KR960009005A - 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 처리장치는, 피처리체를 재치하는 절연체 및 이것의 내부에 내장되어 피처리체를 가열하는 저항 발열체를 갖춘 히터와, 처리실 밖으로부터 이 안에 연장되어 나온 급전선 및 이 급전선과 저항 발열체를 접속하는 단자를 갖춘 급전기구, 급전선 내 처리실 내에 연장되어 나온 부분 및 단자를 에워싸는 금속관을 구비하고 있다. 또한, 처리실 내의 배기가스를 배기관을 매개로 흡수기에 의해 가열하는 제1히터 및, 배기관의 각 장소에서 독립하여 배기간 내를 흐르는 배기가스를 가열하는 제2히터를 구비한다.

Description

처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 처리장치의 전체 구성을 나타낸 종단측면도.
제8도는 본 발명의 제2실시예에 따른 처리장치를 나타낸 단면도.

Claims (19)

  1. 처리실 내에 배치된 피처리체를 처리가스에 의해 처리하는 처리장치 있어서, 피처리체를 재치하는 절연체 및 이것의 내부에 내장되어 피처리체를 가열하는 저항 발열체를 갖춘 가열수단과, 처리실 밖으로부터 이 안에 연장되어 나온 급전선 및 이 급전선과 저항 발열체를 접속하는 단자를 갖춘 급전 수단, 상기 급전선 중 처리실내에 연장되어 나온 부분 및, 단자를 에워싸는 금속관을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속관은 절연체에 접합된 링체를 갖추고, 이 링체는 절연체의 열팽창율에 근사되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속관은 그 중간에 있어서 급전선 내 처리실내에 연장되어 나온 부분 및 단자를 에워싼 플렉시블 튜브를 갖춘 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 금속관 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 금속관틀 에워싸는 보호관 및, 이 보호관 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 보호관 내에 공급된 불활성 가스를 처리실 내에 배출하는 배출수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보호관은 처리실의 저면에 지지된 기단 및 절연체에 접촉된 선단을 갖추고, 상기 배출수단은 보호관 내에 공급된 불활성 가스의 압력이 소정치 이상의 경우에는 불활성 가스를 처리실 내에 배출하는 것을 허용하는 수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 처리실 내에 기재된 피처리체를 처리 가스에 의해 처리하는 처리장치에 있어서, 피처리체를 재치하는 절연테 및 이것의 내부에 내장되어 피처리체를 가열하는 저항 발열체를 갖춘 가열수단과, 처리실 밖으로부터 이 안에 연장되어 나온 급전선 및 이 급전선과 저항 발열체를 접속하는 단자를 갖춘 급전선 수단, 상기 급전선중 처리실 내에 연장되어 나온 부분 및 단자를 에워싸는 보호관 및, 이 보호관 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 보호관 내에 공급된 불활성 가스를 처리실 내에 배출하는 배출수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 처리실 내에 재치된 피처리체를 처리가스에 의해 처리함과 더불어 처리실 내의 배기가스를 배기관을 매개로 흡인기에 의해 배출하는 처리장치에 있어서, 처리실의 내벽에 배치되고, 처리실 내의 가스를 가열하는 제1가열수단과, 배기관의 각 장소에서 독립하여 배기관 내를 흐르는 배기가스를 가열하는 제2가열수단을 더구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 제2가열수단은 배기관의 길이 방향에 따라 각 장소에 배치된 복수의 히터를 갖춘 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 제ll항에 있어서, 복수의 히터는 배기관의 각 장소에 말려져 병렬로 접속된 복수의 저항 발열체를 갖춘 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 제10항에 있어서, 제2가열수단은 배기관 내의 배기가스의 온도가 상류측으로부터 하류측을 따라 저하되는 온도기울기를 규정하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  14. 제10항에 있어서, 제2가열수단은 배기관 내의 배기가스를 이 배기가스의 온도가 증기압 곡선보다 기체영역 측의 온도로 되도록 가열하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  15. 제10항에 있어서, 배기관 내의 각 장소에서의 배기가스의 온도를 검출하는 온드 검출수단과 배기관내의 각 장소에서의 배기가스의 압력을 검출하는 압력 검출수단 및, 이들 온도 및 압력 검출수단으로부터의 신호에 기초하여 제2가열수단을 제어하는 제어수단을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 제어수단은 배기관 내의 각 장소의 배기가스의 온도가 승화온도 이상으로 되도록 제2가열수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  17. 제15항에 있어서, 제어수단은 배기관 내의 각 장소의 배가가스의 온도가 증기압 곡선의 기체영역 측의 온도로 되도록 제2가열수단을 제어 하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  18. 제15항에 있어서, 제어수단은 배기가스의 종류에 따라 배기관 내의 배기가스의 온도를 설정하기 위하여 히트프로그램을 기억하고 있으머, 이 히트프로그램은 미리 프로세스 조건 및 증기압 곡선에 기초하여 정하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  19. 제15항에 있어서, 제어수단은 배기가스 및 반응 생성물의 원소를 항상 분석하고, 그 때의 압력을 검출하고, 분석된 원소의 증기압 곡선에 기초하여 배기가스 및 반응 생성물의 온도가 기체영역으로 되도록 제2가열수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
KR100250636B1 (ko) * 1996-11-13 2000-05-01 윤종용 반도체 장치 제조용 가열챔버의 원형 가열판
DE19711702C1 (de) * 1997-03-20 1998-06-25 Siemens Ag Anordnung zur Bearbeitung einer Substratscheibe und Verfahren zu deren Betrieb
WO1998051127A1 (en) * 1997-05-06 1998-11-12 Thermoceramix, L.L.C. Deposited resistive coatings
US6372048B1 (en) 1997-06-09 2002-04-16 Tokyo Electron Limited Gas processing apparatus for object to be processed
US6167323A (en) * 1997-08-12 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling gas system
JP3434721B2 (ja) * 1998-11-30 2003-08-11 東芝セラミックス株式会社 封止端子
KR100334993B1 (ko) * 1998-12-01 2002-05-02 추후제출 히터
US6423949B1 (en) * 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6617553B2 (en) 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
JP4398064B2 (ja) * 2000-05-12 2010-01-13 日本発條株式会社 加熱装置
EP1251551A1 (en) * 2000-08-30 2002-10-23 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspecting equipment
CN101638765A (zh) 2000-11-29 2010-02-03 萨莫希雷梅克斯公司 电阻加热器及其应用
JP4328009B2 (ja) * 2000-11-30 2009-09-09 日本碍子株式会社 加熱装置
US7090727B2 (en) * 2001-08-17 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Heated gas line body feedthrough for vapor and gas delivery systems and methods for employing same
JP2003209063A (ja) * 2001-11-08 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP2003253449A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体/液晶製造装置
EP1349429A3 (en) * 2002-03-25 2007-10-24 Tokyo Electron Limited Carbon wire heating object sealing heater and fluid heating apparatus using the same heater
JP4026761B2 (ja) * 2002-03-28 2007-12-26 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
US9226407B2 (en) * 2002-07-01 2015-12-29 Semigear Inc Reflow treating unit and substrate treating apparatus
WO2004030411A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. ウエハー保持体及び半導体製造装置
US20040250774A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 Brent Elliot Wafer heater with protected heater element
US6991003B2 (en) * 2003-07-28 2006-01-31 M.Braun, Inc. System and method for automatically purifying solvents
TW200508413A (en) * 2003-08-06 2005-03-01 Ulvac Inc Device and method for manufacturing thin films
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
DE102004021392A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Hotplate-Apparatur zur Prozessierung von Halbleiterwafern
KR100587681B1 (ko) * 2004-05-07 2006-06-08 삼성전자주식회사 반도체 제조용 챔버의 히터블록 장착용 라인의 실링구조
US20060021571A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vacuum pump line with nickel-chromium heater layer
US20080314320A1 (en) * 2005-02-04 2008-12-25 Component Re-Engineering Company, Inc. Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters
WO2006090730A1 (ja) * 2005-02-23 2006-08-31 Kyocera Corporation 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
US20070284363A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 Kim Yoon-Hae Temperature control apparatus of heating jacket
JP4961381B2 (ja) * 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US20090272728A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Thermoceramix Inc. Cooking appliances using heater coatings
US20100177454A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
JP5394292B2 (ja) * 2010-03-12 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体
KR101895307B1 (ko) 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
KR101904146B1 (ko) 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 이송 및 라디칼 구속을 위한 방법 및 장치
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
JP6104823B2 (ja) 2011-03-01 2017-03-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 薄型加熱基板支持体
CN106847737B (zh) 2012-02-29 2020-11-13 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室
JP6017328B2 (ja) * 2013-01-22 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US20150034699A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-05 Semigear Inc Reflow treating unit & substrate treating apparatus
US9960009B2 (en) * 2015-07-17 2018-05-01 Lam Research Corporation Methods and systems for determining a fault in a gas heater channel
EP3527691A4 (en) 2016-10-14 2020-06-24 IHI Corporation HEAT RECOVERY DEVICE FOR GAS PHASE PROCESS
JP7061889B2 (ja) * 2018-02-15 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及び処理装置
JP6773711B2 (ja) * 2018-03-27 2020-10-21 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2020023409A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Optically transparent pedestal for fluidly supporting a substrate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4171346A (en) * 1976-12-20 1979-10-16 Aluminum Company Of America Reactor heater
DE2850722A1 (de) * 1978-11-23 1980-05-29 Pampus Kg Elektrisches heizelement mit schutzleiter fuer aggressive baeder
JPS58111347A (ja) * 1981-12-24 1983-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPS6194559A (ja) * 1984-10-15 1986-05-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子用駆動回路
JPS6247123A (ja) * 1985-08-27 1987-02-28 Nec Corp 半導体製造装置
JPH02271612A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH0337189A (ja) * 1989-07-03 1991-02-18 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JPH0349355A (ja) * 1989-07-18 1991-03-04 Toshiba Corp ファクシミリ装置
DE4002605A1 (de) * 1990-01-30 1991-09-26 Bayer Ag Polyamidformmassen
US5109473A (en) * 1990-12-18 1992-04-28 Process Technology Inc. Heater assembly for use in a corrosive environment
JP2996524B2 (ja) * 1991-03-18 2000-01-11 松下電子工業株式会社 ポリイミド硬化装置
US5306895A (en) * 1991-03-26 1994-04-26 Ngk Insulators, Ltd. Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas
JPH06260678A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 読み取り装置及び該製造方法
JP3328853B2 (ja) * 1993-06-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5536478A (en) * 1994-12-01 1996-07-16 Corning Incorporated Electrical leads for a fluid heaters

Also Published As

Publication number Publication date
TW275132B (en) 1996-05-01
US5753891A (en) 1998-05-19
KR100280772B1 (ko) 2001-02-01

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