KR960005802A - 스퍼터링장치 - Google Patents

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KR960005802A
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sputtering
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히토시 야마니시
이사무 아오쿠라
마사히데 요코야마
타카히로 타키사와
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Abstract

본 발명은, 소형스퍼터링전극에 의해, 대형기판에 박막을 형성하는 마그네트론스퍼터링방식의 스퍼터링장치에 관한 것으로서, 복수의 직사각형타겟을 가진 스퍼터링전극에 의해, 대형기판에 형성되는 박막의 막두께 및 막질의 균일성을 향상시키고, 또 타겟의 높은 이용율을 가진 스퍼터링장치를 제공하는 것을 목적으로하며, 그 구성에 있어서는, 직사각형타겟을 사용해서 스퍼터링을 행하고, 기판에 박막을 형성하는 스퍼터링장치에 있어서 타겟(1)의 양옆가장자리에 따르도록, 각 옆가장자리에 복수개의 자석(24)을 배치하고, 또한 이들 자석의 극성을 서로 인접하는 것끼리가 반대의 관계가 되도록 정하는 동시에, 타겟(1)을 사이에두고 대향하는 자석(24)사이의 극성을 반대의 관계가 되도록 정하고, 적어도 2개이상의 타겟(1)을, 그 타겟면과 상기 기판면이 30°이상 60°이하의 각도를 이루도록 배치한 것을 특징으로 한 것이다.

Description

스퍼터링장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 스퍼터링전극의 평면도이다.
제1도(b)는 제1도(a)의 A-A′단면도이다.

Claims (5)

  1. 복수의 직사각형 타겟을 사용해서 스퍼터링을 행하고, 기판에 박막을 형성하는 스퍼터링 장치에 있어서, 각 타겟의 양옆가장자리에 따르도록, 각 옆가장자리에 복수개의 자석을 배치하고, 또한 이들 자석의 극성을 서로 인접하는 것끼리가 반대의 관계가 되도록 정하는 동시에, 타겟을 사이에두고 대향하는 자석사이의 극성을 반대의 관계가 되도록 정하고, 적어도 2개이상의 타겟을, 그 타겟면과 상기 기판면이 30°이상 60이하의 각도를 이루도록 배치한 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  2. 제1항에 있어서, 타겟의 양옆가장자리에 배치한 자석에 의해 발생하는 자속중, 타겟의 양옆가장자리부에 위치하는 자속의 향방이 각각, 타겟을 향한 이온을 타겟중앙부로 인도하도록 설정된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 타겟의 양옆가장자리에 배치한 자석에 의해 발생하는 자속중, 타겟의 양옆가장자리의 중심점을 연결하는 중심선에 대한 대칭위치에 있어서, 자속의 향방이 반대로 되어있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 타겟의 양옆가장자리에 배치한 자석에 의해 발생하는 자속이 각각, 타겟의 옆가장잘에 평행인 중심선상에 있어서, 그 극성이 3회이상 변화하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  5. 제1항, 제2항 제3항 또는 제4항에 있어서, 복수의 타겟 중 적어도 1개의 타겟을, 그 타겟면이 기판면에 평행이되도록 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950020867A 1994-07-20 1995-07-15 스퍼터링 장치 KR100212087B1 (ko)

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