KR950034857A - 광전자 장치 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면 광전자의 Ⅲ-Ⅴ 또는 Ⅱ-Ⅵ 반도체 장치는 적당한 광학특성 즉 낮은 미드갭 인터페이스 상태밀도를 제공하는 특성을 갖는 박막 피막(thin film coating)을 구비하고 있다. 또한 본 발명에 의하면 Ⅲ-Ⅴ 또는 Ⅱ-Ⅵ 반도체상의 반전채널 응용을 위해 전계효과 장치는 필요한 인터페이스 특성을 제공하는 얇은 유전체막을 구비하고 있다. 또한 그 장치 구조의 일부는 전자 Ⅲ-Ⅴ 장치의 노광 표면상의 상태의 패시베이션에 적용할 수 있다. 그 박막은 40내지 370℃내의 범위의 온도와 1×10-10Torr 이상의 배경 압력을 유지한채 단결정의 고순도 Gd3Ga5O12의 석화합물을 기판위에 전자빔증착(electron-beam evaporation)함으로써 조립된, 균일하고 동질(homogeneous)이며 밀도 있는 화학식량 산화갈륨(Ga2O3)유전체 박막을 구비하고 있다.

Description

광전자 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예의 양상에 의한 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 장치의 측면 구성도, 제2도는 Ga2O3막의 침착중의 굴절률대 기판 온도에 관한 도면.

Claims (17)

  1. Ⅲ-Ⅴ 및 Ⅱ-Ⅵ화합물 반도체와 반도체 표면의 적어도 한 영역에 산화갈륨의 피막을 구비하는 상기 반도체 표면을 구비하고, 상기 산화갈륨은 낮은 미드갭 인터페이스 상태밀도를 가지는 화학량론의 Ga2O3박막인 광전자 장치를 제조하는 방법이며, 상기 Ga2O3피막은 고순도의 단결정 Gd3Ga3O12소스를 사용하여 전자빔증착에 의해서 상기 반도체 표면에서 침착되고, 상기 반도체 표면은 40 내지 370℃의 온도 범위와 1×10-10Torr이상의 배경 압력을 유지하는 광전자 장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ga2O3박막은 침착실안으로 O2를 조금도 부가해서 유입시키지 않고서도 50℃이하와 1내지 2×10-6Torr의 배경 압력으로 상기 표면에서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 온도는 약 40℃인 광전자 장치 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 Ga2O3박막은 2×10-4Torr의 부분 산소 압력에 O2를 부가해서 유입시킴과 함께 150℃이하의 온도가 유지되고 있는 상기 표면에서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 온도는 약 125℃인 광전자 장치 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 표면은 발광 및 수광 표면중에서 선택되는 광전자 장치 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 장치는 레이저이고 상기 Ga2O3피막은 반사방지용 피막인 광전자 장치 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반사방지용 피막은 레이저의 한면에 있고 다른 면은 Si 및 Ga2O3의 교대층들에 의해서 피막되어 있는 광전자 장치 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 Ga2O3피막은 발광 다이오드와 광검출기중에서 선택되는 장치의 표면에 있는 광전자 장치 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 피막은 1×1013내지 7×1011㎝-2eV-1의 범위에서 미드갭 근처에 인터페이스 상태밀도로 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 장치는 Ⅲ-Ⅴ 및 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체상의 반전채널 응용을 위한 전계효과 장치이며, 상기 장치는 반도체 몸체, 그 몸체위의 Ga2O3층 및, 그 몸체와 그 Ga2O3층에 대한 전극들을 구비하고, 상기 Ga2O3층은 2×10-4Torr의 O2부분 압력을 가지며 125℃이상으로 유지되고 있는 반도체 기판상의 Gd3Ga5O12를 이용하여 전자빔의 증착에 의해서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 Ga2O3층은 2×10-4Torr의 O2부분압력을 가지며 약 350℃로 유지되고 있는 GaAs기판상의 Gd3Ga5O12를 이용하여 전자빔 증착에 의해서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 Ga2O3층은 1×1012㎝-2eV-1이하에서 미드갭 인터페이스 상태밀도를 실현하는 광전자 장치 제조방법.
  14. Ⅲ-Ⅴ 및 Ⅱ-Ⅵ 반도체중에서 선택되는 반도체 몸체, 그 몸체상의 유전체층 및, 그 몸체와 그 유전체층에 대한 전극을 구비하는 전자 장치를 제조하는 방법이며, 상기 유전체층은 1×1012㎝-2eV-1이하에서 미드갭 인터페이스 밀도를 시현하는 화학실량론의 Ga2O3인 전자장치 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 장치는 Ⅲ-Ⅴ 및 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체상의 반전채널 응용을 위한 전계효과 장치이며, 상기 장치는 반도체 몸체, 그 몸체위의 Ga2O3층 및, 그 몸체에 대한 전극들을 구비하고, 상기 Ga2O3층은 2×10-4Torr의 O2부분 압력을 가지며 약 1253이상으로 유지되고 있는 반도체 기판상의 Gd3Ga5O12를 이용하여 전자빔 증착에 의해서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 Ga2O3층은 2×10-4Torr의 O2부분압력을 가지며 약 125℃로 유지되고 있는 GaAs기판상의 Gd3Ga5O12를 이용하여 전자빔 증착에 의해서 침착되는 광전자 장치 제조방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 Ga2O3층은 350℃로 유지되고 있는 GaAs기판에서 침착되는 전자장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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