KR950021349A - 준자기정렬 트렌치 소자격리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고속정보처리 시스템에서 사용되는 바이폴라 소자와 BiCMOS소자의 제조공정중 트렌치 소자격리방법에 관한 것으로, 트렌치징의 마스크인 산화막(3)위에 활성영역정의 마스크인 질화막(4)의 정렬되도록 제조하고, 산화막(3), 질화막(4), 산화막(5)의 적층구조를 마스크로 하여 트렌치를 식각하고, 트렌치 마스크용의 LPCVD산화막(5)을 습식 식각하여 웨이퍼표면의 트렌치쪽을 원하는 만큼 증가(9)시켜 마스크 정렬오차를 보상하는 방법과 트렌치를 채운 다결정 실리콘(15)을 기계화학적 연마방법으로 제거함으로써 평탄한 웨이퍼 표면을 얻어 마스크 정렬오차를 줄이는 방법과 선택비가 좋은 선택적 연마로 마스크층인 질화막(4)의 손상을 최소화하여 열산화막(20)형성시 산화방지용 마스크로 재사용하는 방법으로 제조함으로써 집적도 향상과 기생접합용량의 감소에 의한 동작속도의 향상이 가능하다.

Description

준자기정렬 트렌치 소자격리방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 따른 트렌치 소자격리 단면도.

제3도는 상기 제2도에 따른 트렌치 소자격리의 제조 공정도.

Claims (4)

1. p형 기판위에 n+매몰층(3)을 형성하고, 이 위에 n-에피층(2)을 형성한 위에 소정 두께의 산화막(3), 질화막(4), LPCVD 산화막(5)순으로 적충한 후 소정부분(6)을 제외한 나머지 부분을 마스킹한 다음, 상기 소정 부분(6)의 상기 LPCVD 산화막(5), 질화막(4), 산화막(3)을 제거하는 공정(A)과, 상기 소정부분(6)에서의 기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 만든 후, 식각에 의한 손상을 완화시키기 위해서 상기 트렌치면에 제1산화막(8)을 형성하는 공정(B)과, 상기 제1산화막(8)을 소정 식각법에 의하여 제거한 후 상기 LPCVD 산화막(5)을 원하는 두께만큼 식각하여 마스크용 산화막(10)을 형성하고, 소정부분(9)의 상기 산화막(3, 10)을 트랜치 마스크와 활성영역정의 마스크 사이의 정렬오차를 보상하기 위해서 제거하는 공정(C)과, 상기 트렌치 측면 산화막을 형성하기 위하여 소정 두께의 제2산화막(11)을 형성하는 공정(D)과, 상기 트렌치 바닥부분(12)의 상기 제2산화막(11)과 소정 부분(14)의 노출된 질화막(4)을 제거하고, 마스크층 역할을 하는 산화막(13)을 남게하는 공정(E)과, 상기 트렌치를 소정 원자가 도핑된 다결정실리콘(15)으로 채운 후, 열처리를 하여 상기 기판으로 상기 소정원자가 확산되게 하여 p+영역(16)을 형성하여 기판을 접지하는 공정(F)과, 상기 다결정실리콘(15)을 기계화학적 연마방법에 의해서 상기 산화막(13)이 노출될때까지 연마한 다음 상기 질화막(4)위의 산화막(13)을 식각하여 평탄화 다결정실리콘의 웨이퍼표면(17)을 얻는 공정(G)과, 상기 웨이퍼표면(17)위에 감광막(18)을 사용하여 활성역역을 정의하고, 이 감광막(18)의 패턴의 한쪽 끝이 트렌치 중앙 위에 형성되게 하여 트렌치 정의용 마스크로서 이용되는 공정(H)과, 상기 감광막(18)을 사용한 마스크 공정 후 상기 노출된 질화막(4)을 식각하고 감광막(18)을 제거하고, 남은 질화막(19)을 마스크층으로 하여 열산화막(20)을 형성하는 공정(I)을 포함하는 준자기정렬 트렌치 소자 격리방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 마스크용 산화막(10)은 상기 제2산화막(11)보다 상대적으로 두께가 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 준자기정렬 트렌치 소자격리방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 공정(G)의 질화막(4)은 활성영역정의시 산화방지용 마스크층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 준자기정렬 트렌치 소자격리방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 공정(B)의 산화막(5)을 습식식각하여 공정(C)의 (P)를 형성시키는 것을 특징으로 하는 준자기정렬 트렌치 소자격리방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.