KR950030405A - 실리콘 가속 센서의 제조방법 - Google Patents

실리콘 가속 센서의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950030405A
KR950030405A KR1019940008000A KR19940008000A KR950030405A KR 950030405 A KR950030405 A KR 950030405A KR 1019940008000 A KR1019940008000 A KR 1019940008000A KR 19940008000 A KR19940008000 A KR 19940008000A KR 950030405 A KR950030405 A KR 950030405A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing
scalpel
compensation pattern
acceleration sensor
width
Prior art date
Application number
KR1019940008000A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0155140B1 (ko
Inventor
최시영
손병복
Original Assignee
최시영
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 최시영 filed Critical 최시영
Priority to KR1019940008000A priority Critical patent/KR0155140B1/ko
Publication of KR950030405A publication Critical patent/KR950030405A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0155140B1 publication Critical patent/KR0155140B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 제조 방법은 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 포함시키며, 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.
이러한 본 발명에 의하면, 목적하는 형태 메스를 성공적으로 형성할 수 있게 된다.

Description

실리콘 가속 센서의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제조방법에 적용한 보상 구조의 개략도, 제6도는 제5도에 대응하는 소자의 단면도, 제7도는 메스에 대한 상기 정사각형 보상 구조의 배치도, 제12도는 본 발명에 의해 제조된 메스의 SEM사진.

Claims (1)

  1. 사각형의 정상면과, 정상면보다 넓은 면적의 기저면을 가지는 메사 구조의 메스를 소정 보상 패턴의 마스크를 이용하여 에칭하는 성형 단계를 갖는 가속도 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 마스크를 형성함에 있어, 상기 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 마련하며, 상기 보상 패턴은 그 중점이 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 위치시키며, 그리고 상기 보상 패턴의 각 변의 길이를 2C로 결정하도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 가속 센서의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019940008000A 1994-04-16 1994-04-16 실리콘 가속도 센서의 제조방법 KR0155140B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940008000A KR0155140B1 (ko) 1994-04-16 1994-04-16 실리콘 가속도 센서의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940008000A KR0155140B1 (ko) 1994-04-16 1994-04-16 실리콘 가속도 센서의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950030405A true KR950030405A (ko) 1995-11-24
KR0155140B1 KR0155140B1 (ko) 1998-10-15

Family

ID=19381159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940008000A KR0155140B1 (ko) 1994-04-16 1994-04-16 실리콘 가속도 센서의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0155140B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100283408B1 (ko) * 1998-01-21 2001-04-02 김영환 반도체용마스크
KR100379928B1 (ko) * 1998-08-12 2003-09-13 주식회사 만도 수산화칼륨용액에의한매스의언더컷팅을보상하기위한반도체가속도센서의제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100283408B1 (ko) * 1998-01-21 2001-04-02 김영환 반도체용마스크
KR100379928B1 (ko) * 1998-08-12 2003-09-13 주식회사 만도 수산화칼륨용액에의한매스의언더컷팅을보상하기위한반도체가속도센서의제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0155140B1 (ko) 1998-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950030405A (ko) 실리콘 가속 센서의 제조방법
KR910019192A (ko) 반도체장치용 리드프레임 및 그 제조방법
KR940010236A (ko) 반도체 장치용 유리 마스크 및 그 제조방법
KR920001755A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR960026139A (ko) 정렬마크 형성방법
JPH0653159A (ja) レジスト構造、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法
KR940018938A (ko) 반도체장치의 게이트전극 패턴 레이아웃 및 이를 사용한 게이트전극의 형성방법
JPS55150273A (en) Semiconductor device
KR0122870Y1 (ko) 포토마스크
KR0140486B1 (ko) 레티컬 제작방법
KR970072413A (ko) 커패시터 제조방법
KR970048978A (ko) 반도체 메모리 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 포토마스크
JPS6239035A (ja) 深差し防止機構を有する集積回路装置
KR970013020A (ko) 이온 주입 마스크 형성방법
KR970003559A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JPH025754U (ko)
KR950012848A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR970017946A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
JPH02138434U (ko)
JPH04188659A (ja) 表面実装用半導体装置
KR970077109A (ko) 콘택 얼라인어에 사용되는 정렬키 패턴
JPS62122342U (ko)
KR980005372A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970018313A (ko) 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조
JPH0521625A (ja) Ｉｃパツケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee