KR950019926A - 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치 및 식각방법 - Google Patents

빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치 및 식각방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950019926A
KR950019926A KR1019930030852A KR930030852A KR950019926A KR 950019926 A KR950019926 A KR 950019926A KR 1019930030852 A KR1019930030852 A KR 1019930030852A KR 930030852 A KR930030852 A KR 930030852A KR 950019926 A KR950019926 A KR 950019926A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
chamber
dry etching
wafer
microwave
Prior art date
Application number
KR1019930030852A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0124512B1 (ko
Inventor
이병석
김동석
김경진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930030852A priority Critical patent/KR0124512B1/ko
Publication of KR950019926A publication Critical patent/KR950019926A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0124512B1 publication Critical patent/KR0124512B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로파 발생 장치에 의해 가스가 활성화된 가스를 웨이퍼(31)가 놓여 있는 반응 쳄버로 유입시키는 플라즈마 튜브(37)와; 상기 활성화된 가스가 들어와 RF(RADIO FREQUENCY)전원이 인가되는 전극(32)위에 놓여 있는 웨이퍼(31)와 반응을 일으키는 반응 쳄버(33)와;상기 챔버(33)상단부에는 챔버(33)내의 웨이퍼(31)에 수직으로 빛(35)을 조사시켜 웨이퍼(31)표면을 활성화 시킴으로서, 상기 플라즈마 튜브(37)을 통하여 챔버(33)내로 유입되는 래디컬과 반응을 일으키도록 도와주는 조사 장치(40)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치및 식각방법에 관한 것이다.

Description

빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치 및 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 종래의 MERIE(Magnetron Enhenced Reactive Ion Etching)건식 장치의 단면도,
제2도는 종래의 식각 장치를 사용한 폴리실리콘층을 식각 상태를 나타내는 작용상태도,
제3도는 본 발명에 따른 마이크로파와 빛을 이용한 건식 식각 장치 단면도,
제4A도는 본 발명의 식각장치를 이용하여 RF전원이 걸린상태에서 플리실리콘층을 식각하는 상태를 나타내는 작용상태도,
제4B도는 본 발명의 식각장치를 이용하여 RF전원이 걸리지 않은 상태에서 폴리실리콘층을 식각하는 상태를 나타내는 작용상태도.

Claims (11)

  1. 마이크로파 발생 장치에 의해 가스가 활성화된 가스를 웨이퍼(31)가 놓여 있는 반응 쳄버로 유입시키는 플라즈마 튜브(37)와; 상기 활성화된 가스가 들어와 RF(RADIO FREQUENCY)전원이 인가되는 전극(32)위에 놓여 있는 웨이퍼(31)와 반응을 일으키는 반응 쳄버(33)와;상기 챔버(33)상단부에는 챔버(33)내의 웨이퍼(31)에 수직으로 빛(35)을 조사시켜 웨이퍼(31)표면을 활성화 시킴으로서, 상기 플라즈마 튜브(37)을 통하여 챔버(33)내로 유입되는 래디컬과 반응을 일으키도록 도와주는 조사 장치(40)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 튜브(37)는 마이크로파 발생장치로부터 발생되는 마이크로파를 웨이브가이드(33)에 의해 안내받아 가스 유입구(36)에서 유입되는 가스를 플라즈마로 형성하여 상기 챔버 내로 활성화된 가스를 유입시키는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 튜브(37)는 마이크로파의 전달 및 오염 물질의 유입을 방지하기 위해 석영으로 형성되어 지는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조사 장치와 쳄버(33)사이에는 빛(35)이 투과할 수 있도록 형성된 석영판(39)을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  5. 제1항에 있어서, 챔버(33)을 이루고 있는 챔버벽(34)에는 챔버(33)를 냉각시켜 챔버의 온도를 일정하게 유지할 수 있도록 하는 냉각수 주입구(41)와 출구(42)를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 챔버(33)내를 고진공 상태를 유지하도록 하는 펌핑라인(47)을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조사 장치(40)에서 조사되는 빛은 UV(ULTRAVIOLET),LASER,X-선 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼(31)가 놓이는 전극(32)에 걸리는 RF(RADIO FREQUENCY)는 0 내지 100W(watt)이하인 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전극(32)에는 웨이퍼(31)를 일정 온도로 조절하기 위한 냉각수가 흐를 수 있도록 형성된 냉각수 주입구(43)와 출구(44)를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치.
  10. 웨이퍼(51)가 챔버안으로 들어오게 되면, 동시에 웨이퍼(51)가 놓인 전극에 RF전극을 걸어 플라즈마를 발생시켜, 이 플라즈마를 구성하고 있는 이온(55)과 래디컬(56)로 식각할층(53)을 식각하되 소정의 두께만을 식각하는 단계;웨이퍼(51)가 놓인 전극에 RF전원이 걸리지 않게 하고, 플라즈마 튜브를 통하여 챔버로 들어노는 래디컬(56)만 챔버 내에 존재하게 하며, 동시에 챔버 상부의 조상장치로 부터 웨이퍼 표면 위로 빛(57)을 조사하여 상기 식각할층(53)이 래디컬(56)과 반응하여 식각이 되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 식각할층(53)의 일부 식각은 식각할 두께의 10 내지 50%를 식각하는 것을 특징으로 하는 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030852A 1993-12-29 1993-12-29 표면 활성화 에너지원과 마이크로파를 이용한 건식 식각장치 및 식각방법 KR0124512B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930030852A KR0124512B1 (ko) 1993-12-29 1993-12-29 표면 활성화 에너지원과 마이크로파를 이용한 건식 식각장치 및 식각방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930030852A KR0124512B1 (ko) 1993-12-29 1993-12-29 표면 활성화 에너지원과 마이크로파를 이용한 건식 식각장치 및 식각방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950019926A true KR950019926A (ko) 1995-07-24
KR0124512B1 KR0124512B1 (ko) 1997-11-26

Family

ID=19373818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930030852A KR0124512B1 (ko) 1993-12-29 1993-12-29 표면 활성화 에너지원과 마이크로파를 이용한 건식 식각장치 및 식각방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0124512B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101282951B1 (ko) * 2010-10-21 2013-07-08 엘지전자 주식회사 태양전지의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101282951B1 (ko) * 2010-10-21 2013-07-08 엘지전자 주식회사 태양전지의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0124512B1 (ko) 1997-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4699689A (en) Method and apparatus for dry processing of substrates
JP3288490B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US4687544A (en) Method and apparatus for dry processing of substrates
US4689112A (en) Method and apparatus for dry processing of substrates
KR100971559B1 (ko) 플라즈마 프로세싱에서 마이크로-제트 인에이블되는 저 에너지 이온 생성 및 이송을 위한 방법과 장치
US4123663A (en) Gas-etching device
KR20040105567A (ko) 유기층 제거 방법 및 장치
US4741800A (en) Etching method for the manufacture of a semiconductor integrated circuit
JPH0864584A (ja) マイクロ波トラップを有するプラズマアッシャー
JPH09192479A (ja) プラズマ処理装置および方法
KR920007101A (ko) 에칭 및 플라즈마 처리방법
US4776923A (en) Plasma product treatment apparatus and methods and gas transport systems for use therein
KR100218836B1 (ko) 플라스마 처리장치
KR950019926A (ko) 빛과 마이크로파를 이용한 건식식각 장치 및 식각방법
WO1997004476A3 (en) Method and apparatus for semiconductor etching and stripping
US20020179015A1 (en) Plasma etching system
JP2000012526A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH06349776A (ja) 半導体製造装置
JPH0812840B2 (ja) レジスト処理方法
JPH0582289A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法および装置
JP2001044175A (ja) プラズマ処理装置
JPH03236231A (ja) 半導体集積回路製造装置
JPH01189123A (ja) 高分子樹脂被膜の除去方法
JPH05198498A (ja) レジスト膜のアッシング装置
JPH0691048B2 (ja) 基板乾処理の方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090828

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee