KR970013020A - 이온 주입 마스크 형성방법 - Google Patents

이온 주입 마스크 형성방법 Download PDF

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KR970013020A
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KR
South Korea
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ion implantation
implantation mask
forming
mask
present
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KR1019950025860A
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김정희
이근호
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 이온 주입 마스크 형성방법에 관한 것으로, 감광막의 높이로 인해 발생되는 그림자 영향을 방지하기 위하여 이온 주입 마스크(Mask)로 이용되는 감광막 패턴의 측벽을 계단식으로 형성하므로써 균일한 이온 주입을 이루어 소자의 전기적특성을 향상시킬 수 있도록 한 이온 주입 마스크 형성방법에 관한 것이다.

Description

이온 주입 마스크 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (2)

  1. 이온 주입 마스크 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 이온주입될 부분의 상기 실리콘기판이 노출되도록, 그리고 측벽이 계단식으로 형성되도록 상기 감광막을 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 마스크 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막 경사도는 90° - 이온 주입 각도 이하인 것을 특징으로 하는 이온 주입 마스크 형성방법
KR1019950025860A 1995-08-22 1995-08-22 이온 주입 마스크 형성방법 KR970013020A (ko)

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