항체를 상기 실시예 8의 구동회로로 구동했을때의 피크온도를 표시하는 설명도이다.

제19도는 제13도에 표시한 발열저항체를 상기 실시예 8의 구동회로로 구동했을때의 10ms마다의 피크온도를 표시하는 설명도이다.

제20도는 상기 실시예 8의 다른 동작 예를 표시하는 타이밍도이다.

제21도는 상기 실시예 8에서 사용되는 발진회로의 일예를 표시하는 회로도이다.

제22도는 상기 실시예 8에서 사용되는 발진회로의 다른예를 표시하는 회로도이다.

제23도는 상기 실시예 8에서 사용되는 발진회로의 또다른 예를 표시하는 회로도이다.

제24도는 이 발명이 실시예 9를 표시하는 회로도이다.

제25도는 이 발명의 실시예 10을 표시하는 회로도이다.

제26도는 종래의 구동회로를 표시하는 회로도이다.

제27도는 종래의 구동회로로 실현된 전자부품으로서의 서멀헤드를 표시하는 회로접속도이다.

제28도는 이 동작을 표시하는 타이밍도이다.

제29도는 그 프리히트 동작을 표시하는 타이밍도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 피구동소자(발열저항체) 2 : 구동회로

3 : 스위칭소자(NAND회로) 5 : 보존수단(래치회로)

17 : 신호정보공급수단(OR회로) 19 : 스위칭소자(NOR회로)

21 : 신호정보공급수단(AND회로) 22 : 저항기(풀다운저항, 풀업저항)

24 : 펄스발생수단(발진회로)

이 발명은, 서멀헤드의 발열저항체등의 피구동소자를 구동하는 구동회로에 관한 것이다.

제26도는 종래의 구동회로를 표시하는 회로도이다.

도면에서, 1은 피구동소자로서의 서멀헤드의 N개의 발열저항체이고, 2는 이N개의 발열저항체(1)의 각각에 구동정보를 공급해서 구동하는 구동회로이다.

또, 구동회로(2)내에서, 3은 N개의 발열저항체(1)의 각각에 대응해서 설치된 스위칭소자로서의 NAND회로이다. 4는 발열저항체(1)의 구동정보가 되는 시리얼의 신호정보를, 클록신호에 동기해서 그 내부를 시프트시키는 시프트레지스터이고, 5는 이 시프트레지스터(4)의 내용을 소정의 래치신호에 따라 보존하는 보존수단으로서의 래치회로이다.

6은 시프트레지스터(4)에 시리얼로 신호정보를 입력하는 입력단자, 7은 시프트레지스터(4)의 클록신호가 입력되는 클록단자, 8은 시프트레지스터(4)내를 시프트한 신호정보가 출력되는 출력단자이고, 9는 래치회로(5)로의 래치신호가 입력되는 래치단자이다.

10은 NAND회로(3)로의 스트로브신호가 입력되는 스트로브단자, 11은 NAND회로(3)로의 부의 인에이블 아우트풋(이하 BEO라 부름)신호가 입력되는 BEO단자이고, 12는 각 발열저항체(1)가 공통으로 접속된 공통전극이다. 제27는 제26도에 표시된 회로에 따라 실제로 구성된 전자부품의 한 예인 서멀헤드의 회로접속도이다.

도면에서, 13은 구동회로(2)를 구성하고 있는 L개의 집적회로(이하 IC라함)이고, 각각 발열저항체(1)의 개수(N)를 IC(13)의 개수 L로 나눈 N/L개의 NAND회로, N/L단의 시프트레지스터 및 래치회로로 형성되고, 각각의 입력단자(6)와 출력단자98)에 의해 캐스케이트(cascade)로 접속되어 있다. 여기서, 예를 들어 팩시밀리등에서 사용되고 있는 1㎜당 8비트의 A4사이즈의 서멀헤드이면 발열저항체91)의 총수는 1728개가 되어, 시프트레지스터(4)의 총단수는 1728단이 되고, IC(13)의 구성단위를 64비트로 했을 때 27개의 IC(13)이 접속되게 된다.

또 분할인자(印字)하는 경우에는 몇 개씩의 IC(13)에 대응한 복수계통의 스트로브단자910)와 BEO단자(11)를 도출하게 된다. 또, 14는 IC(13)에 공급되는 전원이 입력되는 회로전원단자, 15는 접지에 접속되는 접속단자이고, 나머지는 제26도에 표시하는 것과 같기 때문에 그 설명을 생략한다. 다음에 동작에 대해 설명한다.

이와 같은 서멀헤드는 감열기록방식에 의한 기기의 주부품(主部品)이고 한편, 이 기록방식은 간편하기 때문에 그년에 넓게 이용되고 있다.

이 서멀헤드는 기판상에 배열된 다수의 발열저항체를 선택적으로 통전구동해서, 기록지의 발열한 저항체에 접속되어 있는 부분을 발색시켜서 인자하는 것으로, 그 구동방식으로는 여러 가지가 알려져 있고, 그 대표적인 예를 이하에서 설명한다.

발열저항체(1)를 구동하는 신호정보는 입력단자(6)로부터 시프트레지스터(4)에 시리얼로 입력되고, 클록단자(7)에 주어지는 클록신호에 동기해서 시프트레지스터(4)를 순차적으로 시프트되어간다. 시프트레지스터(4)에 1라인분으 신호정보가 입력되면, 래치회로(5)의 래치단자(9)에는 래치신호가 입력되고, 래치회로(5)는 이 래치신호에 따라 시프트레지스터(4)의 내용을 보존한다.

또, 시프트레지스터(4)와 래치회로(5)를 이렇게 구성하고 있는 것은 발열저항체(1)의 구동중에 신호정보의 전송을 할 수 있도록 하기 위한 것이다.

이 래치회로(5)의 내용이 발열저항체(1)의 구동정보가 된다.

각 발열저항체(1)에 대응한 스위칭소자(NAND회로)(3)은, 스트로브단자910)에 입력되는 스트로브신호와 BEO단자(11)에 입력되는 BEO신호, 및 래치회로(5)에 보존되어 있는 구동정보의 신호논리상태에 따라 스위칭 동작을 한다.

즉 스트로브신호가 L레벨이고 BEO신호가 H레밸의 기간이 발열저항체(1)의 구동기간이 된다.

이 스트로브신호와 BEO신호는 각각, 발열저항체(1)의 구동시간을 결정하는 구동시간 결정신호로서 작용하고 있다. 스트로브신호와 BEO신호의 동작논리를 반대로 하고 있는 것은, 이와 같은 서멀헤드를 사용하고 있는 장치의 전원이 온 오프되었을 때 신호부정시간에 의한 오동작을 막기 위해서이고, 예를 들어 BEO신호는 회로전원의 전압검출회로의 검출신호로 함으로써, 전원 온 오프시의 서멀헤드의 오동작을 방지할 수가 있다.

여기서, 제28도는 제26도에 표시하는 구동회로의 동작을 표시하는 타이밍도이다.

도면중 COMMON은 공통전극(12)에 입력되는 전압을 표시하는 것으로, 예를 들면 12V, 24V등이다. 또 DATA는 입력단자(6)에 입력되는 신호정보, CLOCK는 클록단자(7)에 입력되는 클록신호, LATCH래치단자(9)에 입력되는 래치신호, BEO는 BEO단자(11)에 입력되는 BEO신호, STROBE는 스트로브단자(10)에 입력되는 스트로브신호이다.

그런데, 이와 같은 서멀헤드는 발열저항체(1)를 선택적으로 통전함으로써 감열지에 화상을 기록하는 것이나, 환경온도나 서멀헤드자체의 온도에 의해 발열저항체(1)의 통전시간을 변화시켜 화상품위를 높이고 있다. 통상은 저온시에는 통전시간을 길게 하고, 고온시에는 통전시간을 짧게 하는 제어를 하나, 저온시의 통전시간의 부족에의한 화상열화를 방지하기 위해, 인자대기중, 전원온시에 감열지에 화상기록이 않되도록한 전류를 모든 발열저항체(1)에 통전하고, 서멀헤드자체의 온도를 높여 제어하는 방법도 취해진다.

이 제어방법의 타이밍예를 제29도에 표시한다.

도시하는 바와 같이 발열저항체(1)에는 전흑(全黑)데이터의 신호정보에 의한 프리히트와 구동정보에 의한 데이터온을 합친 시간만큼 통전되게 된다.

또 이 경우, 전자감섭(일렉트로 마그네틱 인터페어, 이하 EMI라고 한다)대책을 고려하면, 클록 신호의 전송 속도는 500KHz 이하로 하는 것이 바람직하다.

종래의 구동회로는 이상과 같이 구성되어 있으므로, 저온시등에는 프리히트용의 신호정보의 전송을 하는 것이 필요하게 되고, 또 클록신호의 전송속도등에 의해 인자속도가 결정되어 버리거나, 또 프리히트에 의한 인접 발열저항체(1)의 통전발열에 의한 축열이 증가하는데 따른 화질의 열화나 연속발열저항체(1)를 대(帶)상으로 연속시켜서 두꺼운 막으로 형성했을때의 인접발열정항체(1)로의 열전도에 의한 화질의 연화가 있다는 등의 문제점이 있었다.

이 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 하게 된 것으로 프리히트용 신호정보의 전송을 필요로 하지않고, 축열, 열전도에 의한 화상열화도 적은 구동회로를 얻는 것을 목적으로 한다.

청구항 1에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 보존수단에 보존된 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 스위칭소자에 공급하는 신호정보공급수단을 설치한 것이다.

또 청구항 2에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 서로 상반한 논리동작을 하는 적어도 2종류의 구동시간결정 신호로, 피구동소자의 구동시간을 결정하는 것이다.

또, 청구항 3에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 구동시간결정신호에 따라 인접한 것이 서로 반전한 논리동작을 하도록 스위칭동작을 하고, 보존수단으로부터의 구동정보로 해당하는 피구동소자를 구동하는 스위칭소자를 사용한 것이다.

또, 청구항 4에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 구동시간결정신호를, 인접한 피구동소자를 동시에 구동하는 일이 없는 논리상태의 펄스신호로 한 것이다.

또, 청구항 5에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 스위칭소자로서, 구동시간결정신호에 따라 인접한 것이 서로 반전된 논리동작을 하도록 스위칭동작하는 것을 사용하여 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호 정보를 스위칭소자에 공급하는 신호정보공급수단을 설치한 것이다.

또, 청구항 7에 기재된 발명에 관한 구동회로는 구동시간결정신호를 그 논리상태에 따라 결정하기 위한 펄스 신호를 생성하는 펄스발생수단을 설치한 것이다.

또, 청구항 8에 기재된 발명에 관한 구동회로는, 신호정보공급수단으로부터의 신호정보의 논리상태에 따라, 신호정보의 입력단자와 회로전원단자 또는 접지단자사이에 저항기를 접속하는 것이다.

청구항 1, 5 및 6에 기재된 발명에 있어서의 신호정보공급수단은, 보존수단에 보존된 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 스위칭소자에 공급함으로써, 프리히트용 신호정보의 전송을 필요로 하지 않는 구동회로를 실현한다.

또, 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 적어도 2종류의 구동시간결정신호는, 서로 상반된 논리동작에 의해 피구동소자의 구동시간을 결정함으로써 전원 온 오프시의 신호부정시간에 의한 오동작을 방지한다.

또, 청구항 3 및 5에 기재된 발명에서의 스위칭소자는 구동시간결정신호에 따라 인접한 것이 서로 반전된 논리동작을 하도록 스위칭동작함으로써 인접하는 피구동소자가 동시에 발열하는 일이 없도록 해서, 화상의 열화를 방지한 구동회로를 실현한다.

또, 청구항 4에 기재된 발명에서의 구동시간결정신호는, 펄스신호의 논리상태에 따라 인접한 피구동소자를 동시에 구동하지 않도록 함으로써 화상의 열화를 방지한다.

또, 청구항 6에 기재된 발명에서의 스위칭소자는, 서로 인접한 피구동소자가 동일그룹에 들어가지 않도록 그룹분류해서 각각의 구동시간을 결정하는 구동시간결정신호에 따라 스위칭동작함으로써 인접하는 피구동소자가 동시에 발열하지 않도록 해서 화상의 열화를 방지한 구동회를 실현한다.

또, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서의 펄스발생수단은, 발생하는 펄스신호의 논리상태에 따라 피구동소자의 구동시간을 결정함으로써 구동시간결정신호로서의 FCON신호의 외부로부터의 공급을 필요로 하지 않는다.

또, 청구항 8에 기재된 발명에 있어서의 저항기는, 신호정보공급수단으로부터의 신호정보의 논리상태에 따라서 신호정보의 입력단자와 회로전원단자 또는 접지단자를 접속함으로써, 접속케이블 단선시의 안전대책을 기한다.

실시예 1

이하, 이 발명의 실시예 1을 도면에 따라 설명한다.

제1도는 청구항 1 및 2에 기재된 발명의 한 실시예를 표시하는 회로도이다.

도면에서, 1은 피구동소자로서의 발열저항체, 2는 구동회로, 3은 스위칭소자로서의 NAND회로, 4는 시프트레지스터, 5는 보존수단으로서의 래치회로, 6은 입력단자, 7은 클록단자, 8은 출력단자, 9는 래치단자. 10은 스트로브단자, 11은 BEO단자, 12는 공통전극이고, 제26도에 동일부호를 붙인 종래의 것과 동일, 또는 상당부분이기 때문에 설명은 생략한다.

16은 래치회로(5)에 보존되어 있는 구동정보와는 관계없이 발열저항체(1)를 구동하는 신호정보인 올온신호가 입력되는 올온단자, 17은 올온신호와 구동정보와의 논리화를 취해 NAND회로(3)에 보내는 OR회로이고, 18은 래치회로(5)에 보존된 구동정보를 스트로브신호의 반전신호로 게이트해서 OR회로(17)에 입력되는 AND 회로이다.

따라서, 이 경우에는 NAND회로(3)에 BEO신호만에 의해 게이트되어 있다.

다음으로, 동작에 대해 설명한다.

또, 시프레지스터(4) 및 래치회로(5)의 동작은 종래의 경우와 같다.

여기서, 올온단자(16)에 입력되는 올온신호가 H레벨이 되면, 각 OR회로(17)의 출력은, 래치회로(5)가 출력하는 구동정보에 따르지 않고 모두가 H레벨이 된다.

따라서, BEO신호가 H레벨인기간, 각 NAND회로(3)의 출력은 모두 L레벨이 되고, 공통전극(12)으로부터 인가된 전압은 발열저항체(1)에 통전되게 된다.

이와 같이, 올온신호와, BEO신호가 함께 H레벨의 기간이, 프리히트시간이 되게 되고, 래치회로(5)에 보존된 구동정보에 따른 인자를 하는 경우에는, 이 올온신호를 L레벨을 함으로써 종래와 같은 동작으로 실현시킬 수 있다.

즉, 올온신호의 논리상태에 의해 프리히트와 데이터온의 스위칭이 가능해진다.

실시예 2

제2도는 청구항 1 및 2에 기재된 발명의 다른 실시예를 표시하는 회로도이고 제1도와 같은 부분에는 동일부호를 붙여 그 설명을 생략한다.

도면에서 19는 스위칭소자로서의 NOR회로이고, 20은 래치회로(5)로부터의 각 구동정보와 스트로브신호의 반전신호 및 BEO신호를 입력으로한 AND회로이다.

21은 올온신호와 BEO신호와의 논리적을 취해 각 NOR회로(19)에 보내는 신호정보공급수단으로서의 AND회로이다. 또, 기본적인 동작에 대해서는, 실시예 1과 같으므로 생략하나, 실시예 1과 다른 것은, AND회로(18), OR회로(17) 및 NAND회로(3)에 의한 3단 구성을 사용하지 않고, AND회로(20)와 NOR(19)의 2단 구성으로 한 것으로, 올온신호와 BEO신호와의 논리적을 AND회로(21)를 사용함으로써, 회로구성을 간략화한 점이다.

이와 같은 구동회로(2)는 IC화되어, 수율을 올리는 것이 요구되므로 보다 회로의 간략화가 요망되게 한다.

실시예 3

제3도는 또다른 실시예를 표시하는 회로도이며, 상당부분에는 제1도와 같은 부호를 붙여 중복설명을 피하고 있다. 이 실시예 3에서는, OR회로(17)에 의해 먼저 래치회로(5)에 보존된 구동정보와 올온신호와의 논리화를 취하고 그 출력과 스트로브신호의 반전신호 및 BEO신호를 NAND회로(3)에 보내, 프리히트와 데이터온과의 스위칭을 하고 있다.

실시예 4

제4도는 청구항8에 기재된 발명의 한 실시예를 표시하는 회로도이고, 실시예 3에서의 BEO신호를 구동회로(2)내에서 접속한 것이다. 이와 같이 구성함으써, 회로전원의 상승, 하강과 함께 BEO신호가 변화하게 되어, 회로전원 온 . 오프시에 전원전압 검출회로의 신호공급을 필요하지 않게 할 수 있다.

또 올온신호의 외부로부터의 접속케이블이 단선되었을때에는, 올온신호가 L레벨이 되고 접속케이블 단선시의 안전대책이 된다. 또 제4도의 경우는, 올온신호의 신호논리는 H레벨로 프리히트가 되나, 역으로 신호논리를 L레벨로 하는 회로구성으로 해도된다.

이 경우에는 올온신호를 풀업저항(22)을 사용해서 회로전원단자(14)에 접속하여 안전대책을 기하면 된다. 또, 스트로브신호는 풀다운저항을, BEO신호를 풀업저항을 사용해서 각각 접지단자(15), 혹은 회로전원단자(14)에 서멀헤드내 에서 접속해둠으로써 접속케이블단선시의 안전대책을 기할 수 있다.

실시예 5

제5도는 청구항 3 및 4에 기재된 발명의한 실시예를 표시하는 회로도이며, 제26도와 같은 부분에는 동일부호를 붙여 설명의 중복을 피하고 있다.

도면에서, 23은 종래의 스크로브신호에 대체되어 NAND회로(3)에 입력되는, 구동시간결정신호로서의 FCON신호가 입력되는 FCON단자이다.

이 FCON신호의 각 NAND회로(3)로의 입력은, 하나걸러 반전입력으로 되어 있으므로 FCON단자(23)로부터 FCON신호를 간헐한 펄스입력으로 함으로써, 이 FCON신호가 H레벨시에는, 기수번째(R1,R3,…RN-1)의 발열저항체(1)가 스위칭되고, L레벨시에는, 우수번째(R2,R4,…RN)의 발열저항체(1)가 스위칭되기 때문에, 인접한 발열저항체(1)가 동시에 구동되는 일은 없다.

실시예 6

제6도는, 실시예 5에서는 FCON신호에 대체되어 존재하지 않았던 스트로브신호를 포함시킨 실시예를 표시하는 회로도로, FCON신호로서 연속발진펄스를 공급하고 종래와 같은 스트로브신호 및 BEO신호의 콘트롤로, 실시예 5와 같이 인접한 발열저항체(1)가 동시에 스위칭되지 않도록 하고 있다.

실시예 7

제7도는 청구항 7에 기재된 발명의 한 실시예를 표시하는 회로도, 실시예 5 또는 실시예 6에서의 FCON신호의 외부로부터의 공급을 없애기 위해, 구동회로(2)내에 펄스발생수단으로서의 발진회로(24)를 포함한 것이다.

이로 인해 종래와 같이 스트로브신호와 BEO신호만의 공급으로 인접한 발열저항체(1)가 동시에 스위칭되는 일은 없게 된다.

실시예 8

제8도는 청구항 5에 기재된 발명의 한 실시예를 표시하는 회로도이고 래치회로(5)에 보존된 구동정보에 따르지 않고, 발열저항체(1)를 구동하기 위한 올온신호를, 스위칭소자로서의 NAND회로(3)에 공급하는 신호정보공급수단으로서의 OR회로(17)를 설치하는 동시에, 스위칭소자로서의 인접하는 것끼리가 서로 변경한 논리동작을 해서 인접한 발열저항체(1)를 동시에 구동하는 일이 없는 NAND회로(3)를 사용한 것이다.

또 제4도 및 제7도와 같은 부분에는 동일부호를 붙여 그 설명을 생략하였다.

제9도는 제8도에 표시된 회로에 따라 실제로 구축된 전자부품의 일예인 서멀헤드의 회로 접속도이고, 종래의 경우와 같이 예를 들면 64비트단위의 IC(13)를 27개 접속해서 구성되어 있다. 이들의 각 IC(13)는, 클록단자(7), 래치단자(9), 스트로브단자(10), BEO단자(11), 올온단자(16) 및 회로전원단자(14), 접지단자(15)에 접속되어 있고, 각 IC(13)의 전단의 IC(13)의 전단의 IC(13)의 출력단자(8)와 다음단의 IC(13)의 입력단자(16)가 순차적으로 접속되어서, 예를 들면 1㎜당 8비트의 A4사이즈의 서멀헤드에서는, 1728비트의 시프트레지스터, 래치회로의 구성이 되어, 발열저항체 (1)는 1728개가 되어 있다.

또, 22는 올온단자(16)와 접지단자(15)에 접속된 풀다운저항이고 IC(13)개개에 접속되어 있다. 이것은 IC(13)제조시에, IC(13)내에 예를 들어 올온단자(16)와 접지단자(15)의 알루미늄 배선간에 예를 들어 폴리실리콘으로된 저항막 형성으로 쉽게 형성된다.

형성되는 저항치는, 대략 50KΩ~200KΩ정도이고, 올온단자(16)와 접지단자간의 총풀다운 저항치는 1.85KΩ~7.4KΩ정도가 되고 통상의 로직 IC의 출력으로 동작가능하다.

또, 이 풀다운저항(22)는 각 IC(13)마다에 접속하는 쪽이 각 IC(13)의 접속에서의 단선에 의한 안전대책상 바람직하나 각 IC(13)마다에 접속하지 않아도 된다.

또, 23은 발진회로(24)의 발진출력신호에 따른 FCON신호이고, 이 발진수파수는 발진회로(24)내의 저항, 콘덴서등의 접속부품(29)으로 바꿀 수가 있다.

제10도는 제9도의 접속도에 따라 실현한 서멀헤드이고, 30은 예를 들어 알루미늄순도 96%정도의 세라믹 기판상에 유리를 피복하여, 도체패턴(31)을 형성해서 발열저항체(1), 공통전극(12)을 형성하고 보호막(32), 고저항막(33)을 부착시킨 기판(이하, 발열기판이라 한다)이다. 이 발열기판(30)상에는 IC(13)을 배치하고, 금와이어(34)로 도체패턴(31)와 와이어본드접속된다. 한편, 36은 프린트기판이고, 이 프린트기판(36)에도 IC(13)의 입력신호등이 금와이어(34)로 접속되어, 이 패턴은 서멀헤드의 외부접속케이블과의 접속부가 되는 커넥터(27)의 접속부분까지 끌어내어져 납땜(38)으로 프린트기판(36)과 커넥터(37)가 접속된다.

35는 IC(13), 금와이어(34)를 보호하는 보호수지, 29는 발진회로(24)의 접속부품이고, 예를들면, 칩저항, 칩콘덴서등이 납땜(38)으로 프린트기판(36)상에 고정접속된다.

39는 발열기판(30), 프린트기판(36)의 지지대이며 예를 들면 알루미늄, 철등으로 형성되어 있고, 40은 이지지대(39)의 발열기판(30)의 발열기판(30), 프린트기판(36)을 접착하는 양면테이프, 41은 감열지(42)를 반송하기 위한 가이드로도 되는 커버, 43은 감열지(42)반송의 플레턴 롤러이고, 발열저항체(1)상에 위치한다. 여기서, 고저항막(33)은 없어도 되나 감열지(42)반송시의 대전을 방지하는 효과가 있고, 도시하지 않은 위치에서 공통전극(12)또는 접지단자(15)에 접속되어 있다. 발열저항체(1)의 축열은, 발열기판(30), 공통전극(12) 또는 접지단자(15)에 접속되어 있다. 발열저항체(1)의 축열은 ,발열기판(30), 공통전극(12), 도체패턴(31), 보호막(32), 고저항막(33)의 재질, 두께등의 치수로서 상당히 변하고, 또 발열저항체(1)부분의 구성에 의해서도 변화한다.

제11도~제13도는, 발열저항체(1)의 배열의 요부를 표시하는 부분평면도이고, 44는 공통전극(12)이 되는 공통 전극패턴, 45는 공통전극리드, 46은 스위칭소자에 접속되는 개별전극리드, 47은 개별전극리드간에 배치된 공통전극리드로 귀로공통전극리드이다.

또, 제11도는 박막서멀헤드, 제12도 및 제13도는 후막서멀헤드를 표시한 것이다.

제11도의 박막서멀헤드의 경우, 발열기판(300의 막구성이 저항막, 도체막으로 되고, 이들을 사진제판, 식각기술에 의해 독립한 발열저항체(1)를 형성하게 된다.

이 발열저항체(1)의 인접소자로의 축열, 열전도에 의한 화질로의 영향은, 분리된 구간의 열저항, 열용량으로 결정되는 것이나 제12도, 제13도와 같은 띠모양의 후막페이스트로 하는 연속저항체에 비하면 작은 것이다.

제12도, 제13도의 후막서멀헤드의 경우는, 발열기판(30)의 막구성이 도체막, 띠모양의 연속저항체로 되고 도체막을 공통전리드(45), 개별전극리드(46)가 교대로된 빗모양의 패턴으로, 사진제판, 식각기술을 사용해서 형성한 후, 산화루테늄등의 후막저항 페이스트를 인쇄 또는 직접 그림을 그림으로써 띠모양의 연속저항체를 형성하고 발열저항체(1)를 형성하는 것이며, 제12도의 경우에는 공통전극패턴(44)이 제13도의 경우보다 넓게 되어 있다.

그런데, 이와 같은 서멀헤드에서는, 감열지(42)로의 인자결과를 즉시 보는데는, 발열기판(30)의 끝으로부터의 발열저항체(1)의 위치가 짧을수록 좋게 된다.

이 거리는 공통전극패턴(44)의 폭으로 결정되게 된다.

이 공통전극패턴(44)의 폭은 배선저항분으로 되고 인자화질로의 영향이 안미치는 정도로 결정되고, 공통전극패턴(44)의 폭을 짧게 하고, 두께방향에의 도체패턴저항강화를 하는 것도 실시되나 감열지(42)의 반송에 영향이 없을 정도의 두께가 된다.

제13도는 이 도체패턴저항강화를 하지 않고 공통전극리드(45)를 수비트걸러에 개별전극리드(46)측에 배치하도록 귀로공통전극리드(47)를 배치형성한 것으로 개별전극리드(46)측에서 또 공통으로 접속되는 것이다. 그런데, 제12도, 제13도에 있어서의 발열저항체(1)의 발열 피크온도에 대해 조사한 결과를 제14도, 제15도에 표시한다.

제14도는 제12도의 경우, 제15도는 제13도의 경우이고, 이들은 종래의 구동회로를 사용해서 인자주기 10ms, 인가펄스시간(발열저항체의 스위칭시간)을 5ms로 하고 발열저항체의 저항치 3000Ω, 공통전극의 인가전압을 14V로 했을때의 발열저항체 1개만의 통전에 의한 발열저항체의 피크온도와 연속한 발열저항체 5개의 통전에 의한 발열저항체의 피크온도를 적외선표면온도계로 측정한 결과이다. 도면중, ○인은, 발열저항체 1개의 경우, ●인은 연속된 발열저항체 5개의 경우를 표시한 것이다.

T1은 120℃, T2는 130℃, T3는 150℃이고, 연속된 발열저항체의 통전에서는 중앙의 발열저항체의 온도가 단독시의 통전에 비해 약 30℃높은 것을 알 수 있다.

또 제13도의 공통전극패턴이 작아졌을때는, T4는 140℃, T5는 160℃이고, 차가 40℃로 크게 되었다. 이것은 공통전극패턴(44)인 도체로부터 열이 방산되기 힘들게 된 것에 기인한다고 추정할 수 있다. 또 제16도에 표시하는 것은 제13도의 발열저항체부분의 구성으로, 10ms마다 측정한 피크온도이고, ○인이 단독의 경우, ●인이 연속한 발열저항체 5개의 경우를 표시하는 것이다.Ta는 25℃이고, 피크온도는 40ms 후에 포화하고 있으나 이들이 상황에 의해 화질의 열화가 발생하는 것으로 되어 있었다.

이 때문에 제13도의 발열저항체 부분의 구성으로 제8도의 구동회로를 사용해서 발열저항체의 저항치를 1500Ω, 인자주기 10ms이며 제17도에 표시하는 타이밍으로 발열저항체의 구동을 했다. 이때 프리히트를 4ms, 데이터온은 5ms로 하고, 발진회로(24)의 발진주파수를 20KHz로 해서, 공통전극의 인가전압을 14V로 했을때의 발열저항체 한 개만이 통전에 의한 발열저항체의 피크온도와 연속한 발열저항체 5개의 통전에 의한 발열저항체의 피크온도를 적외선 표면온도계로 측정하였다. 이 결과를 제18도에 표시한다.

T6는 130℃, T7은 135℃, T8은 145℃이고, 온도차를 작게 할 수가 있었다.

또 10ms마다의 피크온도는 제19도에 표시하는 바와 같이 되고 Tb는 70℃, T6은 130℃, T7은 135℃, T8은 145℃가 되었다.

또, 제20도에 표시하는 타이밍도는, 인자대기시간중에 올온신호(All ON)에 의해 프리히트를 하는 것을 표시하는 것으로, 이런 제어를 위해, 발열저항체의 저항치를 올려 소비전류를 작게 할 수 있다. 프리히트는 감열지(42)의 발색온도이하가 되도록 결정하면 되고, 프리히트시간은 특히 한정하는 것은 아니다.

또 FCON신호를 제20도에 표시하는 바와 같은 간헐펄스파형으로 해도 된다.

또 상기 실시예에서는, FCON신호의 H레벨의 논리상태에서 스위칭이 되나, 논리전환시에 동시에 스위칭이 되지 않도록 스위칭의 개시시간이 0.5㎲, 차단시간이 3㎲로 늦추는 것은 CMOS의 제조구조로된 IC에서는 용이하다. 또 이들의 스위칭속도에 따라 FCON신호의 주파수가 결정되나 EMI대책으로는 500KHz이하 정도록 하는 것이 바람직하다.

또, 발진회로(24)로서는, 제21도에 표시하는 바와 같이, 슈미트트리거회로(25)와 저항(26) 및 콘덴서(27)를 사용하거나 제22도에 표시하는 바와 같이, 직렬접속된 NAND회로와 인버터를 사용하여 인버터의 출력을 콘덴서(27), 저항(26)으로 피드백하도록 하거나, 제23도에 표시하는 바와 같이, 수정진동자(28), 저항(26), 콘덴서(27)를 접속부품(29)으로 하여 프린트기판(36)상에 실장하고, NAND게이트, 인버터등과 접속하도록 해도된다.

이때 칩부품을 사용하면 쉽게 프린트가 기판상에 납땜하여 실장할 수 있다. 또 EMI대책에서 발진회로(24)는 서멀헤드내에 내장하는 것이 바람직하다.

실시예 9

제24도는 청구항 6에 기재된 발명의 한 실시예를 표시하는 회로도이고, 도면에서 48은 기수비트에 대응한 스트로브단자, 49는 우수비트에 대응한 스트로브단자이고, 기타는 실시예 8과 같다. 이 경우는, 프리히트만은, 스트로브단자(48), (49)의 스트로브신호를 바탕으로 L레벨로 해서 보다 축열을 더해 데이터온시만 기수비트와 우수비트를 교대료 스위칭시키는 것이 가능하게 된다.

실시예 10

또 제25도는 제24도에 표시하는 회로변형예이고, 50은 펄스 또는 종래의 스트로브신호가 되는 PSTB, 51은 펄스입력이나 스트로브신호입력을 선택하는 제어신호이다.

실시예 11

또, 상기 실시예에서는 피구동소자가 발열저항체이며, 스위칭소자가 전류흡입타입의 회로를 사용했을때에 대해 설명했으나, 구동소자가 플라즈마 발광체이고, 스위칭소자가 전압출력타입의 회로라도 되고, 상기 실시 예와 같은 효과가 있으며 피구동소자, 스위칭소자의 극성을 특별히 한정하는 것은 아니다.

이상과 같이, 청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 보존수단에 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 스위칭소자에 공급하도록 구성하였으므로, 프리히트를 위해 신호정보를 접속할 필요가 없는 구동회로가 얻어지는 효과가 있다.

또, 청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 서로 상반한 논리동작을 하는 적어도 2종류의 구동시간결정신호로 피구동소자의 구동시간을 결정하도록 구성하였으므로, 전원 온 오프시의 신호부정시간에 의한 오동작이 방지 될 수 있는 효과가 있다.

또 청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 구동시간결정신호에 따라 인접한 것이 서로 반전한 논리동작을 하도록 스위칭동작하는 스위칭소자를 사용해서 보존수단으로부터의 구동정보로 해당하는 피구동소자를 구동하도록 구성하였으므로, 인접하는 피구동소자가 동시에 발열하는 일이 없어져 축열, 열전도에 의한 화상의 열화가 적은 구동회로를 얻은 효과가 있다.

또, 청구항 4에 기재된 발명에 의하면 인접한 피구동소자를 동시에 구동하는 일이 없는 논리상태의 펄스신호를 구동시간결정신호로 하도록 구성하였으므로, 화상의 열화를 방지할 수 있는 효과가 있다.

또, 청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 구동시간결정신호에 따라 인접한 것이 서로 반전한 논리동작을 하도록 동작하는 스위칭소자를 사용하여 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 스위칭소자에 공급하도록 구성하였으므로 프리히트를 위한 신호정보의 전송이 불필요하게 되는 동시에, 인접하는 피구동소자가 동시에 발열하는 일이 없어져서, 축열, 열전도에 의한 화상의 열화도 적은 구동회로가 얻어지는 효과가 있다.

또, 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 서로 인접한 피구동소자가 동일그룹에 들어가지 않도록 그룹을 분류해서 각각의 구동신호를 결정하는 구동시간결정신호에 따라 동작하는 스위칭소자를 사용해서 구동정보와는 관계없이 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 스위칭소자에 공급하도록 구성하였으므로 프리히트를 위한 신호정보의 정송이 불필요하게 되는 동시에 인접하는 피구동소자가 동시에 발열하는 일이 없어져, 축열, 열전도에 의한 화상의 열화도 적은 구동회로가 얻어지는 효과가 있다.

또, 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 구동시간결정신호를 펄스발생수단으로부터의 펄스신호의 논리상태에 따라 결정하도록 구성하였으므로, 외부로부터 FCON신호를 공급할 필요가 없어지는 효과가 있다.

또, 청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 신호정보공급수단으로부터의 신호정보의 논리상태에 따라 신호정보의 입력단자와 회로전원단자 또는 접지단자사이에 저항기를 접속하도록 구성하였으므로, 접속케이블 단선시의 안전대책을 도모할 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

1. 복수의 각 피구동소자의 구동정보가 되는 시리얼의 신호정보를 보존하여, 그것을 패럴렐로 출력하는 보존수단과, 각각이 상기 피구동소자에 접속되고, 상기 보존수단으로부터의 구동정보를 받기 위하여 상기 피구동소자와 결합하며, 상기 피구동소자의 구동시간을 결정하는 구동시간결정신호에 따라 스위칭동작하여, 상기 보존 수단으로부터 출력되는 상기 구동정보를 대응하는 상기 피구동소자에 공급해서 그것을 구동하는 복수의 스위칭소자와, 상기 구동정보와는 관계없이 상기 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 상기 스위칭소자에 공급하는 신호정보 공급수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 구동회로.
2. 제1항에 있어서, 구동시간결정신호가 적어도 2종류있고, 이들이 서로 상반하는 논리동작인 것을 특징으로 하는 구동회로.
3. 복수의 각 피구동소자의 구동정보가 되는 시리얼의 신호정보를 보존하여, 그것을 패럴렐로 출력하는 보존 수단과, 각각의 상기 피구동소자에 접속되고, 상기 피구동소자의 구동시간을 결정하는 구동시간결정신호에 따라, 인접한 것이 서로 반전한 논리동작을 하도록 스위칭동작하여, 상기 보존수단으로부터 출력되는 상기 구동정보를 대응하는 상기 피구동소자에 공급해서 그것을 구동하는 복수의 스위칭소자로 구성된 것을 특징으로 하는 구동회로.
4. 제3항에 있어서, 구동시간결정신호가, 인접한 상기 피구동소자를 동시에 구동하는 일이 없는 논리상태의 펄스신호인 것을 특징으로 하는 구동회로.
5. 복수의 각 피구동소자의 구동정보가 되는 시리얼의 신호정보를 보존하여, 그것을 페럴렐로 출력하는 보존 수단과, 상기 피구동소자의 구동시간을 결정하는 구동시간결정신호에 따라, 인접한 것이 서로 반전한 논리동작을 하도록 스위칭동작하여, 상기 보존수단으로부터 출력되는 상기 구동정보를 대응하는 상기 피구동소자에 공급해서 그것을 구동하는 복수의 스위칭소자와, 상기 구동정보와는 관계없이 상기 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 상기 스위칭소자에 공급하는 신호정보공급수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 구동회로.
6. 복수의 각 피구동소자의 구동정보가 되는 시리얼의 신호정보를 보존하여, 그것을 패럴렐로 출력하는 보존수단과, 각각이 피구동소자에 접속되고 서로 인접한 상기 피구동소자끼리는 다른 그룹으로 들어가도록 그룹으로 나누어서 상기 다른 그룹의 구동시간을 결정하는 구동시간 결정신호에 따라 스위칭동작하며, 상기 보존수단으로부터 출력하는 상기 구동정보를 받도록 상기 보존수단에 결합되어 상기 보존수단으로부터 출력하는 상기 구동정보를 대응하는 상기 피구동소자에 공급해서 구동하는 복수의 스위칭소자와, 상기 구동정보와는 관계없이 상기 피구동소자를 구동하기 위한 신호정보를 상기 스우칭소자에 공급하는 신호정보공급수단으로 구성된것을 특징으로 하는 구동회로.
7. 제3항, 제4항, 제5항 및 제6항중 어느 한 항에 있어서, 구동시간결정수단을 그 논리상태에 따라 결정하기 위한 펄스신호를 생성하는 펄스발생수단을 설치한 것을 특징으로 하는 구동회로.
8. 제1항, 제2항, 제5항, 제6항 및 제7항중 어느 한 항에 있어서, 신호정보공급수단에 의해서, 공급되는 신호정보의 논리상태에 따라, 상기 신호정보의 입력단자와, 회로전원단자 또는 접지단자사이에 저항기를 접속하는 것을 특징으로 하는 구동회로.