KR960012481A - 비휘발성 메모리 셀 제조방법 - Google Patents
비휘발성 메모리 셀 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 비휘발성 메모리 셀(Nonvolatile Memory Cell)제조방법에 관한 것으로, 기판과 플로팅 게이트(Floating gate) 사이에 존재하는 얇은 터널 산화막(Tunnel Oxide)에서 소오스-사이드(Source-Side)쪽의 터널 산화막 두께를 두껍게 형성하여 프로그래밍(Programming)효율을 높일 수 있도록 한 비휘발성 메모리 셀 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A 내지 3E도는 본 발명의 비휘발성 메모리 셀 제조단계를 도시한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 비휘발성 메모리 셀 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 필드 산화막(2)을 형성하여 소자 활성영역을 확정한 후, 터널 산화막(3), 플로팅 게이트(4), 층간 절연막(5) 및 컨트롤 게이트(6)를 적층구조로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 질화막(7)을 형성한 후 감광막(8)을 도포하고, 소오스 영역이 형성될 부분만 개방되도록 상기 감광막(8)을 패턴화하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 패턴화된 감광막(8)을 식각 장벽층으로 하여 질화막(7)의 노출부위를 제거하고, 상기 감광막(8)을 제거한 후 산화공정을 실시하여 소오스-사이드쪽의 터널 산화막을 두껍게 하는 단계와, 상기 단계로부터 고농도 불순물을 주입하여 소오스 및 드레인 영역(11A 및 11B)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화공정을 실시하기 전에 BF₂개스를 경사 주입하고, 이후 감광막(8)제거 및 산화공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀 제조방법.참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019940022547A KR960012481A (ko) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 비휘발성 메모리 셀 제조방법 |
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| KR960012481A true KR960012481A (ko) | 1996-04-20 |
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| KR1019940022547A KR960012481A (ko) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 비휘발성 메모리 셀 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR960012481A (ko) |
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1994
- 1994-09-08 KR KR1019940022547A patent/KR960012481A/ko not_active Application Discontinuation
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