KR960002624A - 건식 에칭 방법 - Google Patents

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KR960002624A
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마사아키 사토
요시노부 아리다
마사히로 오가사와라
히데노리 사토
히로미쓰 간바라
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고지마 마사시
닛폰 덴신덴와 가부시키가이샤
이노우에 아키라
도쿄 에레구토론 가부시키가이샤
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Abstract

처리될 물체는 저압증기상 처리실내에 장입되고, 그런뒤 산소 첨가 가스 또는 적어도 산소를 함유한 첨가가스의 소량을 에칭에 사용될 반응가스에 첨가함에 의해 얻어진 에칭가스가 저압증기 처리실의 벽과 반응가스사이의 반응을 억제하기 위해 저압 증기상 처리실에 공급된다. 이 상태에서, 에칭될 물체는 에팅가스로 건식에칭된다.

Description

건식 에칭 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 의한 반응성 이온 에칭 장치의 배열도이며,
제2도는 저온 정체/충전 방법의 설명도이다.

Claims (14)

  1. 에칭할 물체를 저압 증기상 처리실내에 장입하는 단계; 산소첨가 가스 또는 적어도 산소를 함유한 첨가 가스의 소량을 에칭에 사용되는 반응가스에 첨가함에 의해 얻은 에칭가스를 상기 저압증기상 처리실에 공급하는 단계; 및 에칭가스로 에칭할 상기 물체를 건식에칭하는 단계로 되어 있는 것을 특징으로 하는 건식 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서, 첨가 가스에 함유된 산소의 유량은 반응가스의 총유량 1%이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 반응가스는 할로겐 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 첨가가스는, 산소와 질소의 가스혼합물, 산소와 희유가스의 가스혼합물 및 물증기를 함유한 가스혼합물로 구성된 군으로부터 선택돈 적어도 하나의 가스혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 에칭할 상기 물체의 표면은 폴리실리콘 또는 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저압 증기상 처리실은 표면이 양극처리된 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저압 증기상 처리실은 스테인레스 스틸로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 에칭할 물체를 저압 증기상 처리실내에 장입하는 단계; 상기 저압증기상 처리실의 벽과 반응가스 사이의 반응을 억제하기 위해 산소첨가가스 또는 적어도 산소를 함유한 첨가 가스의 소량을 에칭에 사용되는 반응가스에 첨가함에 의해 얻은 에칭가스를 상기 저압증기상 처리실에 공급하는 단계; 및 에칭가스로 에칭할 상기 물체를 건식에칭하는 단계로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 첨가가스에 함유된 산소의 유량은 반응가스의 총유량의 1%이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 반응가스는 할로겐 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 첨가가스는, 산소와 질소의 가스혼합물, 산소와 희유가스의 가스혼합물 및 물증기를 함유한 가스혼합물로 구성된 군으로 부터 선택된 적어도 하나의 가스 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 에칭할 상기 물체의 표면은 폴리실리콘 또는 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 저압 증기상 처리실은 표면이 양극처리된 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 저압 증기상 처리실은 스테인레스 스틸로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014670A 1994-06-02 1995-06-02 건식에칭방법 KR0174777B1 (ko)

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