KR960011843B1 - 진동성의 헤드(Head)를 갖는 기억장치 - Google Patents

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다까오 고시까와
다까유끼 야마모또
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후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용없음.

Description

진동성의 헤드(Head)를 갖는 기억장치
제1도는 본 발명의 제1실시예의 원리도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 자기 기억장치를 나타내는 사시도.
제3도는 자기 기억장치에 설치되는 기억 유니트를 나타내는 사시도.
제4도는 제3도에 도시된 기억 유니트를 나타내는 분해 사시도.
제5도는 각각의 데이타 셀(cell)에 형성된 기록트랙(track)을 나타내는 도면.
제6도는 헤드 지지아암(arm)의 선단에 장착된 헤드 조립체를 나타내는 도면.
제7도는 제2도에 도시된 기억 기억장치의 회로 유니트를 나타내는 블럭도.
제8a도는 자기 기록판의 표면 위에 배열된 데이타 셀을 나타내는 도면.
제8b도는 제8a도에 도시된 데이타 셀의 각각에 형성된 기록트랙을 나타내는 도면.
제9도는 특정 데이타 셀에 기록된 데이타의 기록 동작을 나타내는 타이밍 챠트.
제10도는 기억 유니트의 제1의 변경예를 나타내는 도면.
제11도는 기억 유니트의 제2의 변경예를 나타내는 도면.
제12도는 자기 기억장치의 제조공정을 나타내는 블럭도.
제13도는 제12도에 도시된 공정에 따라 형성되는 기판을 나타내는 도면.
제14a도와 14b도는 헤드 지지아암의 구조를 나타내는 도면.
제15a도와 15b도는 자기 기록판이 제공되는 칩의 구조를 나타내는 도면.
제16도는 본 발명의 제2실시예를 나타내는 도면.
제17도는 제16도에 도시된 하나의 아암의 단부 구조를 나타내는 도면.
제18도는 제16도의 Ⅳ-Ⅳ선에 대한 단면도.
제19도는 제18도에 도시된 전자기 구동 모터의 구조를 나타내는 도면.
제20도는 아암의 선단을 나타내는 확대도.
제21도는 제2실시예의 변경예를 나타내는 도면.
제22도는 본 발명의 제3실시예를 나타내는 도면.
제23도는 제22도에 도시된 기억 유니트를 나타내는 단면도.
제24a도와 제24b도는 헤드가 장착된 아암의 동작을 나타내는 도면.
제25도는 각각의 기록트랙의 포맷(format)을 나타내는 도면.
제26도는 정보가 자기 디스크에 기록되는 기록동작을 나타내는 흐름도.
제27도는 압전소자와 모터에 대한 구동신호의 파형을 나타내는 도면.
제28도는 제2실시예의 제1변경예를 나타내는 도면.
제29도는 제3실시예의 제1변경예에 있어 압전소자와 모터에 대한 구동신호의 파형을 나타내는 도면.
제30도는 제28도에 도시된 자기 디스크 위에 형성된 기록트랙을 나타내는 도면.
제31도는 제3실시예의 제2변경예를 나타내는 도면.
제32도는 제3실시예의 제3변경예를 나타내는 도면.
제33도는 제32도에 도시된 자기 디스크 위에 형성된 데이타 셀을 나타내는 도면.
제34도는 제33도에 도시된 각각의 데이타 셀에 형성된 기록트랙을 나타내는 도면.
제35도는 제33도에 도시된 각각의 데이타 셀에 형성된 기록트랙의 다른 예를 나타내는 도면.
제36도는 본 발명의 제4실시예를 나타내는 도면.
제37도는 압전소자에 대한 동기신호, 구동신호 및 모터의 구동신호의 파형을 나타내는 파형도.
제38도는 자기헤드와 자기 기록판의 단순 조파 동작을 나타내는 도면.
제39도는 제36도에 도시된 자기 기록판 위에 형성된 기록트랙을 나타내는 도면.
제40도는 상호 인접한 기록트랙을 나타내는 도면.
제41도는 제4실시예의 제1변경예를 나타내는 도면.
제42도는 제4실시예의 제2변경예를 나타내는 도면.
본 발명은 일반적으로 자기 기억장치의 같은 기억장치에 관한 것으로, 특히 정보가 진동성의 헤드를 통해 기록매체에 기록되거나 그 기록매체로부터 재생되는 기록장치에 관한 것이다.
종래에는 자기 기억장치와 같은 기억장치가 컴퓨터 시스템의 외부 기억장치로서 사용되었다. 자기 기억장치중 하나인 종래의 자기 디스크장치에 있어서는, 자기 디스크를 소정의 속도로 회전시키고, 자기 기록헤드를 자기 디스크의 반경방향으로 이동시킨다. 이 상태에서 정보는 자기적으로 기록헤드를 통해 자기 디스크에 기록되거나 자기 디스크로부터 판독된다.
종래의 자기 디스크장치에 있어서는 자기 디스크를 회전시키기 위한 모터, 스핀들(spindle) 등의 회전구동장치, 고속으로 회전하는 자기 디스크상에 자기 기록헤드를 부상(浮上)시키는 장치, 자기 기록 디스크상의 임의의 트랙에 자기 기록헤드를 위치시키기 위한 헤드 구동장치 및 각각 고정밀성을 갖는 기타 복잡한 장치가 필요하다. 따라서 종래의 자기 디스크장치가 많은 부품으로 이뤄지므로 고밀도에서 정보가 기록될 수 있는 조건하에서 자기 디스크장치를 소형화하는 것이 어렵다.
따라서, 본 발명의 일반 목적은 상기한 종래 기술의 단점이 제거된 신규하고 유용한 기록장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 특정 목적은 반도체 제조공정을 이용하는 미세공학 기술에 의해 초소형화가 이뤄질 수 있는 기억장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 고밀도에서 정보가 기록될 수 있는 기억장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 목적은 기판, 기판 위에 설치되어 정보를 자기적으로 기억시키는 자기 기억매체, 기판 위에 설치되어 헤드 유니트를 자기 기억매체의 표면과 평행하게 반복적으로 왕복운동을 시키는 왕복운동장치로 구성되되, 헤드 유니트가 왕복운동장치에 의해 이동되는 때에, 정보가 헤드 유니트를 통해 자기 기억매체에 기록되거나 자기 기억매체로부터 재생되는 기억장치에 의해 달성된다.
본 발명에 따라, 자기 기억매체 및 왕복운동장치 모두는 하나의 기판 위에 제공되며 정보는 헤드 유니트의 왕복운동에 의해서만 자기 기록매체 위에 기록 또는 판독된다. 따라서, 기억장치의 소형화가 이뤄질 수 있다. 더우기, 자기 기억매체의 위치에서 헤드 유니트를 위치시키는 장치가 간소화될 수 있고 정보는 고밀도로 헤드 유니트를 통해 자기 기억매체에 기억될 수 있다.
본 발명의 부가적인 목적과 구조 및 잇점은 첨부된 도면에 의거한 이하의 설명으로부터 명확시 된다.
제1도를 참고로 하여 본 발명의 제1실시예가 기술된다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 자기 기억장치의 기본 구조를 도시하고 있다. 제1도에 따르면, 자기 기록매체 2는 기판 1위에 장착된다. 지지아암 4는 구동 유니트 5를 통해 기판 1위에 장착된다. 자기헤드 3은 자기 기록매체 2와 대면하도록 지지아암 4의 선단에서 지지된다. 구동 유니트 5는 지지아암 4를 구동시켜 자기헤드 3이 자기 기록매체 2의 표면과 평행인 방향으로 소정의 진폭으로 진동하게 한다.
상기한 자기 기억장치에 있어서, 자기헤드 3은 구동 유니트 5에 의해 자기 기록매체의 표면과 평행한 방향으로 진동한다.
따라서, 자기헤드 3은 자기 기록매체 2에 상대적으로 움직인다. 자기헤드가 자기 기록매체 2에 상대적으로 움직이는 동안 정보는 자기헤드 3을 통해 자기 기록매체 2에 자기적으로 기록되거나 자기 기록매체로부터 자기적으로 재생된다. 즉, 정보는 자기 기록매체 2를 회전시키지 않고 자기 기록매체에 기록되거나 그 매체로부터 재생될 수 있다.
도면을 참고하여 본 발명의 제1실시예를 설명한다.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 자기 기억장치에 대한 형상 예이다.
제2도를 참고로 하면, 자기 기억장치 11은 기억 유니트 13을 가지고 있다. 기억장치 13은 플라스틱으로 형성된 케이스 12의 만곡부 12a에 덮혀 있다. 또한, 자기 기억장치는 기억 유니트 13을 제어하기 위한 구동 제어회로 14와 판독 및 기록신호와 같은 처리신호를 위한 신호처리회로 15를 가지고 있다. 회로 유니트(14와 15)는 케이스 12의 만곡부 12a에 장착된다. 홈 12c는 케이스 12 위에 형성되어 만곡부 12a와 12b는 홈 12c를 통해 상호 연통한다. 회로 유니트(14와 15)내의 단자 및 기억 유니트 13내의 단자는 홈 12c를 통해 와이어 16에 의해 상호 연결된다. 만곡부 12a, 12b 및 홈 12c는 덮개(미도시)로 덮혀 있어 회로 유니트(14와 15)와 기억 유니트 13은 자기적으로, 전기적으로 차단된다. 다수의 핀 18은 케이스 12의 측면으로부터 돌출된다. 회로 유니트(14와 15)의 소정의 단자 및 핀 18은 케이스 12내에서 와이어 16으로 상호 연결된다.
자기 기억장치 11은 인쇄된 회로 위에 형성된 구멍으로 핀 18을 삽입하므로서 인쇄회로 기판 위에 장착된다. 케이스 12는 통상적인 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 케이스와 거의 같은 크기이거나 약간 더 크다.
기억 유니트 13은 제3도와 4도에 도시된 바와 같이 형성된다. 제3도와 4도를 참고로 하면, 기억 유니트 13은 기판 17, 자기 기록판 19 및 헤드 지지부재 21로 형성된다. 기판 17은, 예를 들어, 세라믹이나 실리콘으로 만들어진다. X방향에서 기판 17의 길이는 거의 10mm정도이다. 4각형 만곡부 17b는 기판 17의 표면 17a의 중앙에 형성된다. 4각형 만곡부 17b의 길이방향측은 Y방향에 평행하며 폭은 X방향에 평행한다. 자기 기록판 19는 기판 17의 4각형 만곡부 17b에 결속되어 4각형 만곡부 17b의 길이방향측으로 안내되는 Y방향으로 미끄러질 수 있다. 자기 기록판 19는 판과 각각 자기 필름으로 코팅된 다수의 4각형 구성으로 형성된다. 4각형 구역은 데이타 셀 18을 가리킨다. 데이타 셀 18은 매트릭스(예, 9행 14열)로 자기 기록판의 표면 위에 배열된다. 다수의 기록트랙 181, …18n은 제5도에 도시된 바와 같이 각각의 데이타 셀 18 위에서 소정의 간격으로 형성된다. 기록트랙 181, …18n은 자기 기록판 19가 기판 17의 4각형 만곡부 17b와 결속되는 조건하에서 Y방향으로 배열된다. 각각의 기록트랙 181, …18n은 원호가 되도록 형태를 이룬다.
고정측 전극 24a는 기판 17의 4각형 만곡부 17b 저면에 형성된다. 가동측 전극 24b는 자기 기록판 19의 후면에 형성된다. 자기 기록판 19가 4각형 만곡부 17b와 결속될때, 가동측 전극 24b와 고정측 전극 24a는 상호 대면하고 Y방향 정전 구동장치 24(박막 구조를 갖음)에 형성된다. 고정측 및 가동측 전극 24a와 24b 각각은 동일 간격으로 배열되도록 또는 기록트랙 181, …18n이 각각의 데이타 셀 18에 배열되는 것보다 적도록 스퍼터링(sputtering) 공정이나 에칭 공정에 의해 형성된 미세한 구조적 전극소자를 갖는다. 정전 구동장치의 세부적인 구조가 예를 들어, 일본특허출원 No. 2-099694(PCT 출원 JP91/00497에 상응)에 설명되어 있다.
구동전압이 고정측 및 가동측 전극 24a, 24b를 가로질러 인가될때, 정전력은 고정측 전극 24a와 가동측 전극 24b 사이의 Y방향으로 발생된다. Y방향의 정전력에 의해 자기 기록판 19는 기판 17 위에서 Y방향으로 미끄러지며 4각형 만곡부 17b의 길이방향 측면으로 안내된다.
헤드 지지부재 21은, 예를 들어, 세라믹이나 금속판으로 만들어진다. 헤드 지지부재 21은 측면 프레임 21e, 아암 21c 및 21d와 지지아암 21f로 구성된다. 아암 21c와 21d는 측면 프레임 21e에 거의 직각방향으로 측면 프레임 21e의 단부로부터 돌출된다. 지지아암 21f는 측면 프레임 21e에 직각인 방향에서 측면 프레임 21e의 중앙으로부터 돌출된다. 판 21a와 21b의 단부는 기판 17 위에 고정되어 아암 21c, 21d 및 지지아암 21f는 기판 17의 4각형 만곡부 17b 길이방향 측면에 평행하고 지지아암 21f는 기판 17d의 4각형 만곡부 17b 위에 위치한다. 헤드 조립체 20은 제6도에 도시된 바와 같이 지지아암 21f의 끝에 장착되며 헤드 조립체 20은 기판 17의 4각형 만곡부 17b와 결속된 자기 기록판 19 위에서 미끄러질 수 있다. 헤드 조립체 20은 MR 헤드일 수도 있으며 박막 헤드나 그와 같은 것일 수도 있다.
슬릿(slit) 21h와 21i는 아암 21c와 21d 위에 각각 형성되어 아암 21c와 21d는 기판 17 위에 고정된 판 21a와 21b 단부에 대해 X방향으로 쉽게 구부러질 수 있다. 슬릿 21j는 지지아암 21f 위에 형성되어 지지아암 21f는 측면 프레임 21e에 대해 쉽게 구부러질 수 있다. 헤드 조립체 20은 자기 기록판 19의 표면으로부터 거의 0.1㎛정도 부상될 수 있다.
지지아암 21f는 슬릿 21j에 의해 제1아암 21f1와 제2아암 21f2로 분할된다. 박막 압전소자 22와 23은 스퍼터링 공정에 의해 지지아암 21f의 제1아암과 제2아암 21f1, 21f2의 표면 위에 각각 장착된다. 각각의 압전소자 22와 23은 압전-세라믹, ZnO, PZT와 같은 것으로 형성될 수 있다. 교류 전압이 압전소자 22와 23에 각각 공급될때, 압전소자 22와 23은 공급된 교류 전압의 주파수와 함께 동기되어 반복적으로 축소 또는 확장된다. 따라서 압전소자 22와 23은 각각 확장과 축소가 되며 반대로도 또한 같다. 따라서, 이러한 경우, 압전소자 22가 제공된 제1아암 21f1과 압전소자 23이 제공된 제2아암 21f2는 또한 각각 확장 내지 축소되며 반대로도 또한 같다. 그 결과, 상호 반대의 위상을 갖는 교류 전압이 압전소자 22와 23에 공급될 때, 제1아암과 제2아암 21f1과 21f2로 구성된 지지아암 21f는 헤드 지지부재의 표면과 평행으로 진동한다. 압전소자 22와 23에 공급된 교류 전압의 진폭과 주파수는 일정 값으로 설정되므로 지지아암 21f는 기계적 공명 주파수로 진동한다. 이 경우, 지지아암 21f의 선단에 장착된 헤드 조립체 20은 적은량의 전력을 이용하여 소정의 진폭에서 단순 조파 동작으로 진동할 수 있다. 헤드 조립체 20의 진동의 크기는 데이타 셀 18(제5도 참조)의 각각의 폭 LX 보다 크다.
고정측 전극 25a는 기판 17 위에 형성된다. 가동측 전극 25b는 고정측 전극 25a와 대면하도록 측면 프레임 21e의 후면에 형성된다. 각각의 고정 및 가동측 전극 25a와 25b는 지지 공정과 같은 미세 구조 기술에 의하여 형성된 미세 구조 전극소자를 갖는다. 고정측 전극 25a와 가동측 전극 25b는 X방향 정전 구동장치 25(박막 구조를 갖음)를 구성한다. 전압이 고정측 전극 25a와 가동측 전극 25b를 교차하여 공급될때, 정전력은 고정측 및 가동측 전극 25a와 25b 사이의 X방향에서 발생한다. 정전력에 의해 아암 21c와 21d는 X방향으로 구부러지고 측면 프레임 21e는 기판 17 위에서 X방향으로 미끄러진다. 즉, 지지아암 21f 위에 장착된 헤드 조립체 20은 측면 프레임 21e의 미끄럼에 의해 X방향으로 움직인다. X방향에서 헤드 지지부재 21의 측면 프레임 21e를 움직이기 위한 X방향 정전 구동장치 25는 Y방향으로 자기 기록판 19를 움직이기 위한 Y방향 정전 구동장치 24에 대한 설명에서와 같이 동일한 구조를 갖는다.
구동제어회로 14와 신호처리회로 15를 포함하는 회로 유니트는 제7도에 도시된 바와 같이 형성된다.
제7도를 참고로 하면, 구동제어회로 14는 복호기 141, 셀 선택기 142, 트랙 선택기 143, X방향 구동장치 144와 Y방향 구동장치 145를 갖는다. 복호기 141은 외부장치(예, 제어 유니트)로부터 데이타 셀 번호 Nc와 트랙번호 Nt에 공급된 기록 데이타의 어드레스를 해독한다. 데이타 셀 번호 Nc는 제8a도에 도시된 바와 같이 자기 기록판 19 위에서 데이타 셀 18의 각 위치를 식별한다. 제8a도에 있어서, 데이타 셀은 Lc 간격의 NXN 매트릭스로 배열되며 데이타 셀 번호 Nc는 (ij)HEX'에 의해 표시된다. 트랙번호 Nc는 제8b도에 도시된 바와 같이 각각의 데이타 셀에 형성된 각각의 기록트랙에 대한 위치를 식별한다. 제8b도에 있어서, 기록트랙은 Y방향으로 행을 형성하는 X방향을 따라 확장되도록 배열되며 트랙번호 Nt는 (ab)HEX'에 의해 표시된다. 셀 선택기 142는 헤드 조립체 20이 X방향의 식별된 데이타 셀로 이동해야 하는 X이동길이와 Y방향의 식별된 데이타 셀로 이동해야 하는 제1Y이동길이를 계산한다. X이동길이와 제1Y이동길이는 헤드 조립체 20이 다음에 위치해야 할 데이타 셀을 식별하며 헤드 조립체 20이 현재 위치하는 데이타 셀과 데이타 셀 18이 배열되는 간격의 길이(Lc)를 나타내는 데이타 셀 번호 Nc를 식별하는 복호기 141로부터 공급된 데이타 셀 번호 Nc를 사용하여 계산된다. 트랙 선택기 143은 헤드 조립체 20이 Y방향의 식별된 기록트랙으로 이동해야할 제2Y이동거리를 계산한다. 제2Y방향길이는 복호기 141로부터 공급된 트랙번호 Nt에 의해 식별된 기록트랙과 헤드 조립체 20이 현재 위치한 기록트랙 사이에 기록트랙의 수에 상응한다.
X이동길이는 셀 선택기 142에서 X방향 구동장치 144에 공급된다. 제1 및 제2Y이동길이는 상호 가산되며 제1 및 제2Y이동길이를 가산하여 얻은 Y이동길이는 Y방향 구동장치 45에 공급된다. X방향 구동장치는 X이동길이에 상응하는 다수의 펄스를 갖는 X구동신호를 출력한다. X구동신호는 X방향 구동장치 144에서 X방향 정전 구동장치 25에 공급된다. Y구동신호는 Y방향 구동장치 145에서 Y방향 정전 구동장치 24에 공급된다. X범위 정전 구동장치 25는 X구동신호를 기준하여 헤드 지지부재 21을 구동시켜 헤드 조립체 20이 자기 기록판 19 위에서 X이동길이에 동일한 거리로 X방향으로 미끄러진다. Y방향 정전 구동장치 24는 Y구동신호를 기준하여 자기 기록판 19를 구동시켜서 자기 기록판 19가 Y이동길이에 의해 Y방향으로 움직인다. 그 결과 헤드 조립체 20은 데이타 셀 번호 Nc에 의하여 식별된 데이타 셀 위에서 트랙번호 Nt에 의해 식별된 기록트랙으로 이동한다.
X방향 구동장치 144와 Y방향 구동장치 145가 X구동신호와 Y구동신호 출력을 마치면 X방향 구동장치 144와 Y방향 구동장치 145는 X호출 완료신호 Sa와 Y호출 완료신호 Sb를 각각 보낸다.
구동제어회로 14는 또한 발진기 146과 지지아암 21f 위에 장착된 압전소자 22와 23을 구동시키기 위한 구동장치 147을 포함한다. 발진기 146은 소정의 주파수를 갖는 교류신호를 출력한다. 구동장치 147은 발진기 146으로부터 공급된 교류신호와 동기되는 두개의 교류 구동신ㅁ호를 출력한다. 구동장치 147로부터 출력된 교류 구동신호는 상호 반대되는 위상을 갖는다. 교류 구동신호는 구동장치 147에서 압전소자 22와 23에 공급된다. 교류 구동신호에 의해 구동되는 압전소자 22와 23의 확장과 수축에 의하여 헤드 조립체 20은 기록트랙 18을 확인하기 위해 자기 기록판 19 위에서 진동한다.
구동장치 147은 또한 발진기 146으로부터 공급된 교류신호와 동기되어 동작하는 판독/기록 타이밍 신호 Sc를 출력한다. X호출 완료신호 Sa, Y호출 완료신호 Sb 및 판독/기록 타이밍 신호는 앤드 게이트회로 148에 입력된다. 앤드 게이트회로 148로부터의 출력신호가, 판독/기록 가능신호로서, 신호처리회로 15의 판독/기록회로 153에 공급된다.
신호처리회로 15는 제1 및 제2버퍼 151과 152 및 판독/기록회로 153을 갖는다. 외부 장치로부터 공급될 기록 데이타는 임시로 제1버퍼 151에 기억된다. 판독/기록회로 153은 판독/기록 가능신호가 동작하는 시간동안 제1버퍼 151에 기억된 데이타에 따라 헤드 조립체 20을 구동시킨다.
그 결과, 데이타는 자기 기록판 19 위의 특정 데이타 셀 내에 있는 특정 기록트랙에 기록된다. 데이타 판독동작에 있어서, 판독/기록회로 153은 판독/기록 가능신호가 동작하는 시간동안 헤드 조립체 20으로부터 출력된 판독신호를 수신하여 판독신호를 판독 데이타로 변환시킨다. 판독/기록회로 153으로부터 출력된 판독 데이타는 임시로 제2버퍼 152에 기억된다. 판독 데이타는 제2버퍼 152에서 외부장치로 공급된다.
기억 유니트 13에 연결된 회로 유니트는 전원회로 16을 포함한다. 전원회로 16에는 전원 라인 V에 연결된 단자와 접지선(GND)이 있다. 전원회로 16은 구동제어회로 14와 신호처리회로 15에 직류 전압을 공급하여 구동제어회로와 신호처리회로 15가 동작하도록 한다.
기록 동작에 있어서, X호출 완료신호 Sa, Y호출 완료신호 Sb, 판독/기록 타이밍 신호 Sc, 판독/기록 가능신호 및 기록 데이타는 제9도에 도시된 타이밍 챠트에 따라 변한다. 헤드 조립체 20은 t1에서 t2로의 X이동거리에 상응하는 시간 Tx만큼 X방향으로 이동한다. X이동길이에 의하여 헤드 조립체 20의 이동이 t2에서 완료되면 호출 완료신호 Sa가 동작한다. 자기 기록판 19는 t1에서 t3로의 Y이동거리에 상응하는 시간 Ty만큼 Y방향으로 이동한다. Y이동길이에 의해 자기판 19의 이동이 t3에서 완료되면 Y호출 완료신호 Sb가 동작한다. 이때, 헤드 조립체 20은 특정 데이타 셀내의 특정 기록트랙에 위치한다.
판독/기록 타이밍 신호 Sc는 발진기 146으로부터 출력된 교류신호와 동기되어 변한다. 판독/기록 타이밍 신호 Sc가 X호출 완료신호 Sa와 Y호출 완료신호 Sb 양측이 동작하는 조건하에서 동작할때, 판독/기록 가능신호 Sd는 동작이 된다(t4-t5). 판독/기록 가능신호 Sd가 동작하는 시간(t4-t5)동안 헤드 조립체 20은 일단 특정 기록트랙을 추적하여 기록 데이타가 헤드 조립체 20을 통해 특정 기록트랙에 기록된다. 기록트랙에 대한 기록 동작이 완료될때, 다음 기록트랙에 관한 기록 동작이 시작된다. 즉, Y호출 완료신호 Sb가 t5에서 동작하지 않게되고 자기 기록판 19가 Y방향으로 기록트랙의 간격의 길이만큼 움직인다. 이때, 판독/기록 가능신호 Sd가 동작하지 않는다. 자기 기록판 19의 움직임에 의해 헤드 조립체 20이 t6에서 다음 기록트랙에 위치할때, Y호출 완료신호 Sb는 다시 동작한다. 따라서, 이 상태에 있어서는 판독/기록 타이밍 신호 Sc가 t7에서 동작하고 판독/기록 타이밍신호 Sd가 다시 동작한다.
판독/기록 가능신호 Sd가 t7에서 동작한 후 헤드 조립체 20은 헤드 조립체 20을 통해 다음 기록트랙내에 다음 기록 데이타가 기록되는 동안 일단 다음 기록트랙을 추적한다.
제1실시예에 따라, 헤드 조립체 20과 자기 기록판 19는 각각 X방향과 Y방향으로 움직이며 헤드 조립체 20은 자기판 10 위에서 미끄러지도록 단순 조파 동작의 상태에서 진동한다. 헤드 조립체 20과 자기 기록판 19를 움직이기 위한 정전 구동장치와 헤드 조립체 20을 진동시키기 위한 압전소자 22와 23은 반도체 제조공정을 이용하여 얇게 형성될 수 있다.
제10도는 기억 유니트의 변경을 도시하고 있다. 제10도에 있어서, 제3도와 제4도에 도시된 것과 같은 부분은 동일 참고 번호를 부여하였다.
제10도를 참고하면, 지기 기록판 19는 기판 17의 중앙에 깔려 있어 자기 기록판 19의 표면은 기판 17의 표면에 계속 연결되어 있다. 헤드 지지부재 21은 X방향과 Y방향 양측으로 움직일 수 있도록 장착된다. 고정측 전극 26a와 27a는 기판의 측면을 따라 기판 17 위에 형성된다. 가동측 전극 26b와 27b는 각각 고정측 전극 26a와 27a와 대면하도록 헤드 지지부재 21의 판 21a와 21b 단부의 후면에 형성된다.
고정측 및 가동측 전극 26a와 26b와 고정측 전극 27a와 27b 각각의 Y방향 정전 구동장치 26과 27을 형성한다. 각각의 Y방향 정전 구동장치 26과 27은 X방향 정전 구동장치 25와 동일한 세부구조를 갖는다.
X방향 정전 구동장치 25와 Y방향 정전 구동장치 26과 27에 의해, 헤드 조립체 20이 장착된 지지아암 21f는 X방향과 Y방향 양측으로 움직일 수 있다. 따라서 지지아암 21f 위에 장착된 헤드 조립체 20은 자기 기록판 19 위에 형성된 각각의 데이타 셀 18에 위치할 수 있다.
기억 유니트의 상기 변경에 따라, 가동측 전극 26b, 27b 및 25b는 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 반도체 제조공정을 사용하여 헤드 지지부재 21의 후면에 동시에 형성된다. 그리고 고정측 전극 26a, 27a 및 25a는 스퍼터링 공정에 의하여 기판 17 위에 동시에 형성될 수가 있다. 따라서, X방향 정전 구동장치 25와 Y방향 정전 구동장치 26과 27은 효과적으로 형성될 수 있다. 또한 자기 기록판 19가 X방향과 Y방향 양측으로 움직일 수 있는 기억 유니트를제공하는 것이 가능하다. 이 경우, 헤드 조립체 20이 장착된 지지아암 21f는 자기 기록판 19의 표면에 평행하게 진동할 수 있도록 기판 위에 고정된다.
제11도는 기억 유니트의 또다른 변경을 도시하고 있다. 제11도에 있어서, 제3도와 4도에 도시된 것과 같은 부분은 동일 참고 번호를 부여하였다.
제11도에 도시된 이러한 변경에 있어서, 구동제어회로 14와 신호처리회로 15를 포함하는 회로 유니트는 기판 17 위의 기억 유니트와 결합된다.
제11도에 도시된 이러한 변경에 따라, 자기 기억장치 11은 더 축소될 수 있다.
제12-15b도를 참고하여 자기 기억장치를 제조하기 위한 공정이 설명된다.
제12도와 13도를 참고로 하는 공정 100에 있어서, 헤드 이동장치의 다수 칩은 반도체 제조공정에 의해 소정의 규정된 패턴으로 실리콘 웨이퍼 200 위에 형성된다. 헤드 이동장치는 헤드 지지부재 21, 헤드 지지부재 21의 지지아암 21f 위에 장착된 압전소자 22와 23, X방향 정전 구동장치 25의 가동측 전극 24b와 다양한 인쇄선과 단자를 포함한다. 공정 101에 있어서, MR(자기저항 효과) 소자는 Al2O3-TiC 세라믹 위에 적층되어 헤드 조립체(MR 헤드)가 만들어진다. 공정 104에 있어서, 헤드 조립체 20은 제14a도에 도시된 바와 같이 전도성 접착에 의해 공정 100에서 실리콘 웨이퍼 200 위에 형성된 헤드 지지부재 21의 지지아암 21f 선단에 부착된다. 지지아암 21f의 선단은 제14b도에 도시된 바와 같은 구조를 갖는다. 14b도를 참고로 하면 절연층 132와 134는 압전층 133의 양 표면 위에 형성된다. 전도층 131은 절연층 132 위에 형성된다. 헤드 조립체 20은 전도성 접착제에 의하여 전도층 131에 부착된다. 헤드 조립체 20이 각각의 헤드 이동장치에 부착되는 실리콘 웨이퍼 200은 헤드 조립체 웨이퍼로서 언급된다.
헤드 조립체 20 역시 각각의 헤드 이동장치가 공정 100으로 제조되면서 만들어진다.
공정 102에 있어서, 기록판 이동장치의 다수의 칩은 반도체 제조공정에 의해 소정의 규정된 패턴으로 실리콘 웨이퍼 210 위에 형성된다. 기록판 이동장치는 Y방향 정전 구동장치 24의 고정측 전극 24a와 여러가지 인쇄된 선과 단자를 포함한다. 4각형 만곡부위 17b는 기판 17의 저면에 형성된다. 공정 103에 있어서, 자기 기록판 19는 판 위에 자기 필름을 코팅하므로서 만들어진다. 따라서, Y방향 정전 구동장치 24의 가동측 전극 24b는 자기 기록판 19의 후면에 형성된다. 공정 105에 있어서, 자기 기록판 19는 제15a와 15b도에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼 210 위에 형성된 각 칩의 기판 17에 대한 4각형 만곡부위 17b에 삽입된다. 따라서, 판(leaf)스프링 17c가 기판 17 위에 형성되어 판스프링 17c의 모서리가 4각형 만곡부위 17b내로 약간 돌출된다. 판스프링 17c는 기판 17의 4각형 만곡부로부터 자기 기록판 19가 분리되는 것을 방지한다. 자기 기록판 19가 기록판 19가 분리되는 것을 방지한다. 자기 기록판 19가 기록판 이동장치의 각 칩에서 조립되는 실리콘 웨이퍼 210은 기록판 조립체 웨이퍼로서 언급된다.
공정 106에 있어서, 공정 104에서 만들어진 헤드 조립체 웨이퍼 200과 공정 105에서 만들어진 기록판 조립체 웨이퍼 210은 상호 부착되어 헤드 조립체 웨이퍼 200 위에 있는 헤드 이동장치의 각 칩과 기록판 조립체 웨이퍼 210의 칩중 상응되는 하나와 겹쳐진다. 헤드 조립체 웨이퍼 200 위에 있는 각 칩의 가장자리와 기록판 조립체 웨이퍼 210 위의 칩중 상응되는 하나는 접착제로 상호 부착된다. 헤드 조립체 웨이퍼 200과 기록판 웨이퍼 210은 고온 결합방법에 의해 합쳐질 수 있다. 부가적으로, 헤드 조립체 웨이퍼 200과 기록판 웨이퍼 210 역시 저융점 금속으로 연결될 수 있다. 이 경우, 저융점 금속이 헤드 조립체 웨이퍼 200과 기록판 웨이퍼 210 사이에 놓이는 층적 구조는 소정 시간만큼 거의 200℃에서 가열된다. 따라서 저융점 금속이 용해되고 헤드 조립체 웨이퍼 200과 기록판 조립체 웨이퍼 210이 연결된다.
헤드 조립체 웨이퍼 200과 기록판 조립체 웨이퍼 210의 결합후, 결합된 웨이퍼는 다이싱(dicing)톱에 의해 칩으로 잘린다. 따라서, 각각의 칩은 회로 유니트 13과 함께 케이스 12내에 수납된다. 이렇게해서 제2도에 도시된 자기 기억장치 11가 완결된다.
자기 기억장치 11을 제조하기 위한 상기 공정에 따라, 헤드 조립체와 기록판 조립체가 분리되어 만들어지고 이에 따라 상호 결합되므로서, 기억 유니트 13이 쉽게 제조된다.
상기 웨이퍼는 이의 강도를 높이기 위해 세라믹(Al2O3-TiC 세라믹)으로 만들어질 수 있다.
제16도 내지 20도를 참고로 하여 본 발명의 제2실시예를 설명한다.
제16도는 기억 유니트 13의 구조를 도시하고 있다. 기억 유니트 13은 제2도에 도시된 바와 같이 회로 유니트와 함께 케이스 12내에 수납된다. 제16도를 참고로 기판은 세라믹이나 실리콘으로 만들어진다. 구역과 각 측면이 수 밀리미터(mm)인 자기 기록판 31은 기판 17 위에 장착된다. 아암 32는 기판 17 위에 제공된다. 아암 32의 폭 W1은 0.5-1mm 범위이고 이것은 두께 t1은 0.2-0.5mm 범위이다. 아암 32의 단부 32a는 기판 17 위에 장착된 결합장치 33에 의해 회전가능하도록 지지된다. 결합장치 33은 제17도와 제18도에 도시된 바와 같이 형성된다. 즉, 결합장치 33은 기판 17 위에 고정된 한쌍의 고정기구(anchor) 34-1및 34-2, 아암 32의 후면에 형성된 디스크 35와 한쌍의 파워스프링(Power Spring) 36-1과 36-2를 포함한다. 고정기구 34-1과 34-2는 디스크 35의 중심 01을 통해 선 37 위에 고정되므로 디스크 35는 고정기구 34-1과 34-2사이에 있게 된다. 파워스프링 36-1의 첫째 단은 고정기구 34-1위에 고정되고 파워스프링 36-1의 둘째 단은 디스크 35의 가장자리 위의 일점에 연결된다. 파워스프링 36-1은 시계반대방향으로 1/2바퀴 감긴다. 다른 파워스프링 36-2의 첫째 단은 다른 고정기구 34-2위에 고정되고 다른 파워스프링 36-2의 둘째 단은 디스크 35의 가장자리위 일점에 연결된다. 다른 파워스프링 36-2역시 시계반대방향으로 1/2바퀴 감긴다. 각각의 파워스프링 36-1과 36-2는 Si, Al2O2와 같은 물질로 만들어진다.
아암 32는 파워스프링 36-1과 36-2에 의해 지지된다. 파워스프링 36-1과 36-2의 탄성 변형에 의해 아암 32는 Z축 38을 중심으로 피봇될 수 있고 디스크 35의 중심 01을 통해 시계반대방향과 시계방향 A1과 A2의 거의 45°범위내에서 기판 17의 표면에 수직이다. 즉, 아암 32는 실선으로 표시된 시계방향의 단자 위치 P1과 그 중심 점선으로 표시된 시계반대방향의 단자 위치 P2상의 범위내에서 Z축 38을 중심으로 피봇될 수 있다.
결합장치 33은 전자기 구동모터 30이 제공된다. 전자기 구동모터 30은 기판 17의 표면 위에 장착된 코일 30a와 제18도에 도시된 바와 같이 디스크 35의 표면 위에 장착된 영구자석 30b로 구성되어 있다. 코일 30a와 영구자석 30b는 상호 대면하고 제19도에 도시된 바와 같이 Z축 38둘레에 방사상으로 배열된다. 구동 전류는 여자코일 30a에 공급되고 회전자계는 여자코일 30a와 영구자석 30b 사이의 공간에서 발생된다. 따라서 회전자계에 의하여, 토크는 시계반대방향 A2에서 작용한다. 즉, 토크는 아암 32의 단부 32b 위에 장착된 디스크 30에서 작용한다.
제16도를 다시 참고하면, 핑거(finger)부 40은 아암 32에 거의 수직한 방향으로 확장되도록 아암 32의 선단 32b에 장착된다. 압전소자 41과 42는 각각 핑거부 40의 양측에 고정된다.
박막 구조인 자기헤드 43과 박막 구조인 자기 저항 효과 소자 44(MR 소자)는 제20도에 도시된 바와 같이 핑거부 40의 선단에 장착된다. 박막 구조인 자기헤드 43은 정보 기록에 이용되고 MR 소자는 정보 재생에 이용된다. 압전소자 41과 42는 각각 반대 위상으로 확장 및 축소되므로 핑거부 40은 제16도에 2중 점선으로 도시된 바와 같이 방향 B1과 B2로 진동한다.
상기한 기억 유니트는 다음과 같은 방법으로 동작한다.
상호 위상이 180도 틀린 정현파 신호가 각각 지속적으로 압전소자 41과 42에 공급될때, 핑거부 40은 방향 B1과 B2에서 단순 조파 동작의 상태로 진동한다. 핑거부가 방향 B1으로 움직일때, 정보는 자기 기록판 31 위에 기록되며 각각의 기록트랙 50-1-50-n은 원호 형태가 되도록 자기판 위에 형성된다. 각각의 기록트랙 50-1-50-n의 폭 W2는 7-8㎛의 범위이다. 전자기 모터 30이 구동될때, 아암 32는 일정속도에서 시계반대방향 A1의 Z축 38 중심으로 회전한다. 아암 32의 움직임에 의해 자기헤드 43과 MR 소자 44는 기록트랙 50-1-50-n이 소정간격으로 형성된 자기 기록판 31 위에서 움직인다. 아암 32가 Z축 38둘레를 회전할때 아암 32의 선단은 원호 51을 축적하도록 움직인다. 따라서, 각각의 기록트랙 50-1-50-n과 원호 51은 거의 수직에서 교차한다.
자기헤드 43과 MR 소자 44는 다음과 같은 방법으로 특정 기록트랙 위에 위치한다.
MR 소자 44는 자기 기록판 31로부터 정보를 판독하고 반면에 핑거부 40은 진동한다. 구동신호는 전자기 모터 30에 공급되고 아암 32는 결합장치 33 중심으로 회전한다. 특정 트랙(예, 기록트랙 50-1)에 상응하는 어드레스는 자기헤드 43을 통해 판독되며 아암 32는 어드레스가 판독된 위치에서 정지한다. 그 결과, 자기 헤드 43과 MR 소자 44는, 예를 들어, 제20도에 도시된 바와 같이 기록트랙 50-1위에 위치한다. 따라서, 핑거부 40이 방향 B1으로 움직이면서 정보는 특정 기록트랙 50-1에 기록되거나 이것으로부터 판독된다.
제2실시예에 따라, 아암 32를 회전가능하게 지지하는 결합장치가 베어링이 없음으로 해서 결합장치에 마모가 없고 기억 유니트의 내구성이 향상된다. 부가적으로, 아암 32의 회전으로 인해 자기 헤드 43과 MR 소자 44는 자기 기록판 31 위에서 움직일 수 있다. 따라서, 자기 헤드 43과 MR 소자 44는 자기 기록판 31 위에서 안정되게 움직일 수 있고 특정 기록트랙 위에 정확하게 위치할 수 있다.
제2실시예에 따른 자기 기억장치는 박막 공정을 이용한 미세 공학 기술로 제조된다.
(1) 자기 기록판 31;
(2) 여자코일 30a;
(3) 고정기구 34-1과 34-2;
(4) 영구자석 30b;
(5) 파워스프링 36-1과 36-2;
(6) 디스크 35; 및
(7) 아암 32
는 상기의 순서대로 세라믹이나 실리콘으로 만들어진 기판 17 위에 형성된다.
제21도를 참고로 하여 본 발명의 제2실시예의 변경에 대하여 설명한다.
제21도를 참고하면, 제1아암 61, 제2아암 62와 제3아암 63은 기판 17A 위에 제공된다. 제1아암 61의 단부 61a는 기판 17A 위에 장착된 결합장치 33A-1에 의해 회전가능하게 지지된다. 제1아암 61은 방향 C1과 C2로 결합장치 33A-1중심으로 피봇될 수 있다. 제2아암 62의 단부 62a는 결합장치 33A-2에 의해 제1아암 61의 선단 61b에 회전가능하게 연결된다. 제2아암 62는 방향 D1과 D2로 결합장치 위에서 피봇될 수 있다. 제3아암 63의 단부 63a는 결합장치 33A-3에 의해 제2아암 62의 선단 62b에 회전가능하게 연결된다. 제3아암 63은 방향 E1과 E2로 결합장치 33A-3중심으로 피봇될 수 있다. 자기헤드 43A와 MR 소자 44A는 기판 17A 위에 고정된 자기 기록판 31A의 표면이 대면 되도록 제3아암 63의 선단 63b 위에 장착된다. 결합장치 33A-1, 33A-2 및 33A-3은 각각 전자기 구동모터 30A-1, 30A-2 및 30A-3은 제19도에 도시된 것과 동일한 구조를 하고 있다.
제1아암 61, 제2아암 62 및 제3아암 63은 결합장치에 의해 각각 방향 C1, D1및 E1으로 소정의 속도비로 회전한다. 따라서 제3아암 63은 제21도에서와 같이 방향 F1으로 선형으로 움직인다. 제1아암 61, 제2아암 62 및 제3아암 63은 속도비로 방향 C2, D2및 E2로 각각 회전되므로 제3아암 63은 방향 F2로 선형으로 움직인다. 제2아암 62가 방향 D1과 D2로 결합장치 33A-2중심으로 회전할때 제3아암 63은 방향 G1과 G2를 따라 선형으로 움직인다.
제3아암 63이 방향 F1과 F2및 방향 G1과 G2로 선형으로 움직일때, 정보는 자기 기록판 31A 위에 기록되며 선형 기록트랙 70-1-70-n은 소정의 간격에서 자기 기록판 31A 위에 형성된다. 제3아암이 방향 F1과 F2로 움직이는 동안 자기헤드 43(44)는 기록트랙 70-1-70-n을 교차하여 선형으로 움직인다.
제2실시예의 변경에 따라, 기록트랙이 자기 기록판 31A가 효과적으로 이용될 수 있다. 부가적으로, 비록 트랙을 벗어나는 일이 발생하더라도 재생된 신호의 위상은 변하지 않는다. 따라서 자기헤드 43으로부터 출력된 신호를 처리하기가 쉽다.
제22도 내지 제27도를 참고로 하여 본 발명의 제3실시예를 설명한다.
제22도는 본 발명의 제3실시예에 따른 자기 기억장치의 기본 부품을 도시하고 있다. 제22도를 참고하면, 기판 111은 세라믹이나 실리콘으로 만들어진다. 자기 디스크 112는 기판 111의 중앙에 장착된 샤프트 113에 의해 회전가능하게 지지된다. 자기 디스크 112의 직경은, 예를 들어, 거의 10mm이다. 헤드 지지아암 116은 기판 111 위에 제공된다. 헤드 지지아암 116의 단부는 기판 111 위에 고정된 블럭 117 위에 장착된다.
헤드 지지아암 116은 샤프트 113의 중심을 통해 Y축 115에 평행인 방향에서 자기 디스크 112쪽을 향한다. 헤드 지지아암 116의 선단은 Y축 115에 수직인 샤프트 113의 중심을 통해 X축 114 위에 위치한다. 정보 기록을 위한 기록헤드 118과 정보 재생을 위한 MR 소자 119는 헤드 지지아암 116의 선단에 장착된다. 기록헤드 118과 MR 소자 119는 헤드 조립체를 형성하고 헤드 조립체는 자기 디스크 112 위에 미끄러진다. 슬릿은 헤드 지지아암 116의 중앙에 형성된다. 헤드 지지아암 116의 양측은 각각 ZnO 또는 PZT로 만들어진 압전소자 120-1과 120-2가 제공된다. 정전 스테핑(stepping)모터 121은 제23도에서와 같이 자기 디스크 112와 기판 111 사이에 형성된다. 정전 스테핑모터 121은 로터(rotor) 122와 고정자 123을 포함한다. 로터 122는 샤프트 113 위에 회전가능하게 장착되고 자기 디스크 112는 로터 122의 표면 위에 고정되어 자기 디스크 112가 샤프트 113에 의해 회전가능하게 지지된다. 고정자 123은 소정의 틈이있는 로터 122을 둘러싸기 위해 장착된다.
상기의 구조로 된 기억 유니트 110은 박막 공정에 의해 미세공학 기술로 제조된다. 기억 유니트 110은 제2도에 도시된 바와 같이 회로 유니트 186(LSI)과 함께 케이스 12내에 수납된다. 회로 유니트 186은 제22도와 같이 신호처리회로 188, 압전소자 구동회로 184와 모터 구동회로 185를 포함한다.
자기 디스크 112 위에서 위치를 표시하는 위치 정보 140은 제22도에서와 같이 자기 디스크 112의 가장자리에 먼저 기록되어 있다. 기록 및 재생 동작은 다음과 같이 수행된다.
자기 디스크 112가 회전하지 않은 상태에서, 상호 반대의 위상을 갖는 교류전압인 구동신호는 압전소자 120-1과 120-2의 축소 및 확장에 의해 헤드 지지아암 116은 제24a도에서와 같이 방향 X1과 X2에서 단순 조파 동작으로 2-3천 헬츠(KHz)에서 진동한다. 헤드 지지아암 116의 진동에 의해 기록헤드 118은 자기 디스크 112의 반경방향에서 반복운동을 하므로 내부에서 외부로 확장되는 기록트랙 141-1이 자기 디스크 112 위에 형성된다. 신호는 기록헤드 118을 통해 기록트랙 141-1위에 기록된다.
따라서, 정전 스테핑모터는 소정의 스텝으로 회전되도록 하기 위해 구동된다. 그리고 자기 디스크 112는 제24b도와 같이 소정의 각도와 멈춤으로 회전한다. 이 상태에서, 헤드 지지아암 116은 단순 조파 동작으로 진동하므로 기록트랙 141-2는 자기 디스크 112의 다른 위치에서 형성된다. 헤드 지지아암 116의 진동과 정전 스테핑모터 121의 회전은 교대로 수행되어 방사상으로 배열된 다수의 기록트랙을 포함하는 트랙 패턴 142는 자기 디스크 112 위에 형성된다. 트랙패턴 142가 자기 디스크 112의 전체 표면에 형성되므로서 다수의 정보가 자기 디스크 112 위에 기록될 수 있다.
압전소자 120-1과 120-2에 대한 각각의 구동신호 주파수는 헤드 지지아암 116의 장치에 대한 공명 주파수와 실질적으로 동일하다. 따라서, 헤드 지지아암 116은 적은 전력으로 안정되게 진동할 수 있으며 기록트랙 141은 자기 디스크 112 위에 정확하게 형성될 수 있다.
정보는 제25도에서와 같이 데이타 포맷에 따라 각각의 기록트랙에 기록된다. 제25도에서, 위치정보, 40은 자기 디스크 112의 주변 위에 위치하는 각각의 기록트랙 141영역에 기록된다. 그리고 각각의 기록트랙 141의 다른 영역에는 기록 데이타 143이 제공된다.
자기 기억장치의 세부동작은 제26도와 27도를 참고로 하여 설명된다.
제26도를 참고하면, 스텝 1은 현재 MR 소자 119가 위치하는 기록트랙으로부터 정보를 판독한다. 이 시점에서, 모터 구동회로 185로부터의 출력 전압은 제27도에서 주기 151-1로 나타난 바와 같이 제로이다. 따라서, 정전 스테핑모터 121이 멈추고 자기 디스크는 회전하지 않는다. 압전 구동회로 184는 제27도에 150-1로 표시된 교류전압의 구동신호를 압전소자 120-1과 120-2에 공급한다. 따라서, 압전소자 120-1과 120-2는 구동되고 헤드 지지아암 116은 단순 조파로 진동한다. 헤드 지지아암 116의 진동중, 데이타는 MR 소자 119를 통해 기록트랙으로부터 판독된다. 스텝 2는 위치 정보를 분석한다. 즉, 신호처리회로 188가 기록트랙으로부터 판독한 데이타를 기준으로 위치정보를 분석한다. 스텝 3은 기록헤드 118과 MR 소자 119가 현재 위치하고 있는 기록트랙과 다음에 데이타가 기록되거나 판독되도록 트랙 사이의 차이에 상응하는 소정의 각도에 의해 자기 디스크 112를 회전시킨다. 즉, 신호처리회로 188은 기록헤드 118이 위치하는 기록트랙과 다음에 데이타가 기록되거나 판독될 기록트랙 사이의 차이를 계산한다. 그리고 모터 구동회로 185는 제27도에서 151-2로 나타난 신호처리회로 188에 의해 계산된 차이에 상응하는 다수의 펄스를 가진 구동신호를 출력한다. 정전 스테핑 모터 121은 소정의 다수 스텝에 대한 구동신호에 의해 구동된다. 따라서 구동신호가 제27도에서 151-3으로 나타난 바와 같이 동작하지 않으면 정전 스테핑 모터 121은 정지한다. 소정의 각도에 의한 자기 디스크 112의 회전으로 MR 소자 119는 다음에 판독되어야 할 데이타 위의 기록트랙에 도달한다.
스텝 4는 기록트랙 위에 데이타를 기록하여 판독한다. 이 경우, 압전소자 구동회로 184는 제27도에 있는 150-2로 나타난 구동신호를 출력시키고 아암 116은 자기 디스크 112가 정지한 상태에서 단순 조파 동작으로 진동한다. 헤드 지지아암 116의 진동중 데이타가 MR 소자 119를 통해 기록트랙으로부터 판독되거나 데이타가 기록헤드 118을 통해 기록트랙 위에 기록된다. 자기 디스크 112로부터 판독된 데이타는 신호처리회로 33에서 자기 기억장치의 외측이 제공된 랜덤 액세스 메모리(RAM) 187에 전송되어 데이타가 그 안에 기록된다. RAM 187내에 기억된 데이타는 외부 유니트에 의해 접근이 가능하다.
제28, 29 및 30도를 참고로 하여 제3실시예의 제1변경에 대해 설명한다. 제28도에 있어서, 제22도에 도시된 부분과 같은 것은 동일한 참고 번호가 부여된다.
제28도를 참고로 하면, 기억 유니트 110은 Y방향에서 헤드 지지아암 116을 움직이기 위한 수단을 갖는다. 즉, 아암 116이 장착된 것 위의 블럭 117을 움직이기 위한 정전 모터 160은 기판 11에 형성되고 정전 모터 160을 구동시키기 위한 모터 구동회로 161은 회로 유니트 186과 함께 제공된다.
제22도에 도시된 기억 유니트 110에 있어서, 기록트랙 141은 자기 디스크 112내에 방사상으로 배열된다. 따라서 인접 기록트랙 사이의 틈 g1은 자기 디스크 112의 외측구역 62에서는 크다. 자기 디스크 112의 외측구역 62는 데이타를 기록하기 위해 효과적으로 사용되지 못한다. 제3실시예의 변경에 있어서, 기록트랙 역시 자기 디스크 112의 외측구역 62에 형성된다. 외측구역 62에 형성된 기록트랙은 상호 겹치는 것을 방지하기 위해 상기한 정상적인 방법으로 자기 디스크 112에 방사상으로 형성된 기록트랙보다 짧아야 한다. 따라서, 자기 디스크 112의 외측구역 62에 형성된 각각의 기록트랙은 짧은 기록트랙으로 언급된다.
정전 모터 160은 n이 정수보다 적은 틈 g1의 각 스텝이 하나의 n차인 스텝별로 구동된다. 짧은 기록트랙은 다음과 같은 기록트랙 사이의 외측구역 62에 형성된다.
기록트랙 140-1과 140-2가 제3실시예에 기술한 방법으로 방사상으로 형성된 후, 짧은 기록트랙 140-1-1과 140-1-4가 예를 들어, 제30도에서와 같이 형성된다. 정전 스테핑 모터 121의 회전에 의해, 기록헤드 118은 기록트랙 140-1위에 위치한다. 이후, 압전소자 120-1과 120-2에 전송된 압전소자 구동신호 150와 정전모터 160에 전송된 모터 구동신호 152는 제29도에 도시된 바와 같이 교대로 동작한다. 따라서 Y방향의 헤드 지지아암 116의 움직임과 단순 조파 동작에서 헤드 지지아암 116의 진동은 교대로 반복되어 짧은 기록트랙 140-1-1-140-1-4는 제30도에 도시된 것과 같이 기록트랙 140-1과 140-2사이의 외측구역 64 위에 성공적으로 형성된다. 이 경우, 단부위치 P1, P2, P3및 P4에 관련되는 정보는 위치 정보로서 자기 디스크 112에 기록된다. 그리고 짧은 기록트랙 140-1-1-140-1-4는 끝점(end point) P1, P2, P3및 P4와 자기 디스크 112의 가장자리 위 일점 사이에 각각 형성된다.
제3실시예의 제1변경에 따라, 짧은 기록트랙은 외측구역 62에 형성되고 대량의 정보가 자기 디스크 112 내에 기억될 수 있다.
정전 스테핑 모터 121의 미세 스테핑 동작에 의해 짧은 기록트랙이 Y방향으로 헤드 지지아암을 움직이지 않고 외측구역 62에 형성될 수 있다.
제31도를 참고로 하여 본 발명의 제3실시예에 대한 차 변경이 설명된다. 제31도에서 제22도와 같은 부분으로 나타나는 것은 동일 참고 번호를 부여하였다.
제3실시예의 제2변경에 있어서, 기록헤드 118과 MR 소자 119는 X방향에서 선형으로 움직인다. 제31도를 참고로 하면, 아암 170a와 170b, 측면 프레임 170c가 있는 헤드 지지부재 170과 Y방향에서 측면 프레임 170c로부터 돌출되는 헤드 지지아암 170d는 제3도에 도시된 제1실시예의 것과 동일한 방법으로 기판 111 위에 제공된다. 단부(end portion) 170a-1과 170b-1은 기판 111 위에 고정된다. 기록헤드 118과 MR 소자 119는 자기 디스크 112 위에서 미끄러지도록 헤드 지지아암의 선단에 장착된다. 조합전극을 갖는 정전 구동장치 171a와 171b는 아암 170a와 170b의 단부 170a-1과 170b-1에 인접하여 각각 제공된다. 회로 유니트 186은 구동장치 구동회로 172와 함께 제공된다. 구동장치 구동회로 172는 정전 구동장치 171a와 171b를 구동시키기 위해 구동신호 153을 출력한다. 정전 구동장치 171a와 171b는 X방향으로 움직이도록 구동신호에 의해 구동되며 아암 170a와 170b는 X방향으로 구부러진다. 그 결과 측면 아암 170c와 헤드 지지아암 170d는 X방향에 선형으로 움직인다. 헤드 지지아암 170d가 X방향에 선형으로 움직이면서 정보는 기록헤드 118을 통해 기록되므로 선형 기록트랙은 자기 디스크 112 위에 형성된다. 기록 동작이 반복될때, 선형 기록트랙은 제31도에 도시된 바와 같이 자기 디스크 위에 형성된다.
제32, 33, 34 및 35도를 참고로 하여 본 발명의 제3실시예에 대한 제3변경을 설명한다. 제32도에 있어서, 제22도와 같은 부분의 것은 동일 참고 번호를 부여하였다.
제32도를 참고로 하면, 자기 디스크 112는 기판 111 위에 회전가능하게 장착된다. 다수의 데이타 셀 180은 제30도에서 처럼 방사 방향으로 자기 디스크 112A 위에 배열된다. 데이타 셀 180은 상호 동일한 크기를 가지며 이들 각각은 부재 형태의 형상을 갖는다. 압전소자 120-1과 120-2는 헤드 지지아암 170d의 양측에 장착된다. 자기 디스크 121은 모터 구동회로 185로부터 출력된 구동신호에 의해 구동되는 정전 스테핑 모터로 회전된다. 그리고 헤드 지지아암 170d는 구동장치 구동회로 172로부터 출력된 구동신호 153으로 구동되는 정전 구동장치 171a와 171b에 의해 X방향에서 선형으로 움직인다. 자기 디스크 112의 회전과 헤드 지지아암 170d의 움직임으로 기록헤드 118과 MR 소자 119는 자기 디스크 121 위의 각 데이타 셀 180 위에 놓인다.
자기헤드 118과 MR 소자 119가 데이타 셀 180-10위에 위치한 상태에서 압전소자 120-1과 120-2는 압전 구동회로 184로부터 출력된 구동신호 150에 의해 구동된다. 압전소자 120-1과 120-2의 구동으로 헤드 지지아암 170d가 진동하면서 정보가 데이타 셀 180-10에 기록되므로 기록트랙은 데이타 셀 180-10위에 형성된다. 따라서 각각의 기록트랙의 형성이 완료될 때마다 자기 디스크 121은 소정의 각도로 회전한다. 결과, 다수의 기록트랙 181은 데이타 셀 180-10위에 방사상으로 형성되므로 트랙패턴 182는 제34도와 같이 그 위에 형성된다. 각각 상호의 데이타 셀 위에서 트랙패턴은 데이타 셀 180-10과 동일 방법으로 형성된다.
정보는 제25도에 나타난 포맷에 따라 각각의 기록트랙 181에 기록된다.
짧은 기록트랙 183은 제35도에서 처럼 상기의 방법으로 형성된 기록트랙 181 사이에 위치하는 자기 디스크의 외곽부 위에 기록될 수 있다.
데이타 셀 180의 크기는 상호 거의 동일하므로 데이타 셀 180의 데이타 용량은 거의 서로 같다. 그 결과, 데이타는 쉽게 처리될 수 있다.
제36도 내지 제40도를 참고로 하여 본 발명의 제4실시예가 설명된다.
제36도는 본 발명의 제4실시예에 따른 자기 기억장치의 구조를 나타내고 있다. 제36도를 참고하면, 자기 기록판 222는 세라믹이나 실리콘으로 만들어진 기판 221 위에 움직일 수 있게 장착된다. 자기 기록판 222는 각각의 측면이 2-3밀리미터(mm)인 사각형이다. 자기 기록판 222는 Y방향에서 정전모터 223에 의해 움직인다. 자기 기록판 222는 그 위에 형성된 각각의 기록트랙에 위치 정보를 가지고 있지 않다. 헤드 지지아암 224의 단부는 기판 221 위에 장착된 블럭 225 위에 고정된다. 헤드 지지아암 224는 Y방향으로 확장된다. 슬릿 224a는 헤드 지지아암 224의 중앙에 형성된다. 그리고 각각 ZnO2로 만들어진 압전소자 226-1과 226-2는 각각 헤드 지지아암 224의 측면에 장착된다. 정보를 기록하기 위해 이용되는 자기헤드 227과 정보를 재생하기 위해 이용되는 MR 소자 228은 자기 기록판 222의 표면 위에서 미끄러지도록 헤드 지지아암 224의 선단에 장착된다.
상기의 구조를 갖는 자기 기억장치 222는 박막 공정을 이용하는 미세 공학 기술에 따라 만들어진다. 기억 유니트는 제2도에서와 같이 회로 유니트와 함께 케이스내에 수납된다. 회로 유니트 232는 제36도와 같이 신호처리회로 233, 압전소자 구동회로 234 및 모터 구동회로 235를 포함한다.
압전소자 구동회로 234와 모터 구동회로 235는 신호처리회로 233에서의 동작과 관계없이 정현파 신호를 출력한다. 제37a도에서와 같은 동기화 신호는 외부 유니트에서 압전소자 구동회로 234와 단자 240을 통해 모터 구동회로 235에 전송된다. 압전소자 구동회로 234는 동기신호 241과 동기하여 제37b도에 나타난 것처럼 정현파 형태를 갖는 구동신호 242를 출력한다. 압전소자 226-1과 226-2의 구동에 의해 헤드 지지아암 224는 X방향에서 진동한다. 그리고 자기헤드 227과 MR 소자 228은 제38a도에 도시된바와 같이 2-3천 주파수(KHz)에 파형으로 나타난 단순 조파 동작으로 진동한다. 모터 구동회로 235는 동기신호 241과 동기하여 제37c도에 나타난 것처럼 정현파 형태를 갖는 구동신호 244를 출력한다. 정전 모터 223은 구동신호 244에 의해 구동된다. 정전 모터 223의 구동으로 자기 기록판 244에 의해 구동된다. 정전 모터 223의 구동으로 자기 기록판 222는 제38b도에서 2-3십 헬츠(Hz)의 주파수 파형으로 나타난 것처럼 Y방향에서 단순조파 동작으로 진동한다. 파형 245(자기 기록판 222)으로 나타난 단순 조파 동작의 주기 T1과 파형 243(압전소자 226-1과 226-2)으로 나타난 단순 조파 동작의 주기 T2가 결정되고 비율 T1/T2는 예를들면 150이다. 비율 T1/T2가 100보다 큰 것이 바람직하다.
자기헤드 227과 MR 소자 228이 진동하는 상태에서, 자기헤드 227과 MR 소자 228은 방향 X1에서 자기 기록판 222 위에서 미끄러지면 데이타는 자기헤드 227을 통해 자기 기록판 222 위에 기록되거나 데이타가 MR 소자 228을 통해 자기 기록판 222로부터 재생된다. 자기헤드 227과 MR 소자 228이 X2방향에서 자기 기록판 222 위에서 미끄러지면 데이타의 기록이나 재생이 실행되지 않는다.
자기 기록판 222가 Y1방향에 움직이는 것이 진행단계 S1으로 언급되는 경우와 자기 기록판 222가 Y1방향과 반대인 Y2방향에서 움직이는 것이 복귀단계 S2로 언급되는 경우, 진행단계 S1에 있어서 자기 기록판 222의 모서리는 제36도에 도시된 것처럼 P1에서 P2로 움직인다. 반면에 자기 기록판 222는 Y방향으로 움직이고 자기헤드 227과 MR 소자 228은 진동한다. 따라서 자기헤드 227과 MR 소자 228은 제39a도에 도시된 바와 같이 출발점 250에서 선회점 251,252,253,254,256 및 257을 통해 끝점(end point) 258에 지그자그(Zigzag)로 자기 기록판 222를 주사한다. 즉 자기헤드 227(MR 소자 228)의 지그자그 궤적 260은 자기 기록판 222의 표면 위에 형성된다.
자기 기록판 222의 모서리가 점 P2에 도달할때 자기 기록판 222는 복귀되어 Y2방향으로 움직인다. 즉, 복귀단계 S2가 시작된다. 복귀단계 S2에 있어서, 자기 기록판 222는 Y2방향으로 움직인다. 자기 기록판 222가 Y2방향으로 움직이면 자기헤드 227과 MR 소자 229은 단순 조파 동작으로 진동한다. 따라서 자기헤드 227과 MR 소자 228은 제39b도에 도시된 바와 같이 선회점 257a, 256a, 255a, 254a, 253a, 252a 및 251a를 통해 끝점 58에서 일점 50a에 지그자그로 복귀되면서 자기 기록판 222를 주사한다. 즉, 자기헤드 227(MR 소자 228)의 지그자그 형태를 띈 궤적 261은 자기 기록판 222의 표면 위에 형성된다. 여기서, 자기헤드 227(MR 소자 228)의 지그자그 형태를 띈 궤적 261은 자기 기록판 222의 표면 위에 형성된다. 여기서, 자기헤드 227(MR 소자 228)의 단순 조파 동작이 자기 기록판 222의 것과 동기되므로서 복귀단계 S2내의 선회점 51a-57a는 진행단계 S1내에 형성된 지그자그 형태를 띈 궤적 260과 복귀단계 S2내에 형성된 지그자그 형태를 띈 궤적 261이 겹친다.
진행단계 S1에 있어서, 제39a도에서 실선으로 표시된 기록트랙 265-1, 265-2, 265-3및 265-4위에 기록된다. 제39a도에 나타난 점선 위에는 트랙이 형성되지 않는다.
복귀단계 S2에 있어서, 제39b도에 실선으로 표시된 기록트랙 265-5, 265-6, 265-7및 265-8은 자기 기록판 222위에 형성된다. 즉, 정보는 복귀단계 S2의 자기헤드 227을 통해 기록트랙 265-5, 265-6, 265-7및 265-8위에 기록된다. 자기헤드 227에 전송되지 않는다. 따라서, 정보는 점선 위에 기록되지 않는다.
그 결과, 기록트랙 265-1-265-8에 형성된 지그자그 트랙패턴 266은 제38c도에 도시된 바와 같이 자기 기록판 222 위에 형성된다.
제4실시예에 따라, 자기헤드 227(MR 소자 228)의 단순 조파 동작과 자기 기록판 222의 단순 조파 동작이 상호 동기되므로 자기헤드 227(MR 소자 228)은 항상 정확하게 기록트랙 265-1-265-8을 추적할 수 있다. 따라서, 기록트랙 265-1-265-8위의 위치 정보도 위치 정보를 기준한 자기 기록판 222 위의 자기헤드 227(MR 소자 228)에 대한 위치를 제어하는 것도 필요치 않다. 그 결과, 자기 기억장치 220은 쉽게 제어될 수 있다.
제39c도에 도시된 자기 기록판 222 위에 형성된 기록트랙 265-1-265-8에 있어서, 각각의 기록트랙의 끝은 인접 기록트랙의 끝과 함께 겹쳐진다. 예를 들어, 기록트랙 265-2와 265-8의 경우, 기록트랙 265-8의 단부 67은 제40도에 도시된 바와 같이 정보를 기록하기 위해 이용되지 않는다.
MR 소자 228이 XI방향으로 움직이면서 정보는 MR 소자를 통해 재생된다. MR 소자 228로부터 출력된 재생신호는 신호처리회로 233에 의해 처리되고 단자 238로부터 출력된다.
제41도는 본 발명의 제4실시예에 대한 제1변경을 도시하고 있다. 제1변경에 있어서, 자기 기록판 222는 기판 221 위에 고정되고 자기헤드 227을 지지하는 지지아암 224와 MR 소자 228은 2-3십 헬츠(Hz)로 Y방향에서 단순 조파 동작을 하는 정전 모터 270에 의해 진동한다. X방향과 Y방향 양측에서 헤드 지지 아암 224의 단순 조파 동작은 상호 동기화된다.
제42도는 본 발명의 제4실시예에 대한 제2변경을 도시하고 있다. 제2변경에 있어서, 다수의 데이타 셀 280은 자기 기록판 222의 표면 위에 형성된다. 자기헤드 227과 MR 소자 228은 정전 모터 223과 281에 의해 각각의 데이타 셀 280 위에 위치한다. 각각의 데이타 셀 280에 있어서, 지그자그 트랙패턴은 제39c도에 도시된 바와 같이 형성된다. 회로 유니트 232는 접근될 데이타 셀을 식별하기 위한 데이타 셀 식별회로 285와 함께 제공된다. 모터 구동회로 286과 287은 각각 데이타 셀 식별회로 285로부터 전송된 제어신호를 기준으로 정전 모터 281과 223을 구동시킨다.
본 발명은 상기에 언급한 실시예에 한정되지 않으며 변경과 수정이 발명의 청구범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있다.

Claims (66)

  1. 기판, 상기 기판 위에 설치되어 정보를 자기적으로 기억시키는 자기 기억매체, 헤드 유니트 및 상기 기판상에 설치되어, 상기 헤드 유니트를 상기 기억매체의 표면과 평행하게 반복적으로 왕복운동시키는 왕복운동장치로 구성되되, 상기 헤드 유니트가 상기 왕복운동장치에 의해 이동되는 때에 정보가 상기 헤드 유니트를 통해 상기 자기 기억매체에 기록되거나 그 매체로부터 재생되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 상기 헤드 유니트를 상기 자기 기억매체의 표면에 평행한 평면으로 단순 조파 동작으로 진동시키는 진동장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 상기 헤드 유니트가 장착된 지지부재와 상기 지지부재를 구동시켜 그 위에 장착된 헤드 유니트가 왕복운동을 하게 하는 구동장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 헤드 유니트는 상기 헤드 유니트가 상기 자기 기억매체의 표면과 접촉하는 조건하에 상기 지지부재 위에 장착되며 이에 따라 상기 헤드 유니트가 왕복운동을 하면서 상기 헤드가 상기 기억매체의 표면 위에 미끄러지는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 지지부재는 아암부재, 상기 기판 위에 제공된 부재 위에 고정되는 상기 아암의 첫째 단, 상기 자기 기억매체 위에 위치하는 상기 아암부재의 둘째 단과 상기 아암부재의 상기 둘째 단 위에 장착된 상기 헤드 유니트를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 구동장치는 제1압전소자와 제2압전소자를 가지며, 상기 제1 및 제2압전소자는 상기 아암부재의 양 측면 위에 장착되며, 상기 제1 및 제2압전소자가 각각 교대로 축소 및 확장되면서 상기 아암부재가 상기 자기 기억매체의 표면에 평행하게 진동하여 상기 헤드 유니트가 왕복운동을 하게 하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 헤드 유니트는 상기 자기 기억매체내에 정보를 기억하기 위해 이용되는 전도성 자기헤드와 상기 자기 기억매체로부터 정보를 재생하기 위해 이용되는 자기 저항소자를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판 위에 설치된 위치 조정장치로 더 구성되며, 상기 위치 조정장치는 상기 헤드 유니트를 상기 자기 기억매체 위의 위치에 놓는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 위치 조정장치는 상기 헤드 유니트와 상기 왕복운동장치를 상기 자기 기억매체에 평행한 제1방향으로 움직이는 제1장치와 상기 자기 기억매체를 상기 자기 기억매체의 상기 표면에 평행한 제2방향으로 움직이는 제2장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1방향과 제2방향은 상호 수직인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1방향은 상기 헤드 유니트가 왕복운동을 하는 방향에 거의 평행인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 상기 헤드 유니트가 장착된 지지부재와 상기 지지부재를 구동시켜 그 위에 장착된 상기 헤드 유니트가 왕복운동을 하게 하는 구동장치를 가지며, 상기 제1장치는 상기 기판 위에 제공된 고정측 전극과 상기 지지부재 위에 제공된 가동측 전극을 대면하는 제1정전 구동장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2장치는 상기 기판 위에 제공된 고정측 전극과 상기 자기 기억매체의 후면에 제공된 가동측 전극을 가지므로서 상기 가동측 전극과 상기 고정측 전극이 대향되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 위치 조정장치는 상기 헤드 유니트 및 상기 왕복운동장치를 상기 자기 기억매체의 표면에 평행인 제1방향으로 움직이는 제1장치와 상기 헤드 유니트 및 상기 왕복운동장치를 상기 자기 기억매체의 표면에 평행인 제2방향으로 움직이는 제2장치가 있는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1방향과 제2방향은 상호 수직인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1방향은 상기 헤드 유니트를 왕복운동하게 하는 방향으로 거의 평행인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  17. 제8항에 있어서, 상기 위치 조정장치는 상기 자기 기억매체의 평행인 제1방향으로 상기 자기 기억매체를 움직이는 제1장치와 상기 자기 기억매체의 상기 표면에 평행인 제2방향으로 상기 자기 기억매체를 움직이는 제2장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2방향은 상호 수직인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1방향은 상기 헤드 유니트가 왕복운동하는 방향에 거의 평행인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  20. 제8항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 상기 헤드 유니트가 장착된 지지부재와 상기 지지부재를 구동시키므로서 상기 헤드 유니트가 왕복운동을 하게 하는 구동장치를 가지며, 상기 위치 조정장치는 소정의 축 중심으로 상기 지지부재를 회전시켜서 상기 헤드 유니트가 상기 자기 기억매체 위의 소망위치에 위치하는 회전장치를 가지는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 회전장치는 시계반대방향의 축 둘레에 감긴 제1파워스프링과 시계방향의 축 둘레에 감긴 제2파워스프링 및 축 둘레에 상기 지지부재를 회전시키는 정전 구동모터를 가지며, 상기 지지부재는 상기 제1 및 제2파워스프링에 의해 회전가능하게 지지되어 제1 및 제2파워스프링으로 야기된 힘이 축 둘레에 적용되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 정전 구동모터가 상기 지지부재 위에 장착된 영구자석과 상기 기판 위에 장착된 코일을 가지므로서 상기 영구자석과 상기 코일이 상호 대면되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  23. 제8항에 있어서, 상기 기억매체는 자기 디스크이며, 상기 위치 조정장치는 상기 자기 디스크를 한단계씩 회전시키는 디스크 회전장치를 가지므로서 상기 헤드 유니트가 상기 자기 디스크의 위치에 놓이는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 자기 기억매체상에는 방사상으로 형성된 기록트랙이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 기록트랙은 상기 자기 디스크의 주변 구역 위의 각각 2개의 제1트랙 사이에 형성된 제1트랙과 제2트랙을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  26. 제23항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 상기 헤드 유니트가 상기 자기 디스크의 방사상의 방향으로 왕복운동을 하게 하므로서 상기 자기 디스크의 회전과 상기 헤드 유니트의 왕복운동에 의해 제1기록트랙이 상기 자기 디스크 위에 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 위치 조정장치는 상기 헤드 유니트를 한 스텝씩 소정의 방향으로 움직이게 하는 이동장치를 더 포함하므로 상기 이동장치에 의한 상기 헤드 유니트의 이동과 상기 헤드 유니트의 왕복운동에 의해 제2기록트랙이 상기 자기 디스크 위의 인접 제1기록트랩 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 각각의 제1기록트랙들은 상기 각각의 기록트랙들 보다 긴 것을 특징으로 하는 기억장치.
  29. 제23항에 있어서, 상기 디스크 회전장치는 상기 자기 디스크를 회전가능하게 지지하는 샤프트와 상기 샤프트 중심으로 상기 자기 디스크를 회전시키는 정전 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 정전 모터는 상기 샤프트 중심으로 회전가능하도록 장착된 로터와 소정의 틈으로서 상기 로터를 둘러싸도록 상기 기판 위에 장착된 고정자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  31. 제2항에 있어서, 상기 헤드 유니트가 진동하는 방향에 수직한 방향으로 단순 조파 동작으로 상기 자기 기억매체를 진동시키는 매체-진동장치를 더 포함하고, 상기 자기 기억매체와 상기 헤드 유니트의 진동이 동기화 되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 헤드 유니트의 진동 주기는 상기 자기 기억매체의 진동주기보다 적은 것을 특징으로 하는 기억장치.
  33. 제1항에 있어서, 상기 기판, 상기 자기 기억매체, 상기 헤드 유니트 및 상기 왕복운동장치가 케이스내에 수납되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 기억 유니트를 동작하게 하는 회로 유니트로 더 구성되어, 상기 회로 유니트가 상기 기억 유니트와 함께 상기 케이스내에 수납되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 회로 유니트는 상기 기억 유니트의 상기 기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  36. 제34항에 있어서, 상기 케이스는 케이스로부터 각각 돌출되는 다수의 핀을 가지며, 상기 핀이 상기 회로 유니트에 전기적으로 연결되어 상기 핀이 외부 인쇄 회로 기판 위의 구멍에 삽입될 수 있는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  37. 제8항에 있어서, 다수의 데이타 셀이 상기 자기 기억매체 위에 형성되며 상기 각각의 데이타 셀은 정보가 기억되어야 할 구역이고 상기 위치 조정장치가 상기 각 데이타 셀의 소망위치에 상기 헤드 유니트를 위치시키는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  38. 제37항에 있어서, 상기 데이타 셀은 상기 자기기억 유니트 위에 매트릭스로 배열되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  39. 제38항에 있어서, 상기 자기 기억매체는 4각형의 형태를 것을 특징으로 하는 기억장치.
  40. 제37항에 있어서, 상기 데이타 셀은 상기 자기기억 유니트 위에 방사상으로 배열되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 자기 기억매체는 자기 디스크이며, 데이타 셀이 외곽 주위에 더 가깝도록 배열되는 환형통로로서, 환형통로 위에 제공된 다수의 데이타 셀이 증가하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  42. 제1항에 있어서, 상기 기판 위에 설치되어 상기 자기 기억매체의 소망위치에 상기 헤드 유니트를 위치시키는 위치 조정장치와 상기 기억 유니트를 동작시키는 회로 유니트로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  43. 제42항에 있어서, 상기 회로 유니트는 상기 왕복운동장치를 구동시키는 제1회로와 위치 조정장치를 구동시키는 제2회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  44. 제43항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 아암부재, 상기 아암부재의 양측에 장착되는 제1압전소자 및 제2압전소자, 상기 기판 위에 설치된 부재에 고정된 상기 아암부재의 제1단부, 상기 자기 기억매체 위에 위치한 상기 아암부재의 제2단부를 가지며, 상기 헤드 유니트는 상기 아암부재의 상기 제2단부에 장착되고 상기 제1회로는 상기 제1 및 제2압전소자를 구동시키는 압전 구동회로를 가지므로서 상기 제1 및 제2압전소자가 각각 축소와 확대를 교대로 하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  45. 제44항에 있어서, 상기 압전 구동회로는 상기 제1 및 제2압전소자에 교류전압을 공급하는 회로를 가지며, 상기 교류전압의 위상은 상호 반대인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  46. 제43항에 있어서, 상기 다수의 데이타 셀이 상기 자기 기억매체 위에 형성되며 상기 각각의 데이타 셀은 정보가 기억되어야 할 구역이고 상기 제2회로가 상기 위치 조정장치를 구동시켜 상기 위치 조정장치가 상기 헤드 유니트를 상기 각각의 데이타 셀 위의 소망위치에 위치시키는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  47. 제46항에 있어서, 다수의 기록트랙이 상기 각각의 데이타 셀 위에 형성되고, 상기 제2회로가 외부 제어기로부터 전송된 어드레스를 기준으로 제1위치 정보를 발생시키는 셀 위치 발생회로를 가지며, 상기 제1위치 정보가 상기 자기 기록매체 위에 있는 데이타 셀의 위치를 식별하고, 트랙위치 발생회로는 외부 제어기로부터 전송된 어드레스를 기준으로 제2위치 정보를 발생시키며, 상기 제2위치 정보는 상기 제1위치 정보에 의해 식별되는 데이타 셀 내에 기록트랙의 위치를 식별하고, 상기 제2회로가 상기 위치 조정장치를 구동시켜 상기 헤드 유니트가 상기 제1위치 정보에 의해 식별된 데이타 셀 내에 상기 제2위치 정보에 의해 식별된 기록트랙의 위치에 지정되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  48. 제43항에 있어서, 상기 회로 유니트가 상기 헤드 유니트를 통하여 상기 자기 기록매체에 기록되어 그로부터 재생되는 제3회로처리신호로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  49. 제1항에 있어서, 상기 헤드 유니트와 상기 왕복운동장치가 제1칩의 제1기판상에 설치되고, 상기 자기 기억매체는 제2칩의 제2기판상에 설치되되, 제2칩은 제1칩에 접속되어 상기 자기 기억매체의 표면과 평행한 평면으로 상기 왕복운동장치에 의해 상기 헤드 유니트를 왕복운동시키는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  50. 제49항에 있어서, 상기 제1칩과 제2칩이 서로 부착된 것을 특징으로 하는 기억장치.
  51. 제49항에 있어서, 상기 제1칩과/또는 제2칩이 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  52. 제49항에 있어서, 상기 제1칩과/또는 제2칩은 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  53. 제49항에 있어서, 상기 제1칩은 상기 제1기판 위의 제1방향으로 상기 헤드 유니트를 움직이기 위한 제1이동장치를 포함하고, 상기 제2칩은 상기 제2기판 위의 제2방향으로 상기 자기 기억매체를 움직이기 위한 제2이동장치를 포함하며, 상기 헤드 유니트는 상기 제1 및 제2이동장치에 의하여 상기 자기 기억매체의 소망 위치에 놓이는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  54. 제53항에 있어서, 상기 제1방향과 제2방향은 상호 수직인 것을 특징으로 하는 기억장치.
  55. 제1항에 있어서, 상기 왕복운동장치는 다수의 아암부재와 상기 아암부재와 상호 회전가능하게 연결되는 연결장치, 상기 헤드 유니트와 함께 장착되는 아암부재중 하나의 선단을 가지며, 상기 연결장치가 상기 각각의 아암부재를 회전시켜 상기 헤드 유니트가 소정의 방향으로 왕복운동을 하게 하는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  56. 제1항에 있어서, 상기 기판의 각 측면은 5mm 보다 더 긴 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  57. 제56항에 있어서, 상기 기판의 각 측면은 30mm 보다 적은 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  58. 제33항에 있어서, 상기 기억 유니트의 상기 기판에 각 측면은 5mm 보다 더 긴 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  59. 제58항에 있어서, 상기 기판의 각 측면은 30mm 보다 적은 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  60. 제42항에 있어서, 상기 기억 유니트의 상기 기판에 각 측면은 5mm 보다 더 긴 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  61. 제60항에 있어서, 상기 기판의 각 측면은 30mm 보다 적은 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  62. 제49항에 있어서, 상기 제1 및 제2칩 각각은 5mm 보다 더 긴 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  63. 제62항에 있어서, 상기 제1 및 제2칩 각각은 30mm 보다 적은 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  64. 제25항에 있어서, 상기 제1트랙 각각은 상기 제2트랙의 각각보다 더 긴 것을 특징으로 하는 기억장치.
  65. 제48항에 있어서, 상기 제3회로는 상기 헤드 유니트를 통해 상기 자기 기록매체로부터 재생되거나 그 매체에 기록될 데이타를 임시로 기억하는 버퍼회로를 갖는 것을 특징으로 하는 기억장치.
  66. 제1항에 있어서, 상기 왕복운동장치가 상기 헤드 유니트를 상기 자기 기억매체의 표면과 평행하게 진동시키는 장치인 것을 특징으로 하는 기억장치.
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