KR950021491A - 정전 방전(esd) 구조 회로 - Google Patents

정전 방전(esd) 구조 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR950021491A
KR950021491A KR1019930028515A KR930028515A KR950021491A KR 950021491 A KR950021491 A KR 950021491A KR 1019930028515 A KR1019930028515 A KR 1019930028515A KR 930028515 A KR930028515 A KR 930028515A KR 950021491 A KR950021491 A KR 950021491A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
well
active region
esd
electrostatic discharge
Prior art date
Application number
KR1019930028515A
Other languages
English (en)
Inventor
안희백
윤종섭
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930028515A priority Critical patent/KR950021491A/ko
Publication of KR950021491A publication Critical patent/KR950021491A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 집적회로 제조공정중 회로에 고전압 또는 과전류가 가해졌을 경우 전력을 중도에서 소모시켜 주회로를 보호하는 역할을 하는 정전 방전 (Electrostatic Discharge : ESD) 구조 회로에 관한 것으로, 특히 패드 (2)와 연결되는 활성 영역 (23)과 상기 활성 영역 주변에 웰 (24) 이 형성된 구조를 갖는 비정상적인 신호가 가해질때 주회로를 보호하는 정전 방전(Electrostatic Discharge, ESD) 구조 회로에 있어서, 상기 활성영역(23)과 웰(24)은 서로다른 형 (type)의 층을 이룸으로써 상기 웰을 플로팅 (floating)시키는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 비정상적인 신호전달로 인한 전력소모 동안 ESD회로 자체가 파괴됨을 막고, 또한 정상신호 절달시는 전체 캐패시턴스를 낮추어 주는데 이것을 R. C 시정수 감소를 의미하므로 결국 속도지연이 그만큼 줄어들게 되어 신호전달 속도 개선의 효과도 아울러 얻을 수 있다.

Description

정전 방전 (ESD) 구조 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 정전 방전 구조 회로 단면도.

Claims (2)

  1. 패드(2)와 연결되는 활성영역(23)과 상기 활성영역 주변에 웰(24)이 형성된 구조를 갖는, 비정상적인 신호가 가해질때 주회로를 보호하는 정전 방전(Electrostatic Discharge, ESD) 구조 회로에 있어서, 상기 활성영역 (23)과 웰 (24)은 서로다른 형 (type)의 층을 이룸으로써 상기 웰을 플로팅 (floating)시키는 것을 특징으로 하는 정전 방전(ESD) 구조 회로.
  2. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028515A 1993-12-18 1993-12-18 정전 방전(esd) 구조 회로 KR950021491A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028515A KR950021491A (ko) 1993-12-18 1993-12-18 정전 방전(esd) 구조 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028515A KR950021491A (ko) 1993-12-18 1993-12-18 정전 방전(esd) 구조 회로

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960002887A Division KR960009384B1 (ko) 1993-12-20 1996-02-07 비중조절이 가능한 오·폐수 처리용 미생물접촉재 유니트

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950021491A true KR950021491A (ko) 1995-07-26

Family

ID=66850699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930028515A KR950021491A (ko) 1993-12-18 1993-12-18 정전 방전(esd) 구조 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950021491A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386079B1 (ko) * 1996-06-14 2003-09-19 주식회사 하이닉스반도체 정전방전(esd)구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386079B1 (ko) * 1996-06-14 2003-09-19 주식회사 하이닉스반도체 정전방전(esd)구조

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4423431A (en) Semiconductor integrated circuit device providing a protection circuit
JP3075892B2 (ja) 半導体装置
JPH11501773A (ja) ウェル抵抗を用いたcmos回路静電気放電保護
JPH02262374A (ja) 静電気保護システム
KR950021491A (ko) 정전 방전(esd) 구조 회로
KR970072381A (ko) 이에스디(esd) 보호회로의 구조 및 제조방법
KR940016232A (ko) 반도체 메모리장치
JPH0228362A (ja) 半導体集積回路装置
KR950020965A (ko) 반도체 장치
JPH0379120A (ja) 入力保護回路
KR950021492A (ko) 정전 방전(esd) 회로
KR101279186B1 (ko) 반도체 장치
KR100861294B1 (ko) 반도체 회로용 정전기 보호소자
JPH1168038A (ja) 半導体集積回路装置における静電破壊保護回路
JPH0256969A (ja) 薄膜半導体装置
KR100312621B1 (ko) 반도체정전기보호를위한출력버퍼회로
KR100232186B1 (ko) 이에스디 보호 회로
JPS62109354A (ja) 半導体集積回路
JPH05275624A (ja) 半導体保護回路
KR970053790A (ko) 정전기 보호 소자
US5513064A (en) Method and device for improving I/O ESD tolerance
KR100379330B1 (ko) 정전적방전(esd)구조
JPS63301555A (ja) 半導体装置
KR100253585B1 (ko) 정전기 보호용 반도체장치
KR950021412A (ko) 반도체 소자의 전원선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application