KR960011249B1 - 이중성 감광막에 의한 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

Abstract

내용없음.

Description

이중성 감광막에 의한 콘택홀 형성 방법

제1도는 종래기술에 따른 콘택홀 형성 공정도.

제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성 공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11,21 : 반도체 기판 12,22 : 불순물 확산지역

13,23 : 층간산화막 14 : 감광막

24 : 이중성 감광막

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 특히 이중성(dual-tone)감광막에 의한 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다.

종래의 콘택홀 형성 방법을 제1도를 통하여 상세히 살펴보면, 도면에서 11은 반도체 기판, 12는 불순물 확산지역, 13은 층간산화막, 14는 감광막을 각각 나타낸다.

도면에 도시된 바와 같이 종래에는 반도체 기판(11)의 불순물 확산영역(12)에 콘택을 이루기 위해서 불순물 확산지역(12)을 덮고 있는 층간산화막(13) 상에 콘택 마스크인 감광막(14) 패턴을 형성한 다음, HF 또는 NHF₄+HF 용액에 의한 습식식각과 건식식각을 차례로 실시하여 층간산화막(13)을 선택식각함으로써 콘택홀을 형성하고 있다.

이때, 습식식각은 등방성 식각 특성을 가지며, 건식식각은 비등방성 식각 특성을 가지므로 콘택홀의 형상은 도면에 도시된 바와 같이 와인 글라스 모양으로 형성되게 되어 콘택되는 물질의 스텝커버리지(step coverage)를 개선하게 된다.

그러나, 상기와 같이 종래에는 콘택홀의 입구를 넓히기 위하여, 별도의 습식식각 공정을 실시하고 있으므로, 습식식각시의 불순물 오염이나 공정시간의 증가로 원가 상승 및 반도체 소자의 신뢰도를 떨어뜨리는 문제점이 있었다.

상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 양성 감광막(diazoketon novolac)과 음성 감광막(azide-base)으로 구성된 이중성(dual-tone) 감광막을 이용한 건식식각만으로 콘택홀을 형성하여 스텝커버리지를 개선할 수 있는 이중성 감광막에 의한 콘택홀 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 층간절연막 상에 이중성 감광막을 도포하는 단계; 광대역의 자외선으로 상기 이중성 감광막을 선택적으로 노광하고 현상하여 제1이중성 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1이중성 감광막 패턴을 식각장벽하여 상기 층간절연막의 소정두께를 건식식각하는 단계; 자외선 근처의 빛(Near-UV)으로 상기 제1 이중성 감과막패턴을 전면적으로 노광하고 현상하여 제2이중성 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2이중성 감광막 패턴을 식각장벽으로 상기 층간절연막의 하부층인 콘택층이 노출될때까지 상기 층간절연막을 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이중성(dual-tone)감광막에 대해 간단히 설명하면 다음과 같다.

양성 감광막(diazoketon novolac)과 음성 감광막(azide-base)의 두 가지 물질로 구성된 이중성 감광막은 노출 파장에 따라 서로 다른 상(image)을 형성한다.

즉, 이중성 감광막이 자외선 근처의 빛(near-UV lighi, 파장은 300∼325nm)에 노출되면, 양성 감광제가 활상화되어 보통의 양성 감광막과 같은 기능을 하게 되고, 반면에 광대역의 자외선(mid-UV, 파장은 350∼450nm)에 노출되면, 양성 및 음성 감응제가 활성화된다.

또한, 광대역의 자외선에 노출된 부분이 또다시 연속적으로 자외선 근처의 빛에 노출되면 이후의 현상시 제거되지 않고 남아 있는 특성을 지닌다.

이하, 첨부된 도면 제2도를 통하여 본 발명에 따른 일실시예를 상세히 설명한다.

제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성 공정도로서, 도면에서 21은 반도체 기판, 22는 불순물 확산지역, 23은 층간산화막, 24는 이중성 감광막을 각각 나타낸다.

먼저, 제2도(a)는 불순물 확산지역(22)이 형성된 반도체 기판(21) 상에 층간산화막(23)을 형성하고, 그 상부에 이중성 감광막(24)을 도포한 상태에서 콘택 레티클(reticle)을 사용하여 광대역의 자외선으로 선택노광시킨 후 현상하여 제1이중성 감광막 패턴(24a)을 형성한 상태의 단면도로서, 이때 제1이중성 감광막 패턴을 형성하기 위한 콘택 레티클의 형상은 평면적으로 볼시 콘택 둘레에 주위에 소정폭을 가지고 불투과막인 크롬 패턴이 형성되도록하여, 콘택 부위 및 불투과막 이외의 부위는 빛이 투과된다. 그리고 콘택 부위의 빛 투과부위에 필터가 형성되어 있어 이중성 감광막의 양성 감응제를 더욱더 활성화시킬 수 있는 파장 대역의 빛이 필터에 의해 투과된다. 따라서, 도면에 도시된 바와 같이 현상된 후의 제1이중성 감광막 패턴(24a) 형상은 콘택 부위가 완전히 제거되는 형상을 갖는다. 제1이중성 감광막 패턴(24a)의 빗금친 부위는 광대역의 자외선에 노출된 부분을 나타낸다.

이어서, 제2도(b)는 상기 제1이중성 감광막 패턴(24a)을 식각장벽으로 하여 건식식각으로 층간산화막(23)의 절반 이하를 제거한 상태의 단면도이다.

이어서, 제2도(c)는 자외선 근처의 빛(Near-UV)으로 제1이중성 감광막 패턴(24a)을 전면노광하는 상태이고, 제2도(d)는 상기 제1이중성 감광막 패턴(24a)을 다시 현상한 상태의 단면도로서, 광대역의 자외선 빛에 노출된 다음 자외선 근처의 빛에 노출된 부위(빗금친 부위)는 상(image)이 남게 되어 제2이중성 감광막 패턴(24b)을 형성한다.

제2도(e)는 제2이중성 감광막 패턴(24b)을 식각장벽으로 하여 층간산화막(23)의 나머지 부분을 건식식각하므로써 반도체 기판(21)을 불순물 확산지역(22)이 드러나도록 한 다음에 제2이중성 감광막 패턴(24b)을 제거한 상태의 단면도로서, 콘택 입구가 넓게 형성되어 습식식각 및 건식식각을 차례로 실시한 방법과 동일하게 스텝커버리지를 향상시킬 수 있다.

본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중에서 금속 콘택 홀, 폴리실리콘막 콘택 공정 등에 동일하게 적용될 수 있다.

상기와 같이 이루어지는 본 발명은 습식식각을 사용하지 않고 습식식각 효과와 동일한 효과를 가져오기 때문에 습식식각에 의한 불순물 오염 방지와 원가 절감을 이룰 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 층간절연막 상에 이중성 감광막을 도포하는 단계; 광대역의 자외선으로 상기 이중성 감광막을 선택적으로 노광하고 현상하여 제1이중성 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1이중성 감광막 패턴을 식각장벽으로 하여 상기 층간절연막의 소정두께를 건식식각하는 단계; 자외선 근처의 빛(Near-UV)으로 상기 제1이중성 감광막 패턴을 전면적으로 노광하고 현상하여 제2이중성 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2이중성 감광막 패턴을 식각장벽으로 상기 층간절연막의 하부층인 콘택층이 노출될때까지 상기 층간절연막을 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중성 감광막에 의한 콘택홀 형성 방법.