KR950012636A - 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법 - Google Patents
디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법Info
- Publication number
- KR950012636A KR950012636A KR1019940026363A KR19940026363A KR950012636A KR 950012636 A KR950012636 A KR 950012636A KR 1019940026363 A KR1019940026363 A KR 1019940026363A KR 19940026363 A KR19940026363 A KR 19940026363A KR 950012636 A KR950012636 A KR 950012636A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- deposition chamber
- tungsten
- dichlorosilane
- tungsten silicide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 저압 화학적 증기 증착 반응기 내에서 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 규화 텅스텐(WSix)을 박막으로서 증착시키기 위한 방법을 제공하려는 것이다 질소가 존재하게 되면, 기판상, 특히 다중 규소층 상으로의 규화 텅스텐(WSix)막의 고착이 저하된다. 그러므로, 증착된 박막을 만들어내기 위해서는 증착전에 기판으로부터 질소를 제거해야 하고, 저압 화학적 증기증착 챔버로부터 질소를 제거해야 한다. 증착챔버는 아르곤과 같은 희가스의 분위기를 포함하여야 한다. 아르곤은 캐리어가스로서도 사용될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 텅스텐 증착챔버의 개략적인 단면도,
제 2도는 반도체 기판들을 처리하기 위한 다중챔버식 반도체 처리장치의 개략적인 평면도.
Claims (17)
- 저압 화학적 증기 증착챔버내에서 반도체 기판의 표면상으로 규화텅스텐(WSif)을 증착시키기 위한방법으로서, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 모든 질소를 제거하는 단계, 및 500 내지 575℃의 온도와 0.5 내지 10torr의 압력하에서 희(noble)가스, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착 챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에의해, 상기 반도체 기판상에 규화텅스텐(WSix)막이 증착되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희가스가 아르곤인 방법.
- 제1항에 있어서, 아른곤을 이용한 정화에 의해서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 질소가 제거되는 방법.
- 제1항에 있어서, 100 내지 1000sccm 유량의 아르곤, 130 내지 300srcm 유량의 디클로로실란 및 1내지 6sccm 유량의 육플루오르화 텅스텐이 사용되는 방법.
- 제1항에 있어서. 상기 온도가 550℃인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 압력이 1 내지 3torr인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 실리콘 웨이퍼인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 vy면상에 다중규소층을 갖는 실리콘 웨이퍼인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 표면상에 실리콘 산화물 층을 갖는 실리콘 웨이퍼인 방법.
- 제1항에 있어서. 상기 증착챔버가 운반챔버에 부착되민 있고, 상기 운반챔버는 아르곤 분위기를 갖는 방법.
- 단일 웨이퍼용 저압 화학적 증기 증착챔버에 연결된 운반챔버를 포함하는 다중챔버 진공장치에서 실리콘 웨이퍼의 표면위로 규화텅스텐(WSiX)을 증착시키기 위한 방법에 있어서, 상기 운반챔버내에 희(noble)가스 분위기를 유지하는 단계, 및 500 내지 575℃의 온도와 0.5 내지 10torr의 압력하에서 희가스 캐리어, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에의해, 상기 웨이퍼 상에 규화텅스텐(WSX)층이 증착됨을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 희가스가 아르곤임을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼가 다중 규소층을 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 저압 화학적 증기 증착 챔버내에서 반도체 기판의 표면위로 규화 텅스텐(WSX)을 증착시키기 위한 방법으로서, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 모든 질소를 제거하는 단계, 및 희가스, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에 의해, 상기 반도체 기판상에 규화 텅스텐(WSX)막의 증착되는 방법.
- 제14항에 있어서. 상기 증착챔버가 0.5 내지 10torr의 압력하에서 유지되는 방법.
- 제14항에 있어서. 상기 증착챔버가 500 내지 575℃의 온도하에서 유지되는 방법.
- 제14항에 있어서, 규화텅스텐(WSX)으로 이루어진 초기의 얇은 층이 1torr또는 그 이상의 압력하에서 증착되고. 상기 압력은 1torr 또는 그 이하로 감소되며, 감소된 압력하에서도 증착이 연속적으로 이루어지는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13652993A | 1993-10-14 | 1993-10-14 | |
US8/136,529 | 1993-10-14 | ||
US08/136,529 | 1993-10-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950012636A true KR950012636A (ko) | 1995-05-16 |
KR100214906B1 KR100214906B1 (ko) | 1999-08-02 |
Family
ID=22473231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940026363A KR100214906B1 (ko) | 1993-10-14 | 1994-10-14 | 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키는 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0648859B1 (ko) |
JP (1) | JPH07172810A (ko) |
KR (1) | KR100214906B1 (ko) |
DE (1) | DE69404415T2 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100269315B1 (ko) * | 1997-11-24 | 2000-11-01 | 윤종용 | 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법 |
KR100669141B1 (ko) | 2005-01-17 | 2007-01-15 | 삼성전자주식회사 | 오믹막 및 이의 형성 방법, 오믹막을 포함하는 반도체장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2620736B1 (fr) * | 1987-09-17 | 1990-01-19 | France Etat | Procede de depot de siliciures de tungstene ou de molybdene |
GB2222416B (en) * | 1988-08-31 | 1993-03-03 | Watkins Johnson Co | Processes using disilane |
JP3163687B2 (ja) * | 1991-11-12 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 |
-
1994
- 1994-09-13 DE DE69404415T patent/DE69404415T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-13 EP EP94306699A patent/EP0648859B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 JP JP6246234A patent/JPH07172810A/ja not_active Withdrawn
- 1994-10-14 KR KR1019940026363A patent/KR100214906B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100214906B1 (ko) | 1999-08-02 |
EP0648859A1 (en) | 1995-04-19 |
DE69404415D1 (de) | 1997-09-04 |
JPH07172810A (ja) | 1995-07-11 |
DE69404415T2 (de) | 1997-12-04 |
EP0648859B1 (en) | 1997-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6049131A (en) | Device formed by selective deposition of refractory metal of less than 300 Angstroms of thickness | |
JP3990792B2 (ja) | 堆積プロセスにおけるSiH4ソーク及びパージの利用 | |
US5207836A (en) | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus | |
EP0599991B1 (en) | Process for forming low resistivity titanium nitride films | |
KR910005397A (ko) | 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 층을 cvd 증착시키는 방법 | |
US20030109144A1 (en) | Selectively etching silicon using fluorine without plasma | |
KR910019113A (ko) | 집적 공정 시스템에서 티타늄과 질소함유 가스의 반응에 의해 반도체 웨이퍼상에 질화티타늄을 형성시키는 방법 | |
EP1139418A3 (en) | Reduced fluorine contamination for tungsten cvd | |
KR910015011A (ko) | 금속 또는 금속 실리사이드막의 형성방법 | |
KR950000921A (ko) | 고융점 금속질소화물의 증착방법 및 고융점 금속질소화물을 함유하는 전도막의 형성방법 | |
KR960023223A (ko) | 실리콘 이동을 감소시키기 위한 질화 금속막의 처리방법 | |
KR970052233A (ko) | 메탈 콘택 형성방법 | |
EP1596428A4 (en) | ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
EP0328970A3 (en) | Method of depositing tungsten on silicon in a non-self-limiting cvd process and semi-conductor device manufactured thereby | |
KR920006533A (ko) | 증착된 박막의 장벽성을 개선하기 위한 플라즈마 어닐링 방법 | |
KR970023750A (ko) | 반도체 기판의 표면상에 전도성 라인을 형성하는 방법 | |
KR950012636A (ko) | 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법 | |
CA2182245A1 (en) | Process for Depositing Adherent Diamond Thin Films | |
KR19990055159A (ko) | 반도체 장치의 텅스텐 금속배선 형성방법 | |
KR940010158B1 (ko) | 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법 | |
KR960036155A (ko) | 피.엘.티. 박막 제조방법 | |
KR970072058A (ko) | 알루미늄막의 화학적 기상 증착 | |
KR970008328A (ko) | 낮은 결함밀도를 갖는 비정질실리콘 박막의 형성방법 | |
KR910019118A (ko) | 반도체 웨이퍼 상에 규화 티타늄을 형성시키는 공정 집적시스템 | |
JPH01230250A (ja) | Cvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020924 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |