KR960004314B1 - 포토마스크와 그 제조 방법 - Google Patents

포토마스크와 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

포토마스크와 그 제조방법
제1도는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 포토마스크.
제2도는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 포토마스크.
제3도는 제1도와 제2도에 있는 촛점과 최소 광 밀도사이의 관계를 나타내는 그래프.
제4도는 본 발명의 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 제1실시예의 단계를 도시한 단면도(1).
제5도는 본 발명의 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 제1실시예의 단계를 도시한 단면도(2).
제6도는 본 발명의 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 제2실시예의 단계를 도시한 단면도(1).
제7도는 본 발명의 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 제2실시예의 단계를 도시한 단면도(2).
제8도는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 수정 방법의 단계에 대한 단면도.
제9도는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 수정 방법의 단계에 대한 단면도.
제10도는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 수정 방법의 단계에 대한 단면도.
제11도는 본 발명의 다른 실시예에 대한 포토마스크.
제12도는 종래의 포토마스크.
제13도는 종래의 포토마스크.
본 발명은 반도체 장치의 제조를 위해 광학 석판인쇄에 사용되는 포토마스크에 관한 것으로서 특히 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 전이기가 있는 포토마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 집적회로의 대용량 고집적에 대한 요구에 부응하여 소규모화된 패턴이 필요하게 된다. 포토마스크를 사용하는 광학 석판인쇄에 대한 해의 개선에는 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 전이기를 사용한 위상 전이 마스크가 요청된다. 예를 들어 교차되는 빛의 차단과 전송에 대한 선 및 공간패턴의 위상 전이 마스크는 빛의 차단지역과 함께 빛의 전송지역 사이에 180위상차를 설정하여 패턴(pattern)의 해를 개선하기 위한 것이다. 그러나 이 경우 위상 전이 마스크는 전송된 빛의 위상 변환이 일어나는 빛의 전송지역내에 부분을 가진다. 즉, 위상 전이기가 구동되지 않은 지역(0지역)과 위상 전이기가 구성된 지역(180지역)은 상호 인접되어 있고 전송된 빛의 강도는 비록 부분이 빛 전송지역일지라도 부분에서 낮아진다. 그결과 그러한 위상 전이 마스크를 이용하므로서 저항은 반대로 패턴이 형성되는 부분에 남게된다. 위상 변화가 일어나지 않는 빛 전송지역내에 부분을 형성하지 않기 위하여 위상 전이기의 배열에 신경을 써야 한다.
위상 전이기의 배열에 그러한 제한을 제거하기 위해, 예를들어 90전이기는 위상이 변환되는 부분에 배열되며 그로 인하여 빛 전송지역내 위상의 첨예한 전이가 방지된다.
그러한 종래의 포토마스크는 제12도에 도시되어 있다. 제12도a는 포토마스크의 평면도이며, 제12도b는 제12도a의 A-A'선을 따른 단면도이다. 제12도c는 제12도a의 B-B'선을 따른 단면도이다.
크롬층(102)은 마스크 하층(100)위에 있는 선에 형성되어 있다. 크롬층(102)에 의해 샌드위치된 빛 전송지역의 1/2마다 180로 위상을 전이하기 위하여, 90로 각각 위상을 전이하는 위상 전이기(104,106)는 각각 중첩된다. 그리고 저 위상 전이기(104)만이 위상 전이기가 구성되지 않은 빛 전송지역의 경계에 형성된다. 위상 전이기가 없는 빛 전송지역의 경계내에서 위상은 90로 무디게 전이되므로 첨예한 위상 전이가 발생하지 않는다.
위상 전이기를 갖는 또 다른 종래 위상 전이 마스크도 그렇게 배열되어 있으므로 빛 전송지역은 제13도("고해상 석판에 새로운 위상 전이방법을 위한 쌍 위상기 접합", SPIE, Vol. 1463, PP. 112-123, 광학/레이저 마이크로 석판 IV(1991)에서 위상이 변환되는 곳의 부분이 없다. 제13도a는 포토마스크의 평면도이며 제13도b는 제13도a의 A-A'선 단면도이다.
이러한 종래의 위상 전이기에 있어서, 크롬층(102)은 마스크 하층(100)에 형성되며 90위상 전이를 위한 90위상 전이기(108)와 270위상 전이를 위한 270위상 전이기(110)는 크롬층(102)에 의하여 샌드위치된 각각의 빛 전송지역위에 교대로 형성된다.
위상은 90위상 전이기(108)와 270위상 전이기(110) 사이의 경계부분에서 변환된다 . 그러나 제13도에서, 경계부분 위의 크롬층(102)때문에 위상 변환이 일어나는 곳에서 빛 전송지역은 부분을 갖지 않는다. 그러나 제12도에 도시된 바와 같이 그러한 종래의 위상 전이 마스크는 빛 전송지역에서 위상을 180전이시키기 위하여 각각 90위상 전이를 하는 전이기(104),(106)는 다른 것에 중첩된다. 만일 포토마스크의 위상전이기에 결함이 발견된다면 변이기만 별도로 수정하는 것이 어렵다.
제13도의 종래 전이 마스크는 빛의 강도가 위상 전이기(108),(110)의 경계부분에서 상당히 낮아져 노출상의 촛점부위가 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 전송된 빛의 강도가 낮아짐 없이 빛 전송지역에서 위상을 전이시킬 수 있고, 자체 위상전이기의 결함을 쉽게 수정할 수 있으며. 노출상의 충분한 촛점부위를 확보할 수 있는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 마스크 하층위에 형성된 빛 차단층과 함께 빛 차단지역과 빛 차단지역에 의해 마스크 하층위에 한정된 빛 전송지역, 90+m×360(m=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 형성된 90위상 전이기로 빛 전송지역이 분할된 1차 지역, 270+n×360(n=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기위해 형성된 270위상 전이기가 있는 2차 지역, 상호 겹치는 것 없이 빛 차단지역 또는 그 사이에 위치한 3차 지역과 함께 배열되는 1차 지역과 2차 지역을 포함하는 포토마스크에 의해 달성된다.
본 발명의 목적은 마스크 하층의 전 지역위에 에칭 스토핑층을 형성하고, 빛 차단지역이 될 표면의 부분위에 빛 차단층을 형성하며, 1차 각(angle)에 의해 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 전 표면위에 1차 전송지역의 1차 지역위에 1차 저항층을 형성하며, 1차 위상 전이기가 1차 지역에 남도록 마스크로서 1차 저항층과 함께 1차 위상 전이기의 부분을 에칭하고, 빛 전송지역의 2차 각에 의하여 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 전 표면위에 2차 위상 전이기를 형성하고, 2차 지역에 2차 위상 전이기가 남도록 하기 위해 2차 위상 전이기를 리프트 오프(lift off)하는 2차 저항층을 제거하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조방법에 의해 달성된다.
본 발명에 있어서, 90전이기가 형성된 1차 지역과 270전이기가 형성된 2차 지역은 빛 차단지역 또는 전이기가 형성되지 않은 3차 지역과 함께 배열된다. 그 결과 포토마스크는 전송된 빛의 위상이 첨예하게 전이하는 빛 전송지역에서 부분을 갖지 않는다. 이에 따라 빛의 강도가 낮아진다. 더우기 90전이기와 270전이기는 상호 겹치지 않는다. 따라서 비록 결함이 90전이기 또는 270전이기내에서 발생되더라도 쉽게 수정이 된다.
본 발명의 하나의 실시예에 따른 포토마스크는 제1도와 제2도를 참조하여 설명될 것이다.
제1도는 포토마스크의 평면도이며 제2a도는 제1도의 A-A'선 단면도이다. 제2b도는 제1도의 B-B'선 단면도이다.
빛 차단층의 크롬층(12)은 석영(quartz)의 마스크 하층(10)위 라인에 형성된다. 에칭을 블럭킹(Blocking)하기 위한 에칭 스토핑층(14)은 크롬층(12)을 포함하는 전체 마스크 하층위에 형성된다. 에칭 스트핑층(14)은 예를들어, Al2O3로 형성된다.
3개의 빛 전송영역은 각각의 4개 크롬층(12)과 그것과 인접한 하나 사이에 한정되고 90로 위상을 전이하기 위한 90위상 전이기는 3개의 전송지역에 대한 중앙전송지역위에 형성된다. 90위상 전이기(16)는 예를들어 약 190㎚ 두께인 SiO2층이다. 이 90위상 전이기(16)는 크롬층(12)의 주변지역에 연속적으로 형성된다.
270로 위상을 전이하기 위한 270위상 전이기는 각각 4개의 크롬층(12)과 그것과 인접한 하나에 의해 샌드위치된 빛 전송지역의 좌,우 각각의 빛 전송지역위에 형성된다. 270위상 전이기(l8)는 예를들어, 570㎚ 정도의 두께인 SiO2층으로 형성된다. 270위상 전이기(18)는 크롬층(12)사이의 빛 전송지역위에만 형성된다.
90위상 전이기(16)는 어떤 위상 전이기도 형성되게 않은 빛 전송지역을 통해 각각 270위상 전이기(18)의 더 짧은 측면위에 형성된다. 90위상 전이기(16)는 또한 크롬층(12)의 빛 차단지역을 통해 270위상 전이기(18)의 더 긴 측면위에 형성된다.
이 실시예에 따른 포토마스크에 있어서, 90위상 전이기(16)와 270위상 전이기(18)는 어떤 위상 전이기도 형성되지 않은 빛 전송지역을 통해 또는 크롬층(12)의 빛 차단지역을 통해 상호 인접해 있다. 그리고 따라서 90보다 큰 각에 의해 위상이 첨예하게 전이하는 부분이 없다. 더우기 90위상 전이기와 270위상 전이기는 상호 겹쳐지지 않는다. 그결과 90위상 전이기(16)와 270위상 전이기는 별개로 수정할 수 있다.
이 실시예에 따른 포토마스크에 있어서, 빛의 강도는 위상 전이기의 외곽 경계부분에서 내려가지 않으며 그 결과 충분한 촛점부위가 노출될 수 있다.
촛점이 바뀔때 얻어진 최소 빛의 강도는 제1도 및 제2도의 이 실시예와 제13도의 종래 포토마스크에 따라 포토마스크 위에서 계산되었다.
제1도 및 제2도의 이 실시예에 따른 포토마스크에 있어서. 빛의 강도는 위상 전이기(18)의 경계 부근지역에서 가장 낮아진다. 제4도의 종래 포토마스크에 있어서, 빛의 강도는 위상 전이기(108),(110)의 경계부분인 지역에서 가장 낮아진다.
계산된 결과는 제3도에 도시되어 있다. 촛점은 수평축을 이루고 각각의 촛점에서 얻어진 최소 빛의 강도는 수직축을 이룬다. 실제 허용가능한 빛의 하위 한계는 0.4로 설정되었다. 제1도에 도시된 바와 같이, 종래 포토마스크에 있어서, 최소 빛의 강도는 촛점 -0.5㎛와 +0.5㎛ 사이의 한계값 0.4를 초과한다. 이 실시예에 따른 포토마스크에 있어서, 최소 빛의 강도는 촛점 0.5㎛와 +1.0㎛ 사이의 한계값 0.4를 초과하였다. 종래 포토마스크의 촛점부위는 0.1㎛였고, 이 실시예에 따른 촛점부위는 종래 포토마스크의 1.5배인 1.5㎛였다.
다음, 본 발명의 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 실시예는 제4도와 제5도를 참조로 하여 설명될 것이다.
먼저, 크롬층(12)은 석영의 마스크 하층(10)에 대한 전체 표면에 증착되어 라인에 식각된다. 순차적으로 전체 표면위에서 Al2O3의 에칭 스토핑층(14)이 증착된다. 그런다음 190㎚ 정도 두께의 SiO2층(20)이 전체표면위에 증착된다(제4a도).
다음, SiO2층(20)은 예를들어 마스크로서 저항층(22)과 함께 RIE(반응 이온 에칭)에 의하여 에칭된다. 그리고 90위상 전이기(16)가 형성된다. SiO2층(20)의 이러한 에칭은 에칭 스토핑층(14)에서 멈추고 마스크 하층(10)의 표면(10)은 결코 에칭되지 않는다.
순차적으로 형성될 270위상 전이기(18)에 대한 영역이 개방되어 식각된 저항층(24)이 형성된다.
그런다음 570㎚ 정도 두께의 SiO2층(26)이 전체 표면(제5b도)위에 증착된다. SiO2층(26)은 에칭 스토핑층(14)과 저항층(24)위에 형성된다.
다음, 저항층(24)은 SiO2층(26)위의 저항층(24)을 리프트 오프(lift off)하기 위해 제거된다. 그리고 270위상 전이기(18)가 형성된다(제5c도).
제4도와 제5도에 제시된 포토마스크 제작의 방법에 있어서, 90위상 전이기(16)는 에칭 기술에 의해서 그리고 270위상 전이기(18)는 리프트 오프 기술에 의해서 형성된다.
다음, 본 발명에 따라 포토마스크 제조의 방법에 대한 제2실시예는 제6도와 제7도를 참조하여 설명될 것이다.
먼저, 크롬층(12)은 석영의 마스크 하층(10)에 대한 전체 표면위에 증착되고 라인에 식각된다. 따라서 Al2O3에칭 스토핑층(14)은 전체 표면에 증착된다(제6a도).
그런다음 형성될 90위상 전이기(16)에 대한 영역이 개방되어 식각된 저항층(28)이 형성된다.
다음, 190㎚ 정도 두께의 SiO2층이 전체 표면위에 증착된다. SiO2층은 에칭 스토핑층(14)과 저항층(28)위에 형성된다.
순차적으로 저항층(28)은 저항층(28)위의 SiO2층(30)을 리프트 오프하기 위해 제거되어 90위상 전이기(16)가 형성된다(제6d도).
제1실시예와 유사하게, 형성된 270위상 전이기에 대한 영역이 개방되어 식각된 저항층(24)이 형성된다(제7a도). 그리고 570㎚ 정도 두께의 SiO2층(26)이 전체 표면위에 증착된다(제7b도). 저항층(24)위의 SiO2층은 리프트 오프되어 270위상 전이기(18)가 형성된다(제7c도).
제6도와 제7에 제시된 포토마스크 제조방법에 있어서 90위상 전이기와 270위상 전이기(18)는 리프트 오프 기술에 의하여 형성된다.
상술한 실시예에 따른 포토마스크 수정 방법은 90위상 전이기(16) 또는 270위상 전이기가 칩패턴(32)을 갖는 경우를 들어 제8, 9도 및 제10도를 참조하여 설명될 것이다.
칩패턴(chipped pattern)(32)에 상응하는 부분에서 개방되어 식각된 저항층(34)이 형성된다(제8b도).
따라서 마스크로서(8c도) 칩패턴은 저항층(34)과 함께 에칭된다.
순차적으로 위상 전이기가 되기에 필요한 두께의 SiO2층은 전체 표면위에 증착된다(제8d도). SiO2층(36)은 에칭 스토핑층(14)과 저항층(34)위에 형성된다.
그리고 저항층(34)은 저항층(34)위에서 SiO2층(36)을 리프트 오프하기 위해 제거된다(제8e도).
제9도를 참조로 포토마스크 수정 방법은 90위상 전이기(16)도 270위상 전이기(18)도 형성되어 있지않은 부분에 잔존 패턴(40)이 있는 경우를 들어 설명할 것이다.
먼저 잔존패턴(40)에 상응하는 부분에서 개방되어 식각된 저항층(42)이 형성된다. 정상패턴(44)은 저항층(42)과 함께 방호적으로 덮혀진다.
따라서 잔존패턴(40)만이 마스크로서 저항층(44)과 함께 에칭된다(제9c도).
순차적으로 저하층(44)이 정상패턴(44)만을 남기기 위해 제거된다(제9d도).
본 발명의 실시예에 따른 포토마스크에 있어서, 90위상 전이기와 270위상 전이기는 상호 겹쳐지지 않는다. 그 결과 90위상 전이기(16)와 270위상 전이기(18)는 분리되어 만들어질 수 있다.
제10도를 참조로 하여 포토마스크 수정 방법은 칩부분(46)을 갖는 90위상 전이기와 270위상 전이기의 경우를 들어 설명될 것이다(제10a도).
칩부분(46)을 포함하는 부분에서 개방되어 식각된 저항층(48)이 형성된다(제10b도).
따라서 칩부분(46)을 포함하는 부분이 마스크로서 저항층과 함께 식각된다(제10c도).
순차적으로 위상 전이기가 될 SiO2층(50)의 필요한 두께는 전체 표면에 증착된다(제10d도).
따라서 저항층(48)은 저항층(48)위의 SiO2층(50)을 리프트 오프하기 위해 제거된다(제10e도).
다음, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 포토마스크는 제11도를 참조로 설명될 것이다.
3개의 크롬층(12)이 석영의 마스크 하층위에 있는 라인에서 빛 차단층을 형성한다. 에칭 스토핑층(미도시)은 크롬층(12)을 포함하는 마스크 하층의 전체 표면위에 형성된다.
270로 위상을 전이하기 위한 270위상 전이기(18)는 각각의 크롬층(12)과 그것에 인접한 것과의 사이에 있는 두개의 빛 전송지역중 하나인 왼쪽과 각각의 크롬층(12)과 그것에 인접한 것과의 사이에 있는 두개의 빛 전송지역중 하나인 오른쪽에 형성된다. 270위상 전이기(18)는 예를들어 570㎚ 두께의 SiO2층으로 형성된다.
90로 위상을 전이하기 위한 90위상 전이기(16)는 각각의 크롬층(12)과 그것에 인접한 것과의 사이에 샌드위치된 두개의 빛 전송지역중 하나인 오른쪽에 형성된다. 90위상 전이기는 예를들어 190㎚ 정도 두께의 SiO2층으로 형성된다. 90위상 전이기(16)는 크롬층(12)의 주변지역에 연속적으로 형성된다. 그러나 우측 270위상 전이기의 우측 위에 있는 빛 전송지역에 허용된다.
이 실시예에 따른 포토마스크에 있어서, 90위상 전이기(16)와 270위상 전이기(18)는 어떤 위상 전이기나 크롬층(12)의 빛 차단지역이 형성되지 않은 빛 전송지역을 통해 상호 인접해 있다. 90위상 전이기와 270위상 전이기는 상호 겹쳐지지 않는다. 상술한 바에 따라, 90위상 전이기가 270위상 전이기의 가능한 결합의 수정은 별개로 이루어질 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에만 제한되는 것이 아니며 다른 변경이나 수정도 가능하다.
상기 한 실시예에서, 예를들면, 에칭 스토핑층은 마스크 하층과 크롬층위에 형성되며 또 다르게는 마스크하층위와 크롬층 아래에 형성될 수도 있다.
상기한 실시예에서, 90°위상 전이기의 형태는 270위상 전이기 형태를 따르나 반대로 270위상 전이기의 형태가 90위상 전이기의 형태를 따를 수도 있다.
상기한 실시예에서, 위상 전이기는 SiO2로 형성되나 다른 물질로서 형성될 수 있다. 특히 위상 전이기의 물질과 마스크 하층의 물질 사이의 에칭 공정에 대한 선택성의 경우에 있어서, 위상 전이기는 리프트 오프기술에 의해 형성될 수도 있다.
위상 전이기 패턴의 결함 수정이 필요치 않는 경우에 에칭 스토핑층이 형성되지 않을 수도 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면 90위상 전이기가 형성된 1차 지역과 270위상 전이기가 형성된 2차 지역 사이의 빛 차단지역 또는 위상 전이기가 형성되지 않은 곳에 3차 지역을 샌드위치한다. 따라서 빛 전송지역내에서 180로 위상이 첨예하기 전이할 때라도 빛의 강도가 내려가는 부분이 없다. 더우기 90및 270위상 전이기는 겹쳐지지 않는다. 따라서 만일 90및 270위상 전이기가 결함을 갖는다면 그 결함은 별개로 쉽게 수정될 수 있다.
이러한 본 발명은 반도체 집적회로등의 극(ultra) 마이크로화 패턴에 대한 광학 석판인쇄에 많은 기여를 하게 된다.

Claims (13)

  1. 마스크 하층위에 형성된 빛 차단층이 있는 빛 차단지역과 빛 차단지역에 의해 마스크 하층위에 한정된 빛 전송지역을 포함하고 빛 전송지역은 90+m×360(m=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 형성된 90위상 전이기가 있는 1차 지역, 270+n×360(n=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 형성된 270°위상 전이기가 있는 2차 지역과 0로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 3차 지역으로 분할되며 1차 지역과 2차 지역은 상호 겹쳐짐 없이 빛 차단지역 또는 그 사이에 위치하는 3차 지역과 함께 배열되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 빛 차단층은 다수의 빛 전송공간을 한정하는 다수의 빛 차단라인을 가지며; 90 °위상 전이기와 270 °위상 전이기는 빛 차단라인의 주변지역과 빛 전송공간위에 형성되고; 90 °위상 전이기와 270 °위상 전이기는 각각 빛 전송공간위에 형성되며; 빛 전송공간위의 90 °위상 전이기는 주변지역위의 90 °위상 전이기에 연속적으로 형성되고; 90 °위상 전이기나 270 °위상 전이기가 없는 빛 전송지역은 빛 전송공간위의 270 °위상 전이기와 주변지역위의 90 °위상 전이기 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제2항에 있어서, 90 °위상 전이기는 빛 차단선의 최외곽 측면에서 빛 차단라인에 인접한 지역위에 형성되며; 90 °위상 전이기나 270 °위상 전이기가 없는 빛 전송지역은 지역위의 270 °위상 전이기와 주변지역위의 90 °위상 전이기 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서, 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 위해 에칭 스토핑층은 마스크 하층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제2항에 있어서, 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 위한 에칭 스토핑층은 마스크 하층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 제3항에 있어서, 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 의한 에칭 스토핑층은 마스크 하층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 제1항에 있어서 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 위한 에칭 스토핑층은 빛 전송지역내의 마스크 하층과 빛 차단지역내의 빛 차단층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제2항에 있어서, 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 위한 에칭 스토핑층은 빛 전송지역내의 마스크 하층과 빛 차단지역내의 빛 차단층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  9. 제3항에 있어서, 마스크 하층의 블럭킹 에칭을 위한 에칭 스토핑층은 빛 전송지역내의 마스크 하층과 빛 차단지역내의 빛 차단층위에 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  10. 포토마스크를 제조하는 방법에 있어서, 마스크 하층의 전체 지역위에 에칭 스토핑층을 형성하고, 빛 차단지역이 될 표면의 부분위에 빛 차단층을 형성하며; 1차 각에 의해 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 전체 표면위에 1차 위상 전이기를 형성하고; 빛 차단층을 형성함 없이 빛 전송지역의 1차 지역위에 1차 저항층을 형성하며, 1차 지역위에 1차 위상 전이기를 남기기 위해 마스크로서 1차 저항층과 함께 l차 위상 전이의 부분을 에칭하고; 빛 전송지역의 2차 지역에 상응하는 개구와 함께 2차 저항층을 형성하며; 2차 각에 의해 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 전체 표면위에 2차 위상 전이기를 형성하고; 2차 지역에 2차 위상 전이기를 남기도록 2차 위상 전이기를 리프트 오프하기 위해 2차 저항층을 제거하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  11. 포토마스크를 제조하는 방법에 있어서, 마스크 하층의 전체 표면위에 에칭 스토핑층을 형성하고 빛 차단지역위에 빛 차단층을 형성하며; 빛 전송지역의 1차 영역에 상응하는 개구와 함께 1차 저항층을 형성하고; 1차 각에 의해 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 l차 위상 전이기를 전체 표면위에 형성하며; 1차 지역내에 1차 위상 전이기를 남기도록 1차 위상 전이기를 리프트 오프하기 위해 1차 저항층을 제거하고; 2차 각에 의해 전송된 빛의 위상을 전이하기 위해 2차 위상 전이기를 전체 표면위에 형성하며; 2차 지역내에 2차 위상 전이기를 남기도륵 2차 위상 전이기를 리프트 오프하기 위해 2차 저항층을 제거하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 1차 위상 전이기는 90 °+m×360 °(m=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 90 °위상 전이기이며, 2차 위상 전이기는 270 °+n×360 °(n=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 270 °위상 전이기임을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 1차 위상 전이기는 90 °+m×360 °(m=0,l,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 90 °위상 전이기이며, 2차 위상 전이기는 270 °+n×360 °(n=0,1,2…)로 전송된 빛의 위상을 전이하기 위한 270 °위상 전이기임을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
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