KR960010113B1

KR960010113B1 - 전원투입 검출회로

Info

Publication number: KR960010113B1
Application number: KR1019920022582A
Authority: KR
Inventors: 와다루 사카모도
Original assignee: 시키모리야; 미스비시덴키 가부시키가이샤
Priority date: 1991-12-16
Filing date: 1992-11-27
Publication date: 1996-07-25
Also published as: DE4239318B4; US5374923A; DE4239318A1; JP2816508B2; KR930015274A; JPH05168151A

Abstract

내용없음

Description

전원투입 검출회로

제1도는 이 발명의 한 실시예에 의한 전원투입검출회로의 기능적구성 표시도.

제2도는 제1도의 구체적 구성표시도.

제3도는 P채널 MOS트랜지스터에 대한 단면구조의 개략적표시도.

제4도는 N채널 MOS트랜지스터에 대한 단면구조의 개략적표시도.

제5도는 제1도 및 제2도에 표시한 신호발생회로의 입력노드를 구동하기 위한 인버터회로 및 이 인버터회로의 및 구동능력을 조정하는 조정회로의 동작을 표시하는 신호파형도.

제6도는 제1도 및 제2도에 표시한 신호발생회로의 출력노드를 구동하는 인버터회로 및 조정회로의 동작을 표시하는 신호파형도.

제7도는 제1도 및 제2도에 표시한 전원투입검출회로의 전체동작을 표시하는 신호파형도.

제8도는 이 발명의 다른 실시예에 의한 전원투입검출의 기능구성 표시도.

제9도는 제8도의 구체적 구성표시도.

제10도는 제8도 및 제9도에 표시한 전원투입검출회로의 동작을 표시하는 신호파형도.

제11도는 일반적인 반도체장치의 개략구성 표시도.

제12도는 종래의 전원투입검출회로의 구성표시도.

제13도는 제12도에 표시한 전원투입검출회로의 동작을 표시하는 신호파형도.

제14도는 종래의 전원투입검출회로의 문제점을 표시하기위한 신호 파형도이다.

이 발명은 전자회로장치에 전력투입을 검출하는 전원투입검출회로에 관한 것이다.

각종 전자회로장치에 있어서, 전원투입즉시 회로장치내부를 초기화할 필요가 있다.

이 때문에 전원전위를 모니터하고 전원이 투입될 때 이 전원투입을 표시하는 신호를 발생하는 전원투입검출 회로가 사용되고 있다.

제11도는 일반적인 전자회로장치의 개략구성도이다.

이 제11도에서, 이 전자회로장치(500)(이후 다만 반도체장치로 칭한다)는 소정기능을 수행하기 위한 내부회로(510)와, 전원공급 노드 또는 전원단자(550)에 공급된 전원전위를 모니터하고 전원이 투입될 때 전원투입을 표시하는 검출신호/POR를 발생하는 전원투입검출회로(520)와, 전원투입검출신호/POR에 응답하여 내부회로(510)를 초기화하거나 리세트하는 초기화회로(530)를 포함한다.

내부회로(510)는 반도체기억장치 또는 논리처리장치등과 같은 회로장치라도 된다. 전원투입검출회로(520)는 전원공급노드(550)에 공급된 전원전위가 소정전위로 상승시 전원투입검출신호/POR를 발생한다.

초기화회로(530)는 전원투입검출신호/POR의 상태전이 (예를들면 상승 또는 하강)에 응답하여 활성화되고 내부회로(510)의 소정회로부분을 초기화하거나 리세트한다.

전원투입즉시 내부회로(510)을 초기화함으로써 그후 소망의 처리시 반도체 장치(500)의 안정적인 동작이 가능하게 된다.

제12도는 종래예의 전원투입검출회로의 구성예시도이다.

제12도에서, 전원투입검출회로(520)는 전원선(55) 및 노드(ND1)간을 용량결합하는 용량(1)과 노드(ND1)의 전위를 반전하는 인버터회로(3)와, 인버터회로(3)의 출력을 반전하여 노드(ND1)로 전달하는 인버터회로(3)와, 인버터회로(3)의 출력을 반전하는 인버터회로(4)와, 인버터회로(4)의 출력을 반전하고 전원투입검출신호/POR를 발생하는 인버터회로(5)를 포함한다.

용량(1)은 전원선(55)에 전달되는 전원전위 VCC를 모니터하며, 전원투입시 전원전위 VCC의 상승에 응답하여서 노드(ND1)의 전위를 상승시킨다.

인버터회로(2) 및 (3)은 래치(latch)회로를 형성하고 노드(ND1)의 전위를 래치하여 전원투입을 표시하는 신호를 안정적으로 발생한다.

인버터회로(3)는 노드(ND1)전위를 각각의 게이트에서 수신하는 P채널 MOS(절연게이트형 전계효과) 트랜지스터(P1) 및 (P2)와 노드(N1)의 전위를 각각 게이트에서 수신하는 n채널 MOS트랜지스터(N1) 및 (N3)를 포함한다. 트랜지스터(P1)(P2)(N1) 및 (N3)는 전원전위 VCC 및 접지전위간에 상보적으로 접속된다.

인버터회로(3)는 또한 인버터회로(4)의 출력을 그 게이트에서 수신하는 P채널 MOS트랜지스터(P2)와 병렬로 배치된 P채널 MOS트랜지스터(P3)와 인버터회로(4)의 출력을 그 게이트에서 수신하는 n채널 MOS트랜지스터(N1)와 병렬배치된 n채널 MOS트랜지스터(N2)를 포함한다.

전원투입검출회로(520)는 또한 인버터회로(3)의 출력노드(ND5)와 접지전위간에 배치된 용량(7)과 인버터회로(5)의 출력에 응답항 소정시간 경과후 리세트신호를 발생하는 지연회로(8)와, 지연회로(8)의 출력에 응답하여 노드(ND1)의 전위를 접지전위에 리세트하는 리세트회로(6)를 포함한다.

용량(7)은 인버터회로(3)의 출력노드(ND5)에서 전위상승을 완만하게 함으로써 인버터회로(2) 및 (3)로 형성된 래치회로의 래치능력을 전원투입시 약화시킨다.

지연회로(8)는 인버터회로(5)의 출력을 그들 게이트에서 수신하는 P채널 MOS트랜지스터(P4) 및 n채널 MOS트랜지스터(N8)와, 트랜지스터(P4)의 한쪽 도통단자와 노드(ND3)간에 배치되고 그 게이트가 접지전위에 접속되는 P채널 MOS트랜지스터(P6)와 노드(ND3)와 지연회로(8)의 출력노드(ND4)간에 배치된 n채널 MOS트랜지스터(N10)와, 인버터회로(5)의 출력에 응답하여 노드(ND4)를 접지전위에 전기적으로 접속하는 n채널 MOS트랜지스터(N12)를 포함한다.

트랜지스터(P6)는 상시 온상태이며 저항으로서 작용한다.

트랜지스터(N10)는 그 게이트와 드레인이 접속되고 저항으로서 작용한다.

트랜지스터(N12)는 전원투입검출신호/POR가 H레벨로 상승시 노드(ND4)를 접지전위레벨에 설정한다.

리세트회로(6)는 지연회로(8)의 출력을 그 게이트에서 수신하여 노드(ND1)를 접지전위에 전기적으로 접속하는 n채널 MOS트랜지스터(N6)를 포함한다. 지연회로(8)는 전원투입검출신호/POR가 L레벨에 고정되고 전원전압 VCC가 소정의 안정치에 달하면은 노드(ND4)에 H신호를 전달한다.

지연회로(8)의 작용에 의하여 전원전압 VCC이 안정될때 전원투입검출신호/POR는 H레벨이 된다.

다음은 제12에 표시한 전원투입검출회로의 동작을 제13도의 파형도에 의하여 설명한다.

반도체장치에 전원이 투입되면, 전원선(55)의 전원전압 VCC는 H레벨로 상승한다.

이 전원전압 VCC의 상승에 응답하여 노드(ND1)의 전위는 용량(1)의 용량 결합으로 인하여 H레벨로 상승한다.

이 노드(ND5)의 L레벨은 인버터회로(2)를 통하여 노드(ND1)에 전달된다.

그러므로 노드(ND1)의 전위가 불충분하게 상승하더라도 인버터회로(3) 및 (2)로 형성된 래치회로는 래치동작을 수행하게 됨으로써 노드(ND1)의 전위가 H레벨로 안정된다.

한편, 노드(ND5)의 전위는 인버터회로(4)를 통하여 트랜지스터(P3) 및 (N2)의 게이트에 전달된다.

이에따라 트랜지스터(P3)는 오프되고 트랜지스터(N2)는 온되므로 노드(ND5)는 더욱 강하게 접지전위로 방전된다.

노드(ND2)의 전위는 인버터회로(5)를 통하여 지연회로(8)에 전달된다. 인버터회로(5)의 출력은 지금 L레벨이다.

지연레벨(8)에서는 트랜지스터(N4)가 온되고 트랜지스터(N8)가 오프된다.

이에따라 노드(ND3)는 트랜지스터(P4) 및 (P6)를 통하여 충전된다.

이 동작에서 트랜지스터(P6)는 저항으로서 작용하므로 노드(ND3)의 전위는 완만하게 상승한다.

노드(MD3)의 전위가 트랜지스터(N10)의 임계전압 Nth보다 높게되었을때 트랜지스터(N10)는 온되고 이에따라 노드(ND3)의 전위가 노드(ND4)에 전달된다.

트랜지스터(N12)는 오프상태에 있다.

이 노드(ND4)의 전위가 리세트회로(6)내 트랜지스터(N6)의 임계전압을 초과하면 트랜지스터(N6)는 온된다.

이에따라 노드(ND1)의 H레벨은 접지전위레벨 즉 L레벨로 방전된다. 트랜지스터(N6)의 구동능력은 인버터회로(2)의 구동능력보다 크게 되어있다. 노드(ND1)의 전위가 온상태의 트랜지스터(N6)를 통하여 L레벨로 하강하면 인버터회로(3)내 트랜지스터(P1) 및 (P2)는 온되고 트랜지스터(N1) 및 (N3)는 오프된다.

이에따라 노드(ND5)는 용량(7)에 의하여 완만하게 충전되어 그 전위가 H레벨로 상승한다.

노드(ND5)의 전위레벨이 인버터회로(4)의 입력논리임계전압보다 높게되면 노드(ND2)의 전위는 L레벨로 하강하고 대응하여 인버터회로(5)로부터의 전원투입검출신호/POR이 H레벨로 상승한다.

전원투입검출신호/POR의 H레벨상승에 응답하여 지연회로(8)에서는 트랜지스터(N8) 및 (N12)가 온되고 트랜지스터(P6)가 오프된다.

이에따라 노드(ND3) 및 (ND4)가 접지전위 즉 L레벨로 방전되고 리세트회로(6)내의 트랜지스터(N6)는 오프된다.

노드(ND1)의 전위레벨은 L레벨이며 노드(ND5)의 전위가 인버터회로(2)의 논리임계전압을 초과하면 인버터회로(2) 및 (3)로 형성된 래치회로는 노드(ND1)의 전위를 L레벨에 고정하는 작용을 한다.

노드(ND2)의 전위하강에 응답하여 트랜지스터(P3)가 온되고 트랜지스터(N2)가 오프되며 따라서 노드(ND5)는 트랜지스터(P1)(P2) 및 (P3)에 의하여 신속하게 충전된다.

전원투입후 안정된 상태에서, 노드(ND1)의 전위레벨은 L레벨이고 전원투입검출신호/POR은 H레벨이다.

상술과 같이 용량(7)의 설치로 노드(ND5)의 전위의 상승속도를 완만하게 하고 인버터회로(2) 및 (3)으로 형성된 래치회로의 안정적인 래치상태가 실현된다.

지연회로(8)는 트랜지스터(P6) 및 (N10)의 저항작용을 이용하여 소정시간 경과후 리세트회로(6)를 활성화한다.

이에따라 전원전압 VCC가 안정상태로 된 후 전원투입검출신호/POR가 H레벨로 상승함으로써 전원투입시 불안정한 과도상태에서 전원투입검출신호의 착오발생이 방지된다.

트랜지스터(P3) 및 (N2)에 의하여 노드(ND1)가 L레벨에 리세트될때 노드(ND5)는 신속하게 충전되어서 래치동작을 촉진하게 된다.

전원이 오프되면 전원선(55)의 전원전압 VCC가 H레벨에서 L레벨로 하강한다.

노드(ND1)는 이미 L레벨이며, 리세트회로(6)내의 트랜지스터(N6)는 오프상태이다.

그러므로 노드(ND1)의 전위는 용량(1)에 의한 용량결합으로 인하여 약간부전위로 저하한다.

트랜지스터(P1) 및 (P2)는 온상태이고 트랜지스터(N1) 및 (N3)는 오프상태이다.

그러므로 노드(ND5)의 전위는 트랜지스터(P2) 및 (P1)을 통하여 전원전위 VCC(OV전위로 하강)로 방전되고 따라서 노드(ND5)의 전위가 하강한다.

또 전원전압 VCC의 L레벨로의 하강에 응답하여 인버터회로(5)의 출력도 L레벨이 되므로 전원투입검출신호/POR의 L레벨로 하강한다.

상술한 바와 같이, 종래의 전원투입검출회로는 전원투입의 검출 또는 감지를 위하여 용량(1)을 사용한다.

그러므로 전원 오프시 전원전압 VCC가 L레벨(접지전위레벨)로 하강하면 노드(ND1)의 전위는 용량(1)의 용량결합으로 인하여 제13도에서 파선으로 표시한 바와 같이 접지전위레벨 즉 L레벨에서 부전이로 더 하강한다.

이 때문에 노드(ND1)에 부전하가 남는다.

인버터회로(2) 및 (3)으로 형성된 래치회로의 래치상태를 확실하게 역전시키기 위하여 용량(7)을 사용하고 있지만은 안정상태에서 용량(7)의 노드(ND5)에는 정전하가 축전된다.

전원차단시에 노드(ND5)의 정전하가 트랜지스터(P1), (P2) 및 (P3)를 통하여 전원선(55)에 방전된다.

트랜지스터(P3)는 노드(ND5)의 전위가 저하될때 오프되고 최종적으로 노드(ND5)의 정전하가 트랜지스터(P2) 및 (P1)을 통하여 전원선(55)으로 방전된다.

트랜지스터(P2)의 구동력이 그다지 크지않고 트랜지스터(P1) 및 (P2)는 저항 성분이 있으므로 충분하게 방전되지 않으므로 제13도(f)에 표시한 바와 같이 노드(ND5)에 정전하가 남고 그 전위는 정전위가 된다.

노드(ND1)에 부전하가 축적되어 있고 노드(ND5)에 정전하가 축적된 상태에서 전원투입을 계속할때 전원투입검출신호/POR은 정확하게 발생하지 않는다.

다음은 이 전원차단에 이어서 전원투입동작을 제14도에 의하여 설명한다.

전원전압 VCC를 공급하면 노드(ND1)의 전위는 먼저 H레벨로 상승한다.

소정시간 경과후 지연회로(8)로부터의 리세트신호에 의하여 노드(ND1)의 전위가 L레벨(접지전위레벨)로 하강하여 대응하여 노드(ND5)의 전위가 상승한다. 노드(ND5)의 전위상승에 의하여 전원투입검출신호/POR는 L레벨에서 H레벨로 상승한다.

전원차단에 의하여 전원전압 VCC가 L레벨로 하강하면 노드(ND1)의 전위는 부전위를 유지하고 노드(ND5)의 전위는 정전위를 유지한다.

전원전압 VCC의 L레벨로의 하강에 의하여 인버터회로(5)는 더이상 동작하지 않으므로 전원투입검출신호/POR는 완만하게 방전된다.

이상태에 이어서 전원전압 VCC가 H레벨로 상승되면 노드(ND1)의 전위는 H레벨로 상승하지 않고 부전위로부터 정의 L레벨까지만 상승한다. 노드(ND1)의 전위는 소정시간경과후 리세트회로(6)에 의하여 접지전위레벨에 유지된다.

노드(ND5)의 전위가 잔류정전하로 인하여 H레벨이면 인버터회로(4)의 출력은 L레벨이 되고 노드(ND5)는 전원전압 VCC의 H레벨상승에 응답하여 트랜지스터(P1)(P2) 및 (P3)에 의하여 H레벨로 충전된다.

이 충전에 응답하여 전원투입검출신호/POR는 전원전압 VCC의 공급직후 H레벨에 유지되고 일단 L레벨에 고정된 후에는 H레벨로 변하지 않는다.

통상, 초기화회로는 전원투입검출신호/POR의 L레벨로부터 H레벨로의 이행에 응답하여 전원투입을 검출하고 초기화동작을 실행한다.

그러므로 전원투입에 의한 초기화동작 또는 리세트동작은 초기화회로에서 실행할 수 없으므로 반도체장치는 전원투입시 안정된 초기상태에 설정할수 없는 것이다.

전원투입검출신호/POR의 H레벨에 의하여 동작되도록 초기화회로가 구성되어도 전원투입검출신호/POR는 전원투입직후의 불안정한 전원전압하에서 초기화동작 또는 리세트동작을 실행하기 때문에 신뢰할수 있는 초기화 또는 리세트동작을 실행할 수가 없다.

부전하가 노드(ND1)에 남게되면 용량(1)의 용량결합으로 인하여 파워투입시 노드(ND1)의 전위가 상승하기 시작한다.

그러나, 노드(ND1)의 전위는 부전위로부터 상승하게되므로 느리게 상승한다.

그러므로 노드(ND1)의 전위가 H레벨이 되기전에 전원투입에 응답하여 전류가 트랜지스터(P1) 및 (P2)를 통하여 노드(ND5)로 흐르게 되므로 노드(ND5)의 전위가 상승한다.

노드(ND5)는 정전하가 축적되어 있으므로 노드(ND5)의 전위가 더 고속으로 H레벨이되고 노드(ND1)의 전위가 인버터회로(2)에 의하여 L레벨로 고정되어 용량(1)의 용량결합효과가 충분히 발휘되지 않는다.

이 발명의 목적은 전원 투입을 표시하는 전원투입검출신호를 발생하는 전원투입 검출회로를 제공하는데 있다.

이 발명의 다른 목적은 전원차단시 발생한 전류전하에 의한 영향을 확실하게 제거할 수 있는 전원투입검출회로를 제공하는데 있다.

이 발명의 제1발명에 의한 전원투입검출회로는 전원의 투입 및 차단을 감지하는 감지회로와, 이 감지회로의 출력에 응답하여 전원투입을 표시하는 신호를 발생하는 신호발생회로를 포함한다.

이 신호발생회로는 감지회로의 출력에 결합되는 입력과 이 입력에 피드백되는 출력을 가진 래치회로를 포함한다.

이 발명의 제1발명에 의한 전원투입검출회로는 또한 전원투입 및 차단에 응답하여 래치회로의 구동능력을 조정하는 회로를 포함한다.

이 발명의 제2발명에 의한 전원투입검췰회로는 전원투입 및 차단을 감지하는 감지회로와, 이 감지회로의 출력에 응답하여 전원투입검출신호를 발생하는 신호발생회로와, 전원투입에 응답하여 신호발생회로의 활성화 타이밍을 지연시키는 지연회로를 포함한다.

이 발명의 제1발명에 의한 전원투입검출회로에서는 조정회로에 의하여 신호발생회로내에 포함된 래치회로의 구동능력을 조정한다.

이로인하여 전원차단시 잔류전하량을 조정할 수 있고 잔류전하에 의한 영향을 제거할 수 있다.

이 발명의 제2발명에 의한 전원투입검출회로에서는 신호발생회로의 활성화 타이밍이 전원투입타이밍에 비하여 지연된다.

이로인하여 감지회로의 출력이 안정된 상태에서 신호발생회로가 활성화되므로 전원투입검출신호가 안정적으로 발생된다.

다음은 이 발명을 도면에 의하여 설명한다.

제1도는 이 발명의 한실시예에 의한 전원투입검출회로의 기능구성도이다.

이 제1도에서, 전원투입검출회로는 전원선(55)에 결합되고 전원투입 및 차단을 감지하기 위하여 전원선(55)의 전위를 모니터하는 감지회로(100)와, 이 감지회로(100)의 출력에 응답하여 전원투입을 표시하는 신호를 발생하는 신호발생회로(110)와, 이 신호발생회로(110)의 구동력을 조정하는 조정회로(120)을 포함한다.

감지회로(100)는 전원선(55)에 결합된 용량(1)을 포함한다.

신호발생회로(110)는 감지회로(100)의 출력을 수신하는 인버터회로(111)와 이 인버터회로(111)의 출력을 수신하는 인버터회로(112)를 포함한다.

인버터회로(112)의 출력은 인버터회로(111)에 피드백된다.

신호발생회로(110)는 2개의 연속 인버터회로(111) 및 (112)로 형성된 래치회로로 구성된다.

조정회로(120)는 전원투입시 인버터회로(111)의 구동력을 조정하는 조절회로(121)과 전원투입 및 차단시 인버터회로(112)의 구동력을 조정하는 조절회로(122)를 포함한다.

전원투입검출회로는 또한 신호발생회로(110)의 래치상태 전이를 용이하게 하기위한 출력상태조절회로(105)와, 신호발생회로(110)의 출력에 응답하여 감지회로(100)의 출력을 리세트하기 위한 리세트블럭(130)을 포함한다.

조절회로(121)는 전원투입시에 노드(ND10)에 정전하가 고속으로 축적되도록 인버터회로(111)의 구동력을 조정하고 또한 전원차단시에 노드(ND10)에 부전하가 축적되지 않도록 인버터회로(111)의 구동력을 조정한다.

조절회로(122)는 전원투입시에 노드(ND15)의 충전속도가 증가되도록 인버터 회로(112)의 구동력을 조정하고, 전원차단시에 노드(ND15)에 부전하의 축적을 방지하도록 인버터회로(111)의 구동력을 조정한다.

제2도는 제1도의 전원투입검출회로의 구체적구성 예시도이다. 제2도에서, 제12도에 표시한 종래의 전원투입 검출회로와 같은 기능을 가진 부분에는 동일 참조번호를 붙이고 있다.

제2도에서, 감지회로(100)는 전원선(55)을 노드(ND10)로 용량 결합하는 용량(1)을 포함한다.

감지회로(100)내에 포함된 용량(1)은 제12도에 표시한 종래의 전원투입 검출회로내의 용량(1)과 같은 기능을 구비하고 있다.

신호발생회로(110)에 포함되는 인버터회로(111)는 한쪽 도통단자가 전원전위 VCC에 접속되고 다른쪽 도통단자는 노드(ND10)에 결합되며, 게이트가 노드(ND15)에 접속되는 P채널 MOS트랜지스터(P12)와, 한쪽 도통 단자가 접지전위에 접속되고 게이트가 노드(ND15)에 접속되는 n채널 MOS트랜지스터(N14)를 포함한다.

노드(ND10)와 트랜지스터(N14)의 다른쪽 도통단자 간에는 가변저항이 있는 조절회로(121)가 배치된다.

조절회로(121)는 한쪽 도통단자가 전원전위 VCC에 결합되고 그 게이트가 접지전위에 접속된 P채널 MOS트랜지스터(P17)와, 또 그 게이트가 트랜지스터(P17)의 다른쪽 도통단자에 결합되고 한쪽 도통단자가 노드(ND10)에 접속되며 다른쪽 도통단자가 트랜지스터(N14)의 다른쪽 도통단자에 접속된 n채널 MOS트랜지스터(N13)를 포함한다.

인버터회로(112)는 한쪽 도통단자가 전원전위 VCC에 접속되고 게이트가 노드(ND10)에 접속되는 P채널 MOS트랜지스터(P1)과 또 게이트가 노드(ND10)에 접속되고 한쪽 도통단자가 접지전위에 접속되고 다른쪽 도통단자가 노드(ND15)에 접속되는 n채널 MOS트랜지스터(N3)를 포함한다.

트랜지스터(P1)과 트랜지스터(N3)간에는 조절회로(122)가 삽입된다.

조절회로(122)는 한쪽 도통단자가 트랜지스터(P1)의 다른쪽 도통단자에 접속되고 다른쪽 도통단자가 노드(ND15)에 접속되는 p채널 MOS트랜지스터(P13)와, 또 트랜지스터(P13)와 접지전위간에 접속된 저항수단을 포함한다.

이 저항수단은 트랜지스터(P13)의 게이트와 접지전위간에 순방향으로 다이오드 접속된 P채널 MOS트랜지스터(P15)와, 동구간에 역방향으로 다이오드 접속된 p채널 MOS트랜지스터(P14)를 포함한다.

노드(ND15)는 연속인버터회로(4) 및 (5)에 접속된다.

인버터(4) 및 (5)는 구동회로를 형성한다.

인버터회로(5)는 전원투입검출신호/POR를 발생한다.

제1도에 표시한 리세트블럭(130)은 리세트하기 위한 n채널 MOS트랜지스터(N6)를 포함하는 리세트회로(6)와, 지연회로(8)를 포함한다.

리세트회로(6) 및 지연회로(8)의 구성과 동작은 제10도에 표시한 리세트회로(6) 및 지연회로(8)와 같으며 대응부분은 동일 참조번호를 붙이고 있다.

조절회로(121) 및 (122)에 포함된 트랜지스터(P17)(P14) 및 (P15)는 다른 트랜지스터의 저항치보다 대략 10배정도 크기로 설정되는 저항치를 갖고 있다.

트랜지스터(N13) 및 (N13)는 충전용인 PMOS트랜지스터(P12) 및 (P1)와 같은 다른 통상의 MOS트랜지스터의 저항치보다 대략 5-6배 정도크기의 비교적 큰 저항치를 갖고 있으며, 전류공급능력을 향상시키기 위한 큰 게이트면적을 갖고 있다.

트랜지스터(N3) 및 (N14)도 구동능력을 향상시키도록 트랜지스터(P1) 및 (P12)의 게이트면적보다 대략 5~6배 정도 큰 대게이트면적을 구비하고 있다.

이들 트랜지스터의 저항 및 게이트면적은 게이트길이와 게이트폭을 조정함으로써 실현된다.

제3도는 제2도에 표시된 P채널 MOS트랜지스터의 단면구조도이다.

이 제3도에서, P채널 MOS트랜지스터는 N형기관(웰영역이라도 되며, 기판의 기능을 실현하는 영역)(200)상에 형성되고 고불순물농도의 P+불순물영역(201) 및 (202)와, 이 N형기판영역(200)상에 게이트절연막(204)을 통하여 형성되는 게이트전극(203)을 포함한다.

전원전압 VCC는 고불순물농도의 N+불순물영역을 통하여 P채널 MOS트랜지스터의 N형 기판영역(200)에 인가된다.

즉 전원전압 VCC가 P채널 MOS트랜지스터의 백게이트바이어스(back gate bias)로서 인가된다.

제4도는 n채널 MOS 트랜지스터의 단면구조도이다.

제4도에서, n채널 MOS트랜지스터는 P형기판영역(210)의 표면에 형성된 불순물농도의 N+불순물영역(211) 및 (213)과, 게이트절연막(214)을 통하여 P형기판영역(210)상에 형성된 게이트전극을 포함한다. 소정의 기판 바이어스전압 VBB가 고불순물농도의 P+불순물영역(215)을 통하여 n채널 MOS트랜지스터의 P형기판영역에 인가된다.

기판바이어스전압 VBB은 일반적으로 -3V의 부전압(전원전압이 5V의 경우) 또는 접지전위레벨의 전압이다.

반도체장치등의 경우 인가된 기판바이어스전압은 부전위이다.

또 3중확산웰 구조의 반도체기억장치, ASIC(Application Specific IC)의 논리 회로, 또는 논리회로로서 동일 기판상에 형성된 반도체기억장치의 경우 인가되는 기판바이어스 전압은 접지전위레벨이다.

다음은 전원투입검출회로의 동작을 설명한다.

제2도 및 제5도에 의하여, 인버터회로(111) 및 조절회로(121)의 동작을 설명한다.

전원이 투입되면, 감지회로(100)에 포함된 용량(1)의 용량결합으로 인하여 노드(ND10)의 전위가 상승한다.

트랜지스터(P17)는 게이트가 접지전위에 접속되어 있으므로 온상태가 된다.

트랜지스터(P17)의 온저항은 트랜지스터(P12)의 저항의 약 10배정도 크기에 설정되어 있다.

그러므로 트랜지스터(N13)의 게이트전위가 완만하게 상승한다.

전원투입후 초기상태에서 트랜지스터(N13)의 게이트전위는 낮으므로 고정항 상태에 있다.

이때문에 노드(ND10)에서 접지전위로 전류가 흐르는(정전하를 빼내는) 경로는 없으며, 노드(ND10)의 전위는 용량(1)(감지회로 100)의 용량결합에 의한 정전하의 공급 및 트랜지스터(P12)를 통한 충전에 의하여 고속으로 상승한다.

소정시간 경과후, 리세트블럭(130)내에 포함된 리세트회로(6)는 지연회로(8)의 출력에 응답하여 활성화도고 노드(ND10)의 전위를 접지전위레벨로 하강시킨다.

이에 응답하여 노드(ND15)의 전위가 인버터회로(112)를 통한 충전에 의하여 상승된다.

노드(ND15)의 전위상승속도는 용량(7)의 충전속도에 의하여 결정된다.

이 동작에서, 트랜지스터(N13)의 게이트는 H레벨로 충전되어 있다.

노드(ND15)의 전위가 인버터회로(4)의 입력논리임게전압을 초과하면 구동회로를 형성하는 인버터회로(4) 및 (5)의 작용에 의하여 전원투입검출신호/POR이 고속으로 상승한다.

트랜지스터(N14)는 온되고 트랜지스터(P12)는 오프되므로 노드(ND10) 및 (ND15)의 전위가 래치된다.

전원이 차단되고 전원전압 VCC이 하강하면, 용량(1)(감지회로 100)의 용량결합에 의하여 노드(ND10)로부터 정전하가 인출된다.

트랜지스터(P17)은 고저항이며 트랜지스터(N13)의 게이트의 방전속도는 느리다.

그러므로 전원차단시 트랜지스터(N13)의 게이트전위는 H레벨이고 트랜지스터(N13)는 저저항상태가 된다.

노드(ND15)의 전위로 용량(7)에 의하여 H레벨이 된다.

이 때문에 노드(ND10)는 저저항의 트랜지스터(N12) 및 (N13)을 통하여 접지전위로 접속된다.

이결과 전원차단시 노드(ND10)의 전위가 부전위로 저하하려하여도 접지전위로 부터 트랜지스터(N13) 및 (N12)를 통하여 정전하가 공급되므로 이 부전위로의 저하가 방지된다.

즉 노드(ND10)는 과잉부전하가 축적되지 않으며 노드(ND10)는 대략 접지전위가 된다.

즉 조절회로(121)는 전원투입시 인버터회로(111)의 출력노드(노드 ND10)의 방전속도를 감소시키고 전원차단시 출력노드(노드 ND10)의 방전속도를 증가시키도록 인버터회로(121)의 방전경로의 저항치(즉 인버터회로 121의 전류공급능력 또는 구동력)을 전원투입 및 차단에 따라 조절한다.

다음은 인버터회로(112) 및 조절회로(122)의 동작을 제2도 및 제6도에 의하여 설명한다.

전원이 투입되면 노드(ND10)의 전위가 상승한다.

제3도에 표시한 단면구조의 트랜지스터(P13)는 전원전압 VCC를 백게이트 바이어스로서 기판영역(200)에 받는다.

게이트절연막(204)이 게이트전극(203)(제3도참조)와 기판영역(200)간에 설치되므로 용량이 형성된다.

그러므로 전원투입에 따라 트랜지스터(P13)의 게이트전위는 게이트전극(203) 및 기판영역(200)의 용량결합에 의하여 H레벨로 상승한다.

트랜지스터(P14) 및 (P15)는 고저항이다.

트랜지스터(P13)의 게이트전위는 고저항의 트랜지스터(P15)를 통하여 접지전위로 방전된다.

따라서 트랜지스터(P13)는 전원투입후 초기에 오프상태가 된다.

이 결과, 전원투입직후에 트랜지스터(P1)에 게이트전위가 그 임계전압에 의하여 전원전위보다 낮게되어 온상태가 되어도 트랜지스터(P13)가 오프상태이기 때문에 노드(ND15)로의 전류공급경로는 확실하게 차단된다.

노드(ND10)의 전위상승에 응답하여 트랜지스터(N3)가 온되고 노드(ND15)가 트랜지스터(N3)를 통하여 접지전위로 방전된다.

트랜지스터(P13)의 게이트전위가 트랜지스터(P15)를 통하여 접지전위레벨로 방전되면, 트랜지스터(P13)는 온되어 저저항상태가 된다.

트랜지스터(P13)가 저저항상태로 된후 리세트블럭(130)은 노드(ND10)의 전위를 접지전위레벨로 리세트한다.

이에따라 트랜지스터(P1)은 온되고 트랜지스터(N3)는 오프되므로 노드(ND15)는 저저항의 트랜지스터(P1) 및 트랜지스터(P13)를 통하여 전원전위 VCC레벨로 충전된다.

노드(ND15)의 전위가 완만하게 상승하지만 이 노드(ND15)의 전위가 인버터회로(4)의 입력논리임계전압을 초과하면 전원투입검출신호/POR은 H레벨로 상승한다.

전원차단시 트랜지스터(P13)의 게이트전위는 트랜지스터(P14) 및 (P15)에 의하여 접지전위레벨이 된다.

트랜지스터(P13)의 게이트전위는 전원차단시 전원전압의 저하로 인하여 게이트전극과 기판간의 용량결합을 통하여 더욱 저하한다. 트랜지스터(P13)의 저항은 더욱 감소된다.

노드(ND10)의 전위가 전원차단으로 하강하면은 트랜지스터(N3)는 오프되고 트랜지스터(P1)은 온된다.

이에따라 용량(7)은 축적된 정전하는 트랜지스터(P13) 및 (P1)을 통하여 전원선(55)으로 인출된다(전원선(55)은 저임피던스로 전원차단시에 접지전위레벨로 고속방전된다).

이결과 용량(7)에 축적된 잔류정전하는 없으며 노드(ND15)의 전위는 접지전위레벨이 된다.

트랜지스터(P13)의 게이트의 부전위는 트랜지스터(P14)에 의하여 접지전위레벨로 충전된다.

이때문에 다음 전원투입시 트랜지스터(P13)의 게이트전이는 백게이트 바이어스 전압의 상승에 의하여 고속으로 H레벨이 되고 트랜지스터(P13)는 고저항상태가 된다.

상술한 바와같이 조절회로(122)는 전원투입시 인버터회로(112)의 출력노드(노드 ND15)의 전류공급능력은 작아지고 전원차단시 인버터회로(112)의 전류공급능력은 커지도록 인버터회로(112)의 구동능력을 조정한다.

상기 구성에서, 조정회로(120)은 2개의 조절회로(121) 및 (122)를 포함한다. 그러나, 조절회로(121) 및 (122)중 하나만을 사용하여도 된다. 이들의 선택은 기판바이어스전압 VBB에 달려있다.

기판바이어스전압 VBB가 OV와 같이 절대치가 작으면 조절회로(122)만을 사용하여도 된다.

기판바이어스전압 VBB가 예컨대 -3V(전원전압 VCC가 5V의 경우)와 같이 절대치가 큰 경우에는 조절회로(121)만을 사용하여도 된다.

이와같은 조정회로(120)의 구성의 VBB의존성은 회로시뮬레이션에 의하여 확인되어 있다.

제7도는 이 발명의 한 실시예에 의한 전원투입검출회로의 전체동작을 표시하는 신호파형도이다.

조정회로(120)는 전원투입 또는 차단에 응답하여 신호발생회로(110)의 구동능력을 조정한다.

전원투입시, 조정회로(120)는 노드(ND10)의 정전하가 인출되는 경로를 차단하는 작용을 하며, 노드(ND10)의 전위는 용량(1)의 용량결합에 의하여 확실하게 고속으로 충분한 레벨로 상승한다.

전원차단시, 조정회로(120)의 조절회로(121)는 노드(ND10)의 부전하를 접지전위로 인출하는 작용을 하며, 한편 조절회로(122)는 노드(ND15)의 정전하를 전원선(55)으로 빼내도록 작용한다.

이에따라 불필요한 잔류전하가 노드(ND10) 및 (ND15)에 존재하지 않으며 각전위는 제7도에 표시한 바와같이 접지전위가 된다.

제7도에서, 제12도에 표시한 종래의 전원투입검출내 노드(ND10) 및 (ND15)의 전위변화를 비교를 위하여 파선으로 표시하였다.

전원차단에 응답하여 노드(ND10) 및 (DN15)의 전위를 확실하게 접지전위로 방전함으로써 전원차단후 이어서 전원을 투입하여도 전원투입검출신호/POR가 확실하게 L레벨에서 H레벨로 상승하므로 전원투입을 확실하게 검출할 수 있다.

조절회로(121) 및 (122)내에 포함된 트랜지스터(P14)(P15) 및 (P17) 대신에 폴리실리콘 또는 확산저항등 고저항체를 사용하여도 된다.

제8도는 이 발명의 다른 실시예에 의한 전원투입검출회로의 기능구조도이다.

제8도에서, 전원투입검출회로는 전원투입을 감지하는 감지회로(100)와, 이 감지회로(100)의 감지출력에 응답하여 전원투입을 나타내는 신호를 발생하는 신호발생회로(110)와, 이 신호발생회로(110)의 활성타이밍을 조정하는 활성화제어회로(150)을 포함한다. 활성화제어회로(150)는 전원전압을 모니터하고 이 모니터결과에 기준하여 전원투입타이밍보다도 지연된 타이밍으로 신호발생회로(110)를 활성화한다.

전원투입검출회로는 또한 신호발생회로(110)의 출력부에 설치되는 출력상태 조절회로(105)와, 신호발생회로의 출력에 의하여 감지회로(100)의 감지출력을 리세트하는 리세트블럭(130)을 포함한다.

출력상태조절회로(105)와 리세트블럭(130)은 제1도에 표시한 것과 동일하다.

제8도에 표시한 바와같이, 활성화제어회로(150)가 신호발생회로(110)의 활성화시기를 전원투입시기보다 지연시킴으로써 감지회로(100)의 출력노드의 전위상승이 공급된 전하의 손실없이 감지회로(100)에 포함된 용량(1)의 용량결합을 통하여 가능하게 된다.

이에따라 감지회로(100)의 용량(1)의 용량결합에 의한 효과가 충분히 발휘되고 전원투입검출이 확실하게 실행된다.

제9도는 제8도에 표시된 전원투입검출회로의 구체적 구조를 표시한다.

이 제9도에서, 신호발생회로(110)는 노드(ND10)의 전위에 응답하여 노드(ND15)를 구동하는 인버터회로(112)와, 인버터회로(112)의 출력 즉 노드(ND15)의 전위에 응답하여 노드(ND10)를 구동하는 인버터회로(111)를 포함한다.

인버터회로(111)는 신호선(160)과 접지선간에 상보적으로 접속된 P채널 MOS트랜지스터(P12) 및 n채널 MOS트랜지스터(N14)를 포함한다.

인버터회로(112)는 신호선(160)과 접지전위간에 상보적으로 접속된 P채널 MOS트랜지스터(P1) 및 n채널 MOS트랜지스터(N3)를 포함한다.

노드(ND15)와 접지전위간에는 출력상태조절회로(105)를 구성하는 용량(7)에 설치된다.

신호발생회로(110)의 출력에 응답하여 신속하게 전원투입검출신호/POR를 발생하기 위하여 구동회로(40)가 설치되어 있다.

이 구동회로(40)는 신호선(160)과 접지전위간에 상보적으로 접속된 P채널 MOS트랜지스터(P20) 및 n채널 MOS트랜지스터(N20)을 포함한다.

활성화제어회로(150)는 전원선(55)와 신호선(160)간에 설치된 P채널 MOS트랜지스터(P30)를 포함한다.

P 채널 MOS트랜지스터(P30)는 그 게이트와 한쪽 도전단자(드레인)가 신호선(160)에 접속되고 전위강하수단으로서 작용한다.

리세트블럭(130)은 지연회로(8)와 리세트회로(6)를 포함한다.

리세트회로(6)와 지연회로(8)는 종래의 전원투입검출회로의 것과 구성이 같으므로 대응하는 부분에는 동일 참조번호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.

구동회로(40)의 출력을 수신하는 인버터회로(5)에서 전원투입검출신호/POR가 발생된다.

다음은 제9도에 표시한 전원투입검출회로의 동작을 제10도의 동작파형도에 의하여 설명한다.

전원이 투입되면, 전원선(55)의 전위는 고속으로 상승한다.

이 전원선(55)의 전위상승에 응답하여 노드(ND10)의 전위가 용량(1)의 용량결합을 통하여 상승한다.

활성화제어회로(150)의 트랜지스터(P30)는 전원선(55)의 전위가 임계전압 Vthp의 절대치 이상이 될때까지 오프상태를 유지한다.

이에따라 신호선(160)의 전위는 아직 접지전위 레벨에 있다.

이 때문에 신호발생회로(110)는 트랜지스터(P30)가 온될때까지 불활성상태를 유지한다.

노드(ND10)의 전위가 용량결합을 통하여 충분한 레벨로 상승후 신호선(160)의 전위가 상승하고 신호발생회로(110)가 활성화된다.

즉 인버터회로(111) 및 (112)로 형성된 래치회로가 작동한다.

이 래치회로의 동작시점에서 노드(ND10)의 전위는 노드(ND15)의 전위보다 높게된다.

이 상태에서 노드(ND10)의 전위는 상대적으로 높은 레벨이므로 노드(ND15)는 트랜지스터(N3)를 통하여 방전되고, 한편 노드(ND10)은 트랜지스터(P12)신호선(160) 및 트랜지스터(P30)를 통하여 충전된다.

노드(ND10) 및 (ND15)의 어떤 전위레벨에서 인버터회로(111) 및 (112)로 형성된 래치회로의 래치상태가 고정되고, 노드(ND12) 및 (ND15)의 전위레벨은 각각 H레벨과 L레벨에 고정된다.

구동회로(40)도 신호선(160)을 통하여 전원전압을 받게 되므로 구동회로(40)는 인버터(111) 및 (112)와 대략 같은 타이밍으로 활성화되고 래치된 노드(ND15)의 전위에 따라서 H레벨의 신호를 출력한다.

구동회로(40)에서 출력된 H레벨의 신호에 응답하여 인버터회로(5)로부터 출력되는 전원투입검출신호/POR는 접지전위레벨 즉 L레벨이 된다.

이어서 노드(ND10)는 소정시간경과후 지연회로(8)와 리세트회로(6)로 형성된 리세트블럭(130)에 의하여 트랜지스터(N6)를 통해 접지전위레벨로 방전된다.

노드(ND10)의 접지전위레벨로의 하강에 응답하여 노드(ND15)는 트랜지스터(P1) 및 (P30)를 통하여 충전되고 이 전위레벨이 완만하게 상승한다.

노드(ND10) 및 (ND15)의 전위레벨이 서로 교차하면, 인버터회로(111) 및 (112)로 형성된 래치회로의 래치상태가 반전되므로 노드(ND10)은 L레벨에 안정되고, 노드(ND15)는 H레벨에 안정된다.

노드(ND15)의 전위레벨이 H레벨에 됨에따라 구동회로(40)의 출력은 L레벨이 되므로 전원투입검출신호/POR는 인버터회로(5)를 통하여 접지전위레벨 즉 L레벨에서 전원전압 VCC레벨 즉 H레벨로 상승된다.

전원투입검출신호/POR의 H레벨로의 상승에 응답하여 노드(ND14)의 전위는 트랜지스터(N12)를 통하여 방전되어 접지전위레벨이 되고 리세트회로(6)에 포함된 트랜지스터(N6)는 오프된다.

전원차단시, 신호발생회로(110) 및 구동회로(40)는 전원차단에 응답하여 불활성된다.

노드(ND10)은 용량(1)의 용량결합을 통하여 부전위로 하강한다.

또 노드(ND15)에 축적된 모든 정전하는 방전되지 않고 잔류한다(노드(ND15)의 정전하는 트랜지스터(P1) 및 신호선(160)을 통하여 방전된다).

노드(ND10)의 부전하와 노드(ND15)의 정전하는 서서히 기생용량을 통하여 방전되고 공히 접지전위가 된다.

이 동작에서, 전원차단직후 전원이 투입된 경우 노드(ND10)의 전위는 부전위 레벨에서 상승하기 시작한다.

그러나 인버터회로(111) 및 (112)로 형성된 래치회로는 전원전압 VCC가 트랜지스터(P30)의 임계전압 Vthp의 절대치 이상이 되었을때 활성화된다.

이때, 노드(ND10)의 전위는 노드(ND15)의 전위레벨 이상으로 상승되어 있다. 노드(DN10)의 전위상승으로 인하여 트랜지스터(N3)가 온되고 용량(7)의 정전하가 방전된다.

노드(ND15)의 잔류정전하는 n채널 MOS트랜지스터(N14)가 고저항 온상태에 설정되는 전위레벨을 주게된다.

그러므로 노드(ND10)의 정전하 방전경로는 존재하지 않으므로 용량(1)으로부터 용량결합을 통하여 공급되어 있는 정전하가 손실없이 노드(ND10)에 잔류하며, 따라서 용량(1)의 용량결합에 의한 전하공급효과가 충분히 발휘된다.

인버터회로(111) 및 (112)가 활성화되면, 노드(ND10)의 전위레벨은 노드(ND15)의 전위레벨보다 높게 되므로 트랜지스터(N3)의 방전이 트랜지스터(N14)의 방전보다 강하게 수행되며 트랜지스터(P12)의 충전은 트랜지스터(P1)의 충전보다 더 강하게 수행된다.

이에따라 노드(ND10)의 상대적인 'H레벨과 노드(ND15)의 상대적인 'L레벨이 인버터 회로(111) 및 (112)에 의하여 래치되므로 노드(ND10)은 H레벨에 고정되고, 노드(ND15)는 L레벨에 고정된다.

이에따라 전원투입검출신호/POR는 일시적으로 접지전위레벨 즉 L레벨에 고정된 다음 리세트회로(6)의 리세트동작에 응답하여 H레벨로 상승한다.

상술한 바와같이, 신호발생회로(110)의 활성타이밍을 전원투입시기 보다도 소정시간 지연시킴으로써 용량(1)의 용량결합기능을 충분히 발휘할수 있고, 안정적인 전원투입검출회로를 얻을 수 있다.

구동 회로(40)는 신호선(160)을 통하여 동작전원전압의 공급을 받는다.

이것은 노드(ND15)에 축적된 정전하에 의한 전위레벨에 따른 트랜지스터(P20) 및 (N20)의 온되는 것을 방지하여 전원투입시 전원전위에서 접지전위로의 전류흐름을 방지하기 위한 것이다.

이 목적은 또 노드(ND15)에 축적된 정전하로 인해 전원투입검출신호/POR가 전원투입직후 H레벨로 상승하는 것을 방지하는데 있다.

전원투입검출신호/POR가 전원투입직후 H레벨로 상승하게되면 초기화동작을 실행하는 회로는 이때 안정상태가 되어 있지않다.

이 때문에 초기화동작은 불안정화 전원전압으로 실행되고 또는 초기화회로는 전원투입검출신호/POR의 상승을 검출할 수 없고 초기화 동작을 실행하지 못할 것이다.

그러므로 전원투입검출신호/POR은 전원전압 VCC가 안정된후 L레벨에서 H레벨로 상승하고, 초기화 동작은 초기화회로에 포함된 회로가 안정될 때 실행시킨다.

제9도에 표시된 활성화제어회로에서, 하나의 다이드 접속된 P채널 MOS트랜지스터를 사용하여 전원전압 VCC이 트랜지스터의 임계치의 절대치이상으로 상승할때 신호발생회로(110)과 구동회로(40)를 활성화한다.

이 경우 활성화제어회로(150)는 직렬접속된 다수의 다이오드접속된 P채널 MOS트랜지스터로 형성하여도 된다.

상술한 바와같이 활성화제어회로(150)는 신호발생회로(110)의 입력노드(노드ND10)와 출력노드(노드 ND15)간의 전위차가 전원투입상태에 대응한 값 이상이 된 시점이후에 신호발생회로(110)의 동작타이밍을 결정한다.

이 결정에 의하여 오동작없이 정확하게 동작할 수 있는 전원투입검출회로를 얻게 된다.

또 활성화제어회로(150)의 요소로서 전원전압을 백게이트바이어스로서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 사용함으로써 기판바이어스전위에 의하여 영향받지않는 안정된 전원투입검출회로를 얻을 수 있다.

제1도 및 제8도에 표시된 전원검출회로의 조정회로(120) 및 활성화제어회로(150)는 조합하여서 사용하여도 된다.

이 발명의 제1발명에 의하면, 전원투입감지회로의 출력에 응답하여 전원투입을 표시하는 신호를 발생하는 신호발생회로를 형성한 래치회로의 구동능력을 전원투입시 및 전원차단시에 조정함으로써 신호발생회로의 입력 및 출력노드에 잔류전하가 발생하지 않으며, 전원투입검출회로는 전원투입을 신뢰성높게 검출할 수 있다.

또 이 발명의 제1발명에 의하면, 신호발생회로의 입력노드에 잔류전하가 발생하지 않으므로, 감지회로의 출력은 고속으로 정확하게 신호발생회로에 전달될 수 있어 전원투입검출회로는 전원투입을 안정적으로 검출할 수 있다.

이 발명의 제2발명에 의하면, 전원투입감지출력에 응답하여 전력투입을 표시하는 신호를 발생하는 신호발생회로의 활성화타이밍을 전원투입보다 지연시키므로 신호발생회로는 감지출력이 충분한 레벨에 도달한 후에 작용하여 이에따라 확실하게 전원투입을 검출할 수 있다.

Claims

전원선(55)에 결합되어 전원전압의 투입 및 차단을 감지하는 감지수단(100)과, 이 감지수단에 결합되고 감지수단에 응하여 전원전압의 투입을 나타내는 신호를 발생하며 상기 감지수단의 출력에 결합하는 입력과 이 입력과 결합하는 출력이 있는 래치회로수단(11)(12)을 포함하는 신호발생수단(110)과, 전원전압의 투입 및 차단시 상기 래치회로수단의 구동능력을 조정하는 조정수단(120)으로 구성된 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 상기 조정수단(120)은 전원전압인가시 상승 감지수단의 출력에 정전하의 축적을 강화시키고, 전원전압차단시 상기 감지수단의 출력에 부전하의 축적을 약화시키도록 상기 래치회로의 구동능력을 조정하는 조절수단(121)을 포함하는 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 상기 래치회로수단(110)은 상기 감지수단의 출력에 결합된 입력이 있으며 상기 감지수단의 출력신호를 반전시켜 증폭하여 전원전압의 투입을 나타내는 신호를 발생하는 제1인버터회로수단과, 상기 제1인버터회로수단의 출력과 상기 감지수단의 출력에 결합된 입력이 있으며 상기 제1인버터회로수단의 출력신호를 반전시켜 증폭하는 제2인버터회로수단(111)을 포함하며; 상기 조정수단(120)은 상기 제2인버터회로수단의 구동능력을 상기 감지수단의 출력의 정전하측이 전원전압인가시 강화되고 상기 감지수단의 출력에 부전하축적이 상기 전원전압 차단시 안되도록 조정하는 조절수단(121)을 포함하는 전원투입검출장치.
제3항에 있어서, 상기 제2인버터회로수단(111)은 상기 제1인버터회로수단(112)에 응답하여 상기 감지수단(100)의 출력을 상기 전원전압레벨로 충전하는 제1트랜지스터소자(P12)와, 상기 제1인버터회로수단의 출력에 응답하여 상기 감지수단의 출력을 다른 전원전압으로서 사용되는 소정기준전압까지 방전하는 제2트랜지스터 소자(N14)를 포함하며, 상기 조절수단(121)은 상기 제2트랜지스터소자와 상기 감지수단의 출력간에 설치되어 전류흐름경로를 제공하는 전류흐름수단(N13)과, 상기 전원선(55)의 전원전압에 응답하여 전류흐름수단이 전원투입시에 제2트랜지스터소자와 상기 감지수단의 출력간의 전류흐름을 차단하는 반면 전류흐름수단이 전원 차단시에는 대전류가 흐르도록 상기 흐름수단의 저항을 제어하는 제어소자(P17)를 포함하는 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 상기 조정수단(120)은 전원투입시 전원전압에 응답하여 상기 래치회로에 의하여 상기 감지수단의 출력방전을 약화시키고 전원차단시 상기 래치회로수단에 의하여 상기 감지수단의 출력방전을 강화하는 수단(121)을 포함하는 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 상기 래치수단(111)(112)은 상기 감지수단(110)의 출력측에 접속된 입력부와 전원투입을 나타내는 상기 신호를 발생하는 출력이 있는 제1인버터 회로수단(112)과, 상기 제1인버터회로수단을 출력측에 접속된 입력과 상기 감지수단의 출력에 접속되고 전원투입을 나타내는 상기 신호에 응답하여 상기 감지수단의 출력을 충전 방전하는 출력이 있는 제2인버터회로수단(111)을 포함하고; 상기 조절수단(121)은 전원전압에 응답하여 상기 제2인버터수단을 통하여 방전의 개시와 정지를 지연시키는 수단(P17)(N13)을 포함하는 전원투입검출수단.
제6항에 있어서, 상기 제2인버터회로수단(111)은 상기 제1인버터회로수단(112)의 출력에 응답하여 상기 감지수단(100)의 출력을 충전하는 제1트랜지스터소자(P12)와, 상기 제1인버터회로수단의 출력에 응답하여 상기 감지수단의 출력을 방전하는 제2트랜지스터소자(N14)를 포함하고; 상기 조절수단(121)은 상기 감지수단의 출력과 상기 제2트랜지스터소자(N14)간에 설치된 제3트랜지스터소자(N13)와, 전원전압에 응답하여 상기 제3트랜지스터소자의 온 오프를 제어하는 대저항의 제어소자(P17)를 포함하는 전원무입검출장치.
제7항에 있어서, 상기 제3트랜지스터소자(N3)는 제어게이트가 있는 n채널전계효과 트랜지스터로 구성되고, 상기 제어소자(P17)는 전원전압을 상기 n채널 전계효과트랜지스터의 제어게이트로 전달하는 대저항의 저항소자로 구성된 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 상기 조정수단(120)은 상기 래치회로수단(110)의 구동능력을 전원투입시에는 상기 래치회로수단의 출력의 충전을 강화하고 전원차단시에는 래치회로수단의 출력시 정전하의 축적을 억제하도록 제어하는 조절수단(122)을 포함하는 전원 투입 검출장치.
제9항에 있어서, 상기 래치회로수단은 상기 감지수단의 출력측에 접속된 입력부와 래치회로수단(110)의 출력측에 결합된 출력부가 있으며 래치회로수단의 출력의 충전·방전을 통하여 상기 감지수단(100)의 출력에 응답하여 전원투입을 나타내는 상기 신호를 발생하는 제1인버터회로수단을 포함하고; 상기 조절수단(122)은 제1인버터회로수단의 출력의 충전개시·정지를 지연시키는 수단(P13)(P14)(P15)을 포함하는 전원투입검출장치.
제9항에 있어서, 상기 제1인버터회로수단(112)은 상기 감지수단의 출력에 응답하여 감지수단(100)의 출력을 충전하는 제1트랜지스터소자(P1)와, 상기 감지수단의 출력에 응답하여 제1인버터회로의 출력을 방전하는 제2트랜지스터소자(N3)를 포함하고; 상기 조절수단(122)은 제1트랜지스터소자로부터 제1인버터회로수단의 출력부로 전류를 흐르게하는 전류흐름수단(P13)과, 전원투입시에는 상기 전류흐름수단의 저항을 크게하고 전원 차단시에는 전류흐름수단의 저항을 축소시키는 제어소쟈(P14)(P15)을 포함하는 전원투입검출장치.
제11항에 있어서, 상기 전류흐름소자(P13)은 대전류공급능력이 있는 제3트랜지스터로 구성되고, 상기 제어소자(P14)(P15)는 상기 제3트랜지스터소자의 온오프를 지연시키는 수단을 포함하는 전원투입검출소자.
제1항에 있어서, 상기 래치회로수단(110)은 상기 감지소자의 출력에 응답하여 래치회로수단의 출력을 충전하는 제1트랜지스터소자(P1)와, 상기 감지수단의 출력에 응답하여 래치회로수단의 출력을 방전하는 제2트랜지스터소자(N3)를 포함하고 상기 제1 및 제2의 트랜지스터소자는 인버터회로를 구성하며; 상기 조정수단(120)은 상기 제1트랜지스터소자와 래치회로수단의 출력측간에 설치되고 제어게이트가 있는 제3트랜지스터소자(P13)와, 상기 제3트랜지스터소자의 제어게이트에 결합되고 상기 제3트랜지스터소자를 통상적으로 온하는 대저항의 저항수단을 포함하는 전원투입검출장치.
제13항에 있어서, 상기 제3트랜지스터소자(P13)는 P채널 전계효과트랜지스터로 구성되고, 상기 저항수단(P14)(P15)은 접지전위를 제어게이트로 전달하는 대저항의 저항소자를 포함하는 전원투입검출장치.
제14항에 있어서, 상기 저항소자(P14)(P15)는 상기 제어게이트와 접지전위간 순방향의 제1저항체접속 트랜지스터소자(P15)와 상기 제어게이트와 접지전위간 역방향의 제2저항체 접속트랜지스터소자를 포함하는 전원투입검출장치.
제1항에 있어서, 전원전압에 응답하여 신호발생수단(11)의 활성화를 지연시키는 활성화제어수단(15)을 추가로 구성한 전원투입검출장치.
제16항에 있어서, 상기 활성화제어수단(150)은 상기 전원선에 결합되고 동작전원으로서 전원전압을 대저항을 통하여 상기 신호발생수단(110)에 인가하는 저항수단을 포함하는 전원투입검출장치.
전원선(55)상 전원전압의 인가를 검출하는 장치에 있어서, 상기 전원선(55)에 결합되고 전원투입을 감지하는 감지수단(100)과, 상기 감지수단의 출력에 응답하여 전원투입을 나타내는 신호를 발생하는 신호발생수단(110)과, 전원선에 결합되고 전원투입보다 지연시켜 신호발생수단을 활성화하는 활성화제어수단(150)으로 구성된 전원투입검출장치.
제18항에 있어서, 상기 활성화제어수단(150)은 상기 전원선(55)에 결합되고 대저항의 저항수단(P30)과, 상기 저항수단을 통하여 전원전압이 인가되고 이 인가된 전원전압을 동작전원으로서 상기 신호발생수단(110)으로 공급하는 신호선(60)을 포함하는 전원투입검출장치.
제18항에 있어서, 신호발생수단(110)에 응답하여 신호발생수단의 출력을 증폭하는 구동수단(40)을 추가 구성하고, 상기 활성화제어수단(150)이 전원전압의 투입에 대하여 구동수단의 활성화를 지연시키는 전원투입 검출장치.