KR960002848A - 핀형 저장전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 핀형 저장전극 제조방법에 관한 것으로. 종래기술에서 핀형 저장전극을 형성하기 위하여 몇층의 저장전극용 다결정실리콘막을 증착하되 그 사이마다 희생막을 증착한 다음, 저장전극마스크를 이요한 식각공정시 발생되는 결함과 잔여물로 인하여 발생되는 문제점을 해결하기 위하여, 상기 희생막을 증착하기전에 얇은 두께의 식각장벽층을 증착함으로써 식각공정시 발생되는 문제점을 해결하여 핀형 저장전극을 제조함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시례의 의한 핀형 저장전극 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 핀형 저장전극 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 상기 반도체기판의 예정된 부위를 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되도록 저장전극용 제1다결정실리콘막을 일정 두께 증착하는 공정과, 상기 저장전극용 제1다결정실리콘막 상부에 식각장벽층과 희생막을 순차적으로 증착하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 저장전극용 제1다결정실리콘막이 노출되도록 상기 희생막과 식각장벽층을 순차적으로 식각함으로써 희생막 패턴과 식각장벽층패턴을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 일정두께의 저장전극용 제2다결정실리콘막을 증착하고 그 상부에 저장전극마스크를 형성하는 공정과, 상기 저장전극마스크를 이용하여 건식방법으로 상기 저장전극용 제2다결정실리콘막을 식각함으로써 저장전극용 제2다결정실리콘막패턴을 형성하고 상기 식각장벽층패턴을 장벽으로하여 상기 희생막패턴을 습식방법으로 제거한 다음, 건식방법으로 상기 식각장벽층패턴과 저장전극용 제2다결정실리콘막을 순차적으로 식각하여 저장전극용 제1다결정 실리콘막패턴을 형성하는 공정과 상기 저장전극마스크를 제거하고 상기 식각장벽층퍄턴을 습식방법으로 제거함으로써 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 핀형 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저장전극용 제1,2다결정실리콘막은 800Å-1200Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 핀형 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각장벽층은 실리콘질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 핀형저장전극 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각 장벽층은 LPCVD방법으로 증착하며 그 두께는 40Å-60Å정도로 하는 것을 특징으로 하는 핀형 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희생막은 1300Å-1700Å정도의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 핀형 저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초촐원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940015082A KR100278912B1 (ko) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 핀형 저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940015082A KR100278912B1 (ko) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 핀형 저장전극 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002848A true KR960002848A (ko) | 1996-01-26 |
| KR100278912B1 KR100278912B1 (ko) | 2001-02-01 |
Family
ID=66689115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940015082A KR100278912B1 (ko) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 핀형 저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100278912B1 (ko) |
-
1994
- 1994-06-29 KR KR1019940015082A patent/KR100278912B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100278912B1 (ko) | 2001-02-01 |
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