KR950021492A - 정전 방전(esd) 회로 - Google Patents

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KR950021492A
KR950021492A KR1019930028516A KR930028516A KR950021492A KR 950021492 A KR950021492 A KR 950021492A KR 1019930028516 A KR1019930028516 A KR 1019930028516A KR 930028516 A KR930028516 A KR 930028516A KR 950021492 A KR950021492 A KR 950021492A
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KR1019930028516A
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안희백
윤종섭
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 집적회로 제조공정중 회로에 고전압 또는 과전류가 가해졌을 경우 전력을 중도에서 소모시켜 주회로를 보호하는 역할을 하는 정전 방전 (Electrostatic Discharge : ESD) 회로에 관한 것으로, 특히 CMOS를 포함하는 주 (main)회로 (200)에 고전압 또는 과전류가 가해졌을 경우 전력을 중도에서 소모시켜 주회로를 보호하는 정전 방전(Electrostatic Discharge, ESD) 회로(100)에 있어서, 상기 ESD회로(100)는 반도체기판(1) 상에 형성된 절연막(20) 상부에 형성되는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 ESD회로로 인한 래치-업(Latch-up) 발생을 막아 회로의 안정성을 높일 수 있으며, 또한 ESD회로가 기판과 완전히 절연되어 있어 ESD회로를 주회로와 멀리 떨어뜨려놓을 필요가 없으며 보호링과 같은 구조도 필요가 없게 되어 전체 회로의 크기틀 그만큼 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

정전 방전(ESD) 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 주회로와 정전 방전 구조 회로의 연결 구성 예시도.

Claims (2)

  1. CMOS를 포함하는 주 (main)회로 (200)에 고전압 또는 과전류가 가해졌을 경우 전력을 중도에서 소모시켜 주회로를 보호하는 정전 방전 (Electrostatic Discharge, ESD) 회로 (100)에 있어서, 상기 ESD 회로 (100)는 반도체기판(1) 상에 형성된 절연막(20) 상부에 형성되는 것을 특징으로하는 ESD 회로.
  2. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028516A 1993-12-18 1993-12-18 정전 방전(esd) 회로 KR950021492A (ko)

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