KR960012460A - 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 메모리 셀영역과 외부회로영역을 구비하는 반도체소자에서 게이트전극이나 소오스/드레인전극과 캐패시터등을 형성한 후, 반도체소자의 특성에 많은 영향을 미치는 외부회로영역의 MOSFET의 게이트전극과 소오스/드레인전극 상부에만 금속 실리사이드막이나 선택적 금속막을 형성하였으므로, 반도체소자의 전류구동 능력이 향상되어 소자 동작의 신뢰성이 향상되고, 소자의 고집적화에 유리하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 제조공정도.
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 단면도.
Claims (14)
- 메모리 셀영역과 외부회로 영역을 구비하는 반도체소자에 있어서, 상기 외부회로영역의 MOSFET의 게이트전극 및 소오스/드레인전극상에 형성되어 있는 실리사이드막을 구비하는 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 실리사이드막이 Ti, W, Ta, Mo 및 Nb로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 금속 실리상드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀영역의 플레이트전극상에도 금속 실리사이드막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
- 메모리 셀영역과 외부회로 영역을 구비하는 반도체소자에 있어서, 상기 외부회로영역의 MOSFET의 게이트전극 및 소오스/드레인전극상에 형성되어 있는 선택적 금속막을 구비하는 반도체소자.
- 제4항에 있어서, 상기 선택적 금속막이 선택적 W인 것을 특징으로 하는 반도체소자.
- 반도체기판상에 예정된 구조의 메모리 셀영역과 외부회로 영역을 형성하는 공정과, 상기 외부회로 영역상의 MOSFET의 게이트전극과 소오스전극 및 드레인 전극을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 외부회로 영역상의 MOSFET의 게이트전극과 소오스전극 및 드레인전극상에 금속 실리사이드막을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 실리사이드막을 Ti 실리사이드로 형성하는 경우에 전표면에 Ti막을 300∼1000Å으로 형성하고, 550∼650℃의 온도에서 불활성 가스 분위기에서 20∼30초 정도 실시하여 Ti실리사이드를 형성하고 선택적 식각공정중을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기의 Ti실리사이드막을 형성하기 위한 열처리 공정시의 가스로 질소 또는 아르곤을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 Ti실리사이드막을 형성하기 위한 선택적 식각공정시 NH4OH, H2O2, H2O 혼합용액 이나, H2SO4, H2O2혼합액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 NH4OH,H2O2, H2O 혼합용액은 그 비율이 각각 1:1:5∼1:1:10이고, 20∼50℃의 온도에서 5∼30분 식각을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 H2SO4, H2O2, 혼합용액은 비율이 2:1∼5:1이고, 70∼120℃의 온도에서 5∼30분 식각을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 메모리 셀영역의 플레이트전극 상부에도 금속 실리사이드막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 반도체기판상에 예정된 구조의 메모리 셀영역과 외부회로 영역을 형성하는 공정과, 상기 노출되어 있는 외부회로 영역상의 MOSFET의 게이트전극과 소오스 전극 및 드레인 전극을 노출시키는 공정과, 상기 노출되어 있는 외부회로 영역상의 MOSFET의 게이트전극과 소오스 전극 및 드레인전극상에 선택적 금속막을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 선택적 금속층이 선택적 W층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019940024220A KR0144413B1 (ko) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960012460A true KR960012460A (ko) | 1996-04-20 |
| KR0144413B1 KR0144413B1 (ko) | 1998-07-01 |
Family
ID=66766788
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0144413B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567401B1 (ko) * | 2004-04-02 | 2006-04-04 | 제일모직주식회사 | 폴리페닐렌 설파이드계 열가소성 수지 조성물 |
| KR20190123022A (ko) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 현대모비스 주식회사 | 자동차용 커버스핀들 |
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| KR100475715B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-05-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Mml반도체소자 제조방법 |
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1994
- 1994-09-26 KR KR1019940024220A patent/KR0144413B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20190123022A (ko) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 현대모비스 주식회사 | 자동차용 커버스핀들 |
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|---|---|
| KR0144413B1 (ko) | 1998-07-01 |
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