KR960002627A - 마이크로파 플라즈마 처리장치 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 중의 이온의 이방성 및 가속 에너지의 제어를 목적으로 하여 설치된 도전체가 내부에 반응가스의 유로를 갖고 또한 시료수용부를 향하여 가스를 분출시키기 위한 여러 개의 구멍을 갖는 마이크로파 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명에 관한 장치는 도전체의 면적에 대한 마이크로파 투과공의 총면적의 비가 0.25 ~ 0.65의 범위로 설정되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치이며, 또한 도전체에 설치되어 있는 마이크로파 투과공의 유전체선로 상에 있어서의 마이크로파 진행방향의 길이가 전기 방향에 수직인 방향의 길이보다도 긴 마이크로파 플라즈마 처리장치이다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래의 다른 마이크로파 플라즈마 처리장치를 나타내는 모식적인 단면도.
제3도는 실시예 1에 관한 마이크로파 플라즈마 처리장치를 나타내는 모식적(模式的)인 단면도.

Claims (8)

  1. 마이크로파 발진기와, 상기 마이크로 발진기로 발진된 마이크로파와 반응가스가 유입되는 반응기와, 마이크로파를 전기 반응기에 도파하는 도파관과, 전기 반응기의 한 벽면에 형성되고 전기 도파관에 접속된 유전체선로와, 전기 반응기를 상기 유전체선로와 반응실로 칸막이하는 상태로 설치되는 마이크로파 유입창과, 전기 반응실 내에 설치된 시료수용부와, 상기 시료수용부에 전계를 가하는 수단과, 전기 반응실에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과, 전기 마이크로 유입창과 시료수용부의 사이에 설치되고 마이크로파 투과공, 전기 가스 공급수단에 통하도록 연결된 반응가스 유로 및 시료를 향하여 반응가스를 분출시키기 위한 구멍을 갖는 도전체로 구성되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 전기 도전체는 전기 마이크로파 유입창에 접촉시켜 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  3. 마이크로파 발진기와, 상기 마이크로 발진기로 발진된 마이크로파와 반응가스가 유입되는 반응기와, 마이크로파를 반응기에 도파하는 도파관과, 전기 반응기의 한 벽면에 형성되고 전기 도파관에 접속된 유전체선로와, 전기 반응기를 상기 유전체선로와 반응실로 칸막이하는 상태로 설치되는 마이크로파 유입창과, 전기 반응실 내에 설치된 시료수용부와, 상기 시료수용부에 전계를 가하는 수단과, 전기 반응실에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과, 전기 마이크로파 유입창과 시료수용부의 사이에 설치되고 마이크로파 투과공을 갖는 도전체로 구성되는 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서, 전기 마이크로파 투과공의 총면적의 전기 도전체의 면적에 대한 비가 0.25 ~ 0.65 인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 전기 도전체는 전기 마이크로파 유입창에 접촉시켜 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  5. 마이크로파 발진기와, 상기 마이크로 발진기로 발진된 마이크로파와 반응가스가 유입되는 반응기와, 마이크로파를 반응기에 도파하는 도파관과, 전기 반응기의 한 벽면에 형성되고 전기 도파관에 접속된 유전체선로와, 전기 반응기를 상기 유전체선로와 반응실로 칸막이하는 마이크로파 유입창과, 전기 반응실 내에 설치된 시료수용부와, 상기 시료수용부에 전계를 가하는 수단과, 전기 반응실에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과, 전기 마이크로파 유입창과 시료수용부의 사이에 설치되고 마이크로파 투과공을 갖는 전도체로 구성되는 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서, 전기 마이크로파 투과공의, 전기 유전체선로에 있어서의 마이크로파의 진행방향의 길이가 전기 방향의 수직인 방향의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 마이크로파 투과공은 직사각형인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 전기 마이크로파 투과공은 타원형(楕圓形)인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 전기 도전체는 전기 마이크로파 유입창에 접촉시켜 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980001977A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 유충식 음식물 찌꺼기의 생물학적 처리용 발효제 조성물 및 퇴비화 방법
KR100456451B1 (ko) * 2002-01-15 2004-11-09 이헌구 폐사탕을 이용한 토양 미생물 비료의 제조방법
KR101219415B1 (ko) * 2010-04-26 2013-01-11 시마쯔 코포레이션 가스 배리어성 박막, 및 그것을 이용한 유기 디바이스

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5571577A (en) * 1995-04-07 1996-11-05 Board Of Trustees Operating Michigan State University Method and apparatus for plasma treatment of a surface
US5698036A (en) * 1995-05-26 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP3585578B2 (ja) * 1995-05-30 2004-11-04 アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP3164200B2 (ja) * 1995-06-15 2001-05-08 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP3164195B2 (ja) * 1995-06-15 2001-05-08 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
EP0830052A4 (en) * 1996-03-28 2000-02-02 Sumitomo Metal Ind PLASMIC TREATMENT METHOD AND DEVICE
US6092486A (en) * 1996-05-27 2000-07-25 Sumimoto Metal Indsutries, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6209482B1 (en) * 1997-10-01 2001-04-03 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator
JP4014300B2 (ja) * 1998-06-19 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3430053B2 (ja) * 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100319894B1 (ko) * 1999-07-13 2002-01-10 윤종용 표면파 플라즈마 식각장치를 이용한 반도체 웨이퍼 상의 물질막 식각방법
JP4222707B2 (ja) * 2000-03-24 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体
US6544895B1 (en) * 2000-08-17 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Methods for use of pulsed voltage in a plasma reactor
US6485572B1 (en) * 2000-08-28 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Use of pulsed grounding source in a plasma reactor
JP2002134417A (ja) * 2000-10-23 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3650025B2 (ja) * 2000-12-04 2005-05-18 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
US6845734B2 (en) * 2002-04-11 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Deposition apparatuses configured for utilizing phased microwave radiation
JP4304053B2 (ja) 2003-11-17 2009-07-29 株式会社アルバック マイクロ波励起プラズマ処理装置
US8136479B2 (en) * 2004-03-19 2012-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
US7842135B2 (en) * 2006-01-09 2010-11-30 Aixtron Ag Equipment innovations for nano-technology aquipment, especially for plasma growth chambers of carbon nanotube and nanowire
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
JP5256328B2 (ja) * 2010-10-28 2013-08-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5466670B2 (ja) * 2010-10-28 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US9543123B2 (en) * 2011-03-31 2017-01-10 Tokyo Electronics Limited Plasma processing apparatus and plasma generation antenna
JP2014026773A (ja) * 2012-07-25 2014-02-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20140042152A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage
JP6144902B2 (ja) 2012-12-10 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
JP5432395B1 (ja) * 2013-02-28 2014-03-05 三井造船株式会社 成膜装置及び成膜方法
US20140363903A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-11 Tokyo Ohta Kogyo Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
JP6356415B2 (ja) 2013-12-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US9824896B2 (en) * 2015-11-04 2017-11-21 Lam Research Corporation Methods and systems for advanced ion control for etching processes
CN113631016B (zh) * 2021-08-06 2023-05-16 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种一体化立体液冷管网流量分配装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131454A (ja) * 1984-11-30 1986-06-19 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法と装置
US5364519A (en) * 1984-11-30 1994-11-15 Fujitsu Limited Microwave plasma processing process and apparatus
DE3750115T2 (de) * 1986-10-20 1995-01-19 Hitachi Ltd Plasmabearbeitungsgerät.
DE3830249A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
JPH03191074A (ja) * 1989-12-20 1991-08-21 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
US5342472A (en) * 1991-08-12 1994-08-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2570090B2 (ja) * 1992-10-08 1997-01-08 日本電気株式会社 ドライエッチング装置
JP3042208B2 (ja) * 1992-09-22 2000-05-15 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980001977A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 유충식 음식물 찌꺼기의 생물학적 처리용 발효제 조성물 및 퇴비화 방법
KR100456451B1 (ko) * 2002-01-15 2004-11-09 이헌구 폐사탕을 이용한 토양 미생물 비료의 제조방법
KR101219415B1 (ko) * 2010-04-26 2013-01-11 시마쯔 코포레이션 가스 배리어성 박막, 및 그것을 이용한 유기 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
DE69524671D1 (de) 2002-01-31
KR0153842B1 (ko) 1998-12-01
US5545258A (en) 1996-08-13
EP0688038A3 (en) 1996-04-17
DE69524671T2 (de) 2002-08-14
EP0688038A2 (en) 1995-12-20
EP0688038B1 (en) 2001-12-19

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