KR960012286A - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960012286A
KR960012286A KR1019950029398A KR19950029398A KR960012286A KR 960012286 A KR960012286 A KR 960012286A KR 1019950029398 A KR1019950029398 A KR 1019950029398A KR 19950029398 A KR19950029398 A KR 19950029398A KR 960012286 A KR960012286 A KR 960012286A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
substrate
processing liquid
processed
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1019950029398A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0167481B1 (ko
Inventor
아키히로 후지모토
다카시 다케쿠마
기요미 소노베
Original Assignee
이노우에 아키라
도요교오 에레구토론 가부시끼가이샤
다카시마 히로시
도요교오 에레구토론 큐우슈우 가부시끼가이샤
후지나카 요시아키
가부시키가이샤 이와키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP24080694A external-priority patent/JP3230128B2/ja
Priority claimed from JP26191694A external-priority patent/JP3164739B2/ja
Application filed by 이노우에 아키라, 도요교오 에레구토론 가부시끼가이샤, 다카시마 히로시, 도요교오 에레구토론 큐우슈우 가부시끼가이샤, 후지나카 요시아키, 가부시키가이샤 이와키 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR960012286A publication Critical patent/KR960012286A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0167481B1 publication Critical patent/KR0167481B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 제1의 처리부 및 제2의 처리부를 가지는 처리실의 제1의 처리부에 있어서 피처리체에 처리액을 도포하는 도포공정과, 피처리체를 상기 제1의 처리부로부터 제2의 처리부에 반송하는 공정과, 제2의 처리부에 있어서 피처리체의 둘레부에 잔존한 불필요한 처리액을 린스하므로써 제거하는 린스공정과, 린스된 피처리제를 노광장치에 반송하고, 이 피처리체에 노광처리를 하는 노광공정을 가지며, 하나의 피처리체에 대한 린스공정 종료로부터 다음의 피처리체에 대한 린스공정까지의 시간이 하나의 피처리체에 대한 노광공정에 있어서의 시간보다도 짧은 기판처리방법을 제공한다. 또, 본발명은 피처리체에 처리액을 공급하는 복수의 처리액 공급노즐과, 각각의 처리액 공급노즐로부터 공급되는 처리액을 수용하는 복수의 처리액 공급원과, 각각의 처리액 공급노즐과 처리액 공급원을 각각 접속하는 공급관고, 비압축 유체의 압력에 의해 작동하는 펌프로 구성되어 있고, 공급관에 끼워설치되어 복수의 처리액을 각각 공급하는 복수의 처리액 공급수단과, 복수의 처리액 공급수단과 유로전환수단을 통하여 접속되어 있으며, 비압축 유체를 이용한 단일의 압력발생수단을 가지는 기판처리장치를 제공한다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는, 본 발명의 기판처리방법을 실시하는 도포처리부를 구비한 도포·현상장치 및 노광장치를 나타내는 개략사시도,
제4도는, 본 발명의 기판처리방법을 실시하는 도포처리부를 나타내는 측면도,
제5도는, 본 발명의 기판처리방법을 실시하는 도포처리부를 나타내는 평면도,
제6도는, 도포처리부에 있어서의 도포기구를 나타내는 사시도,
제7도는, 도포처리부에 있어서의 반송기구를 나타내는 사시도.

Claims (17)

  1. 제1의 처리부 및 제2의 처리부를 가지느 처리실의 상기 제1의 처리부에서 피처리체에 처리액을 도포하는 도포공정과, 상기 피처리체를 상기 제1의 처리부로부터 상기 제2의 처리부에 반송하는 공정과, 상기 제2의 처리부에서 상기 피처리체의 둘레부에 전존한 불필요한 처리액을 린스하므로써 제거하는 린스공정과, 린스된 피처리체를 노광장치에 반송하고, 이 피처리체에 노광처리를 하는 노광공정을 구비하고, 하나의 피처리체에 대한 린스공정 종료로부터 다음의 피처리체에 대한 리스공정 종료까지의 시간이, 상기 하나의 피처리체에 대한 노광공정에서의 시간보다도 짧은 기판처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도포공정 및/또는 상기 린스공정에 각가 피처리체를 건조하는 공정이 포함되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도포공정에서의 건조공정의 시간과, 상기 린스공정에서의 건조공정의 시간을 조정하므로써, 상기 제1의 처리부에서의 처리시간과 상기 제2의 처리부에서의 처리시간을 거의 일치시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 제2항에 있어서, 건조공정은 회전이 자유로운 얹어놓는 대 위에 얹어놓은 피처리체를 회전시켜서 액체성분을 털어냄으로써 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도포공정 및 상기 린스공정은, 피처리체를 회전이 자유로운 얹어놓은 대의 위에 얹어놓아 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 피처리체로서, 반도체 기판 또는 유리기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 제1항에 있어서, 처리액으로서, 레지스트액을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 제1항에 있어서, 린스공정에서 시너를 이용하는 것을 특징으로하는 기판처리방법.
  9. 제1항에 있어서, 피처리체가 오리엔테이션 플랫을 가지는 반도체 기판이며, 오리엔테이션 플랫의 위치를 검출하고, 상기 오리엔테이션 플랫의 둘레부에 잔존한 불필요한 처리액을 제거하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제9항에 있어서, 투과형 센서를 이요하여 오리엔테이션 플랫의 위치를 검출하는 것을 특징으로하는 기판처리방법.
  11. 피처리체에 처리액을 공급하는 복수의 처리액 공급노즐과, 각각의 처리액 공급노즐로부터 공급되는 처리액을 수용하는 복수의 처리액 공급원과, 각각의 처리액 공급노즐과 처리액 공급원을 각각 접속하는 공급관과,비압축 유체의 압력에 의해 작동하는 펌프로 구성되며, 상기 공급관에 끼워 설치되어 상기 복수의 처리액을각각 공급하는 복수의 처리액 공급수단과. 상기 복수의 처리액 공급수단과, 유로전환수단을 통하여 접속되어있고, 비압축 유체를 이용한 단일의 압력발생수단을 구비하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 펌프는, 비압축 유체의 가압 또는 감압에 의해 작동하는 것을 특징으로 하는기판처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 펌프는 필터가 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 필터의 주위에 가요성을 가지는 튜브프램이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는기판처리장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 비압축 유체는, 실리콘 오일, 불소제의 오일, 물, 수온, 알콜 밒 시너로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나인 것을 특딩으로 하는 기판처리장치.
  16. 제11항에 있어서, 피처리체가 반도체 기판, 유리기판 및 세라믹 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택된하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제11항에 있어서, 처리액이 레지스트액, 현상액, 에칭액 및 세정액으로 이루어지는 군으로 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950029398A 1994-09-09 1995-09-07 기판처리방법 및 기판처리장치 KR0167481B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-240806 1994-09-09
JP24080694A JP3230128B2 (ja) 1994-09-09 1994-09-09 処理装置
JP26191694A JP3164739B2 (ja) 1994-09-30 1994-09-30 塗布膜形成方法及びその装置
JP94-261916 1994-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960012286A true KR960012286A (ko) 1996-04-20
KR0167481B1 KR0167481B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=26534934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950029398A KR0167481B1 (ko) 1994-09-09 1995-09-07 기판처리방법 및 기판처리장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5665200A (ko)
KR (1) KR0167481B1 (ko)
TW (1) TW294821B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100427163B1 (ko) * 1997-06-11 2004-07-07 동경 엘렉트론 주식회사 처리시스템
KR100521701B1 (ko) * 1996-11-27 2006-01-12 동경 엘렉트론 주식회사 도포막형성장치및도포막형성방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW346649B (en) * 1996-09-24 1998-12-01 Tokyo Electron Co Ltd Method for wet etching a film
US5904863A (en) * 1997-04-30 1999-05-18 Coates Asi, Inc. Process for etching trace side walls
SG81234A1 (en) * 1997-07-04 2001-06-19 Toyko Electron Ltd Process solution supplying apparatus
JPH1133471A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JP3320648B2 (ja) 1997-12-04 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 レジスト膜の形成方法及びレジスト膜の形成装置
US6527007B2 (en) * 1998-12-16 2003-03-04 Carl Cheung Tung Kong Fluid transfer system
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6616762B2 (en) 2000-10-13 2003-09-09 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
WO2003029133A1 (en) 2001-10-01 2003-04-10 Fsi International Fluid dispensing apparatus
US6680263B2 (en) * 2002-02-12 2004-01-20 Sandia National Laboratories Method for applying a photoresist layer to a substrate having a preexisting topology
US7449099B1 (en) * 2004-04-13 2008-11-11 Novellus Systems, Inc. Selectively accelerated plating of metal features
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7942514B2 (en) * 2006-12-21 2011-05-17 Xerox Corporation Keying elements for solid ink loader
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP6145061B2 (ja) * 2014-03-04 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 接合システムおよび接合方法
WO2016088731A1 (ja) * 2014-12-02 2016-06-09 シグマテクノロジー有限会社 マイクロ・ナノバブルによる洗浄方法及び洗浄装置
CN104808446B (zh) * 2015-05-07 2021-02-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种涂布机
JP2023032491A (ja) * 2021-08-27 2023-03-09 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
JP2843134B2 (ja) * 1990-09-07 1999-01-06 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および塗布方法
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521701B1 (ko) * 1996-11-27 2006-01-12 동경 엘렉트론 주식회사 도포막형성장치및도포막형성방법
KR100427163B1 (ko) * 1997-06-11 2004-07-07 동경 엘렉트론 주식회사 처리시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR0167481B1 (ko) 1999-02-01
TW294821B (ko) 1997-01-01
US5665200A (en) 1997-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960012286A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR950015626A (ko) 기판양면 세정장치 및 이것을 사용하는 세정방법
JP7438100B2 (ja) 印刷回路板を製造するための方法、装置及びシステム
KR970077252A (ko) 현상처리방법
WO1999034939A8 (en) Wafer container washing apparatus
FI944131A0 (fi) Menetelmä ja laite sylinterimäisten komponenttien puhdistamiseksi, joita komponentteja pyöritetään poikittain rummun sisässä nestekäsittelyssä
US20050067002A1 (en) Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing
JP2006080404A (ja) 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。
US5779816A (en) Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures
KR20010049878A (ko) 습식처리장치
TW200630169A (en) Apparatus and method of treating substrate
JPH11342360A (ja) 基板処理装置
KR100557247B1 (ko) 맥동 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
KR20180124266A (ko) 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템
JP2005019991A (ja) 基板処理装置
KR101853625B1 (ko) 카메라 렌즈의 수지세정 장치
JP2008300644A (ja) 基板の保持装置及び基板の処理方法
TW200501201A (en) Substrate processing method and apparatus
JP3963659B2 (ja) 高圧処理装置
JP2002141269A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW200305461A (en) Method and apparatus for cleaning liquid crystal display using plasma
JP3923761B2 (ja) ウェット処理装置及びウェット処理システム
KR0174990B1 (ko) 반도체 제조설비의 현상장치
KR0158615B1 (ko) 건식 감광액 제거장치
JP2001176793A (ja) 塗布や現像のための工程システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100928

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee