KR960012480A - 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로 - Google Patents

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KR960012480A
KR960012480A KR1019940022306A KR19940022306A KR960012480A KR 960012480 A KR960012480 A KR 960012480A KR 1019940022306 A KR1019940022306 A KR 1019940022306A KR 19940022306 A KR19940022306 A KR 19940022306A KR 960012480 A KR960012480 A KR 960012480A
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심현수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/24—Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells
    • G—PHYSICS
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    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/12—Programming voltage switching circuits

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  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로에 관한 것으로서, 제1 및 제2주변전압 스위치 회로 및 PMOS 크로스 커플 래치 회로의 동작에 따라 임의의 어느 한 메모리셀을 선택적으로 프로그램 및 독출이 가능하도록 한 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로에 관한 것이다.

Description

플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자용 리던던시 회로도.

Claims (3)

  1. 교호로 접속된 메모리셀중 임의의 어느 한 메모리셀이 프로 그램시 게이트 전압(VpG) 또는 외부전원(Vcc)을 선택적으로 출력하는 제1주변 전압 스위치 회로와 프로그램시 드레인 전압(VpD)또는 외부전원(Vss)을 선택적으로 출력하는 제2주변 전압스위치 회로의 동작에 따라 프로그램 또는 독출 동작이 이루어지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1주변전압 스위치 회로의 출력은 PMOS 크로스 커플 래치회로의 선택적 동작에 따라 임의의 어느 한 메모리 셀에 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 크로스 커플 래치회로는 교호로 접속된 PMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플레쉬 메모리 소자용 리던던시 회로.
    참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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