KR950012156A - 자성 토너, 프로세스 카트리지 및 화상 형성 방법 - Google Patents

자성 토너, 프로세스 카트리지 및 화상 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자성 토너가 13. 5㎛ 이하의 중량 평균 입도를 갖고, 자성 토너가, 12.7㎛ 이상의 입도를 갖는 자성 토너 입자가 철 기준으로 0.4 내지 2.0중량% 함량의 규소를 갖고, 자성 산화철 입자가 그의 최외각 표면에 1.2 내지 4.0의 Fe/Si 원자비를 갖는 결합 수지 및 자성 산화철 입자를 포함하는 자성 토너 입자로 이루어지는 자성 토너에 관한 것이다. 특별히 조절된 전체 및 표면 규소 함량을 갖는 상기 자성 산화철 입자의 사용으로 인하여, 자성 토너는 고습도에 방치시에도 안정된 성능을 보인다.

Description

자성 토너, 프로세스 카트리지 및 화상 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 자성 토너를 사용하는 화상 형성에 적합한 화상 형성 장치의 일례의 개략도,
제 2 및 3도는 각각 본 발명에 따른 자성 토너를 사용하는, 화상 형성에 적합한 형성 장치의 또다른 일례의 개략도.

Claims (31)

  1. 자성 토너가 13. 5㎛ 이하의 중량 평균 입도를 갖고, 자성 토너가, 12.7㎛ 이상의 입도를 갖는 자성 토너 입자가 50중량% 이하의 양으로 함유되는 입도 분포를 갖고, 자성 산화철 입자가 철 기준으로 0.4내지 2.0중량% 함량의 규소를 갖고, 자성 산화철 입자가 그의 최외각 표면에 1.2 내지 4.0의 Fe/Si 원자비를 갖는 결합 수지 및 자성 산화철 입자를 함유하는 자성 토너 입자로 이루어지는 자성 토너.
  2. 제 1 항에 있어서, 자성 산화철 입자가 0.3 내지 0.8의 평활도를 갖는 것인 자성 토너.
  3. 제 1 항에 있어서, 자성 산화철 입자가 0.8g/㎤ 이상의 벌크 밀도를 갖는 것인 자성 토너.
  4. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 15.0㎡/g 이하의 BET 비표면적을 갖는 것인 자성 토너.
  5. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 알루미늄으로 산출시 0.01 내지 2.0중량%의 양의 수산화 알루미늄으로 처리되는 것인 자성 토너.
  6. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 그의 최외각 표면에 0.3 내지 10.0의 Fe/Al 원자비를 갖는 것인 자성 토너.
  7. 제 1 항에 있어서, 자성 산화철 입자가 0.3 내지 0.8의 평활도, 0.8g/㎤ 이상의 벌크 밀도, 15.0㎡/g 이하의 BET 비표면적을 갖는 것인 자성 토너.
  8. 제 7항에 있어서, 자성 산화철 입자가 알루미늄 화합물로 처리되는 것인 자성 토너
  9. 제8항에 있어서, 자성 산화철 입자가 알루미늄으로 산출시 0.01 내지 2.0중량%의 수산화 알루미늄으로 처리되는 것인 자성 토너.
  10. 제 8항에 있어서, 자성 산화철 입자가 그의 최외각 표면에 0.3 내지 100의 Fe/Al 원자비를 갖는 것인 자성 토너.
  11. 제 1 항에 있어서, 자성 토너가 3.5 내지 13.5㎛의 중량 평균 입자 크기를 갖고, 4O중량% 이하의 12.7㎛ 이상의 입도를 갖는 자성 도너 입자를 함유하는 것인 자성 토너.
  12. 제11항에 있어서, 자성 토너가 4.0 내지 11.0㎛ 자성 토너의 중량 평균 입도를 갖고, 3O중량% 이하의, 12.7㎛ 이상의 입도를 갖는 자성 토너 입자를 함유하는 것인 자성 토너.
  13. 제 1 항에 있어서, 자성 산화철 입자가 첫 기준으로 0.5 내지 0.9중량%의 규소(Si) 함량을 갖는 것인 자성 토너.
  14. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 알루미늄으로 산출시 O.05 내지 1.0중량%의 수산화 알루미늄으로 처리되고, 그의 최외각 표면에 0.3 내지 5.0의 Fe/Al 원자비를 갖는 것인 자성 토너.
  15. 제14항에 있어서, 자성 산화철 입자가 그의 최외각 표면에 0.3 내지 2.0의 Fe/Al 원자비를 갖는 것인 자성 토너.
  16. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 0.45 내지 0.7의 평활도, 1,Og/㎤이상의 벌크 밀도, 12.0㎡/g 이하의 BET 비표면적, 및 0.1 내지 0.4㎛의 평균 입도를 갖는 것인 자성 토너.
  17. 제16항에 있어서, 자성 산화철 입자가 0.5 내지 0.7의 평활도 및 0.1 내지 0.3㎛의 평균 입도를 갖는 것인 자성 토너.
  18. 제1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 7.0×10+3내지 15.0×10+3ml/g의 총 표면 개공 용적을 갖는 것인 자성 토너.
  19. 제18항에 있어서, 자성 산화철 입자가 8.0×10+3내지 12.0×10+3ml/g의 총 표면 개공 용적을 갖는 것인 자성 토너.
  20. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가, 개공 지름이 20Å보다 작은 미세 개공이 개공 지름이 20Å 이상의 중간 개공의 것과 동일 또는 더 작은 총 비표면적을 제공하는 표면 개공 분포를 갖는 것인 자성 토너.
  21. 제1항에 있어서, 자성 산화철 입자가, 23.5℃의 온도 및 65%RH의 습도에서 0.4 내지 1.0중량%의 함수량, 및 32.5℃의 온도 및 85%RH의 습도에서 0.6 내지 1.5중량%의 함수량을 갖으며, 이들 함수량의 차이가 O.6중량%를 넘지 않는 것인 자성 토너.
  22. 제21항에 있어서, 자성 산화철 입자가, 23.5℃의 온도 및 65%RH의 습도에서 0.45 내지 0.9O중량%의 함수량, 및 32.5℃의 온도 및 85%RH의 습도에서 0.6 내지 1.1O중량%의 함수량을 갖으며, 이들 함수량의 차이가 0.3중량%를 넘지 않는 것인 자성 토너.
  23. 제 1항에 있어서, 자성 산화철 입자가 음전하 조절제를 더 함유하는 것인 자성 도너.
  24. 제23항에 있어서, 음전하 조절제가 하기 일반식의 모노아조 철 착염인 자성 토너.
    상기 식에서, X1및 X2은 독립적으로 수소, 저급 알킬, 저급 알콕시, 니트로 또는 할로겐을 나타내고, m 및 m'은 독립적으로 1 내지 3의 정수를 나타내고 ; Y1및 Y3은 독립적으로 수소, C1-C18알킬, C2-C18알케닐, 술폰아미드, 메실, 술폰산, 카르복시 에스테르, 히드록시, C1-C18알콕시, C2-C18아세틸아미노, 벤조일, 아미노 또는 할로겐을 나타내고 ; n 및 n'은 독립적으로 1 내지 3의 정수를 나타내고 ; Y2및 Y4는 독립적으로 수소 또는 니트로를 나타내고 ; A 는 H+, Na+, k+또는 NH4 +를 나타낸다.
  25. 제23항에 있어서, 음전하 조절제가 하기 일반식의 유기 철 화합물인 자성 토너
    (식 중, R은 수소, C1-C18알킬 또는 알케닐을 나타냄)과 같은 치환체를 가질 수 있는를 나타내고, Y는 -O- 또는를 나타내고 ; A는 H+, Na+, k+또는 NH4 +또는 지방족 암모늄을 나타낸다.
  26. 제23항에 있어서, 음전하 조절제가 하기 일반식의 N,N'-비스아릴우레아 유도체인 자성 토너
    상기 식에서, Y1및 Y2은 독립적으로 페닐, 나프틸 또는 안트릴을 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 할로겐, 니트로, 술폰산, 카르복실, 카르복실레이트, 시아노, 카르보닐, 알킬, 알콕시 또는 아미노를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 수소, 알킬, 알콕시, 치환기를 가질 수 있는 페닐, 치환기를 가질 수 있는 아랄킬, 또는 아미노를 나타내고; R5및 R6은 독립적으로 수소 또는 C1-C8탄화 수소기를 나타내고 ; k 및 j은 독립적으로 1 내지 3의 정수를 나타내지만, 단 둘다 O일 수 없으며 ; m 및 n은 독립적으로 1 또는 2이다.
  27. 제 1항에 있어서, 슬서자성 산화철 입자가 결합 수지 100중량부 당 20 내지 200중량부의 양으로 함유되는 자성 토너.
  28. 현상 수단 및 감광 부재가 장치 주 조립체에 탈착 가능하게 배치된 카트리지내에 통합되고, 상기 제27항중 어느 한 항에 따른 사성 토너를 포함하는, 적어도 현상 수단 및 감광 부재로 이루어지는 프로세스 카트리지.
  29. 정전 화상-보유 부재상에 정전 화상을 형성시키는 단계, 및 현상 수단에 고정된 제 l항 내지 제27항중 어느 한 항에 따른 자성 토너로 정전 화상을 현상시켜, 정전 화상-보유 부재상에 토너상을 형성하는 단계로 이루어지는 화상 형성 방법.
  30. 제29항에 있어서, 정전 화상-보유 부재상의 토너상이 전사-수용 재료에 전사되는 것인 화상 형성 방법.
  31. 제29항에 있어서, 정전 화상-보유 부재를 접촉 대전 수단에 의해 대전시키고, 이어서 빛에 노출되어 그 위에 디지탈 정전 화상을 형성하고, 디지탈 정전 화상을 자성 토너로 현상하고, 정전 화상-보유 부재상의 형성된 토니 화상을 접촉 전사 수단에 의해 전사-수용 재료에 전사시키는 것인 화상 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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