KR950010445Y1 - 반도체웨이퍼 지지캐리어 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체웨이퍼 지지캐리어

제1도는 본 고안에 따른 반도체웨이퍼 지지캐리어의 제1실시예를 나타낸 측면도.

제2도는 그 변형예를 나타낸 측면도.

제3도는 제2실시예를 나타낸 측면도.

제4도는 제3실시예를 나타낸 측면도.

제5도 및 제6도는 제4실시예를 나타낸 도면으로,

제5도는 액상처리중의 상태를 나타낸 측면도.

제6도는 액상처리 종료후에 반도체웨이퍼를 끌어 올리기 직전의 상태를 나타낸 측면도.

제7도 및 제8도는 방진판의 유무에 따라 반도체웨이퍼의 표면에 부착하는 티끌의 수의 차이를 나타낸 그래프.

제9도 및 제10도는 종래예를 나타낸 측면도.

제11도는 티끌이 부착한 반도체웨이퍼의 측단면도.

제12도 및 제13도는 티끌이 부착한 반도체웨이퍼에 배선을 실시한 때의 문제점을 설명하기 위한 평면도.

제14도는 종래의 오버플로우에 의한 티끌의 배출상태를 나타낸 측면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 처리조(處理槽) 3 : 처리액

4 : 반도체웨이퍼 7 : 티끌

10,20,30,40 : 반도체웨이퍼 지지캐리어 11 : 지지대(支持臺)

13,19 : 방진판(防塵坂)

[산업상의 이용분야]

본 고안은 반도체웨이퍼(Wafer) 지지캐리어(Carrier)에 관한 것으로, 특히 반도체웨이퍼를 액상(液相)중에서 액상처리할 때에 이 반도체웨이퍼를 지지하도록 한 반도체웨이퍼 지지캐리어에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 그 문제점]

반도체장치의 제조공정에 있어서, 반도체웨이퍼는 여러가지의 액상처리를 받게 된다. 예컨데, 반도체웨이퍼 표면의 불순물에 의한 오염을 제거하기 위해 세정액을 이용하는 세정처리를 받는다거나, 과포화용액으로부터의 석출반응에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 실리콘산화물의 막을 형성하는 처리(LPD法)를 받는다.

이러한 액상처리는, 반도체웨이퍼를 반도체웨이퍼 지지캐리어로 지지하고, 이 반도체웨이퍼를 지지한 채 지지캐리어를 반도체웨이퍼와 더불어 각종 처리액내로 출입시킴으로써 이루어지고 있다.

종래의 일반저긴 반도체웨이퍼 지지캐리어에 있어서는, 액상처리를 할 때에 반도체웨이퍼의 표면에 티끌(먼지)이 부착되는 것을 방지하기 위한 수단이 하등 준비되어 있지 않았다.

즉, 제9도 및 제10도에 도시한 것처럼, 액상처리장치(1)의 처리조(處理槽;2)내를 처리액(3)으로 채워 놓고, 한편으로는 반도체웨이퍼(4)를 그 하단부 등에 있어서 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)의 하부지지대(6)로 지지해 놓는다. 그리고, 반도체웨이퍼(4)를 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)로 지지한 채 액상처리장치(1)의 처리액(3)내에 담그어서 반도체웨이퍼(4)에 액상처를 행한 후, 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)를 반도체웨이퍼(4)와 더불어 끌어 올리도록 한 것이었다.

여기에서, 상기 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)는 일반적으로 1로트(lot) 25매(枚) 정도의 반도체웨이퍼를 전후방향으로 소정간격 이간시켜서 배열하여 지지하도록 되어 있다.

그런데, 상기 처리조(2)내에 채워진 처리액(3)의 표면에는 일반적으로 다수의 티끌(7)이 떠다니고 있다.

그리고 액상처리 종료후에 상기 반도체웨이퍼(4)를 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)에 의해 처리액(3)으로부터 끌어 올리면, 이때에 그 액면에 떠다니고 있는 티끌(7)이 반도체웨이퍼(4)의 표면에 부착되어 버린다.

즉, 액상처리가 처리액의 세정도를 확보하기 쉬운 반도체웨이퍼 세정처리인 경우, 액면에서 반도체웨이퍼(4)의 표면에 부착되는 티끌의 수는, 예컨대 지름이 0.3㎛ 이상인 것이 5인치 반도체웨이퍼 1매당 수십개로부터 300개 정도에 달한다(제7도 참조). 더욱이, 액상처리가 처리액(3)중에 티끌(7)이 발생하기 쉬운, 예컨대 레지스트 박리나 LPD법인 경우, 반도체웨이퍼(4)의 표면에 부착되는 티끌(7)의 수는 100∼1,000개로도 되는 경우가 있다(제8도 참조).

이러한 반도체웨이퍼(4)의 표면에 부착된 티끌(7)은 그 이후의 반도체장치의 미세팬턴의 형성시에 현저한 문제점을 야기시킨다.

이것을 제11도∼제13도에 기초하여 설명한다.

즉, 제11도에 도시한 것처럼, 반도체웨이퍼(4)를 액상처리한 때, 그 밑바탕 막(8)의 표면에 티끌(7)이 부착되어 있다고 하고, 그 전표면에 배선물질(9')을 적층했다고 하자.

이 상태에서, 배선물질(9')을 에칭함으로써 밑바탕 막(8)의 표면에 소정형상의 배선패턴(9)을 형성하고자 하면, 예컨대 상기 티끌(7)이 형성되어야 할 배선패턴(9)의 내부에 위치하고, 이 티끌(7)의 상부에 위치하는 도전물질이 완전히 에칭되어 버려 제12도에 도시한 것처럼 본래 연속해야 할 배선패턴(9)에 걸락부를 발생시키므로, 배선패턴(9a,9b)이 접속하지 않게 되는 경우가 있다.

이에 따라, 배선패턴(9a,9b)간의 도통이 취해지지 않게 되므로 반도체장치의 배선패턴 형성이 양호하게 이루어지지 않게 된다.

또한, 이 티끌(7)이 서로 인접하는 배선패턴(9,9)간에 위치하고, 에칭시에 티끌(7)이 하측으로 돌아 들어간 도전물질이 에칭되지 않고 남아 제13도에 도시한 것처럼 티끌(7)의 부분에 있어서 배선물질의 에칭잔류부(9c)가 발생하므로, 본래 접속되지 않아야 할 배선패턴(9d,9e)이 접속되는 경우가 있다. 이에따라, 배선패턴(9d,9e)간에서 단락이 발생하여 반도체장치의 배선패턴의 형성에 문제가 생기게 된다.

이 때문에, 반도체웨이퍼(4)의 표면에 티끌(7)이 부착되는 것을 극력 방지할 필요가 있지만, 종래에는 일반적으로 액면에 떠다니고 있는 티끌을 저감함으로써 이에 대처하고 있었다.

즉, 제14도에 도시한 것처럼, 액상처리장치(1)의 처리조(2)의 내부에 그 아랫쪽으로부터 처리액(3)을 도입함으로써, 처리액(3)을 처리조(2)의 윗면으로부터 사방으로 오버플로우시키고, 그 오버플로우하는 처리액(3)과 티끌(7)을 함께 외부로 유출시키도록 하는 것이 일반적으로 행해지고 있었다.

그렇지만, 상기 처리액(3)을 오버플로우시킴으로써 티끌(7)의 수는 어느정도 저감되며 액면 아래부분의 처리액(3)은 흘러 지나가지만, 액면에 떠다니고 있는 티끌(7)은 남는 경우가 많고, 특히 처리조(2)의 거의 중앙부에 존재하는 티끌(7)은 그 대부분이 남기 때문에, 그 효과는 그다지 현저하지 못하다.

이와 같이, 액면에 떠다니고 있는 티끌(7)을 없애는 일은 일반적으로 꽤 곤란하기 때문에, 종래의 액상처리에 있어서는 처리액(3)으로부터 반도체웨이퍼 지지캐리어(5)에 의해 반도체웨이퍼(4)를 끌어 올릴 때에 처리액(3)의 액면에 떠다니고 있는 티끌(7)이 반도체웨이퍼(4)의 표면에 부착되어 그 이후의 반도체장치의 미세패턴 형성시에 현저한 악영향을 끼치고 있는 것이 현상(現狀)이었다.

한편, 제7도 및 제8도로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, 예컨대 25매의 반도체웨이퍼를 세운 상태에서 전후방향으로 소정간격 이간시켜 배열하여 반도체웨이퍼 지지캐리어로 지지한 상태에서 액상처리를 실시하고, 이것을 끌어 올릴 때, 가장 앞쪽에 배치된 반도체웨이퍼(1매째의 반도체웨이퍼)의 표면에 꽤 많은 티끌이 부착되지만, 그 뒷쪽에 배치된 반도체웨이퍼(2매째 이후의 반도체웨이퍼)의 표면에는 그 정도로 부착되지는 않는다.

그 이유는, 1매째의 반도체웨이퍼는 그 전방에 떠다니고 있는 티끌이 끌어 당겨져 이 반도체웨이퍼에 부착되지만, 2매째 이후의 반도체웨이퍼는 앞에 위치하는 반도체웨이퍼에 의해 방해되어 1매째의 반도체웨이퍼정도의 티끌을 끌어 당기는 일이 없기 때문이라고 생각된다.

[고안의 목적]

본 고안은 상기한 점을 감안해서, 액면에 떠다니는 티끌을 없애는 것보다도 반도체웨이퍼 이외의 부분에 티끌을 모으는 쪽이 반도체웨이퍼 표면으로의 티끌의 부착을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 실용적이면서 효과적이라는 판단에 기초하여 액상처리시 반도체웨이퍼를 처리액으로부터 끌어 올릴 때에 액면에 떠다니고 있는 티끌을 반도체웨이퍼 이외의 다른 부재에 적극적으로 부착시킴으로써, 반도체웨이퍼의 표면에 티끌이 극력 부착되지 않도록 한 반도체웨이퍼 지지캐리어를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.

[고안의 구성]

상기 목적을 달성하기 위해 본 고안에 따른 반도체웨이퍼 지지캐리어는, 복수의 반도체웨이퍼를 세운 상태에서 전후방향으로 소정간격 이간시켜서 배열하고 지지하고, 이 반도체웨이퍼와 더불어 액상중에 담그어서 반도체웨이퍼를 액성처리하도록 한 반도체웨이퍼 지지캐리어에 있어서, 상기 반도체웨이퍼의 표면측에 이 반도체웨이퍼의 상단으로부터 윗쪽으로 돌출하여 액상으로부터 끌어 올릴 때에 반도체웨이퍼보다 앞서 액면으로부터 나오도록 한 방진판을 배치한 구성으로 되어 있다. 여기에서, 상기 액상처리로서는 예컨대 과포화용액으로부터의 석출반응에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 실리콘산화막을 형성하는 처리(LPD法)등을 들 수 있다.

[작용]

상기와 같이 구성된 본 고안에 의하면, 처리액으로부터 반도체웨이퍼 지지캐리어를 끌어 올리는 경우에, 먼저 방지판이 끌어 올려지므로 이 방지판의 주위에 존재하는 티끌은 이 방지판에 끌어 당겨져 부착되게 된다.

따라서, 이 방진판에 표면을 대면시켜서 그 후방에 반도체웨이퍼의 표면에는 방진판에 부착되는 정도로 티끌이 끌어 당겨지지 않으므로, 이 표면으로의 티끌의 부착을 극력 저감시켜서 반도체장치의 그 이후의 미세패턴의 형성에 문제를 일으키는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.

[실시예]

이하, 첨부도면을 참조하면서 본 고안의 각 실시예를 상세히 설명한다.

제1도는 본 고안에 따른 반도체웨이퍼 지지캐리어의 제1실시예를 나타낸 도면으로, 본 실시예의 반도체웨이퍼 지지캐리어(10)에는 복수의 반도체웨이퍼(4)를 세운 상태에서 전후방향으로 소정간격 이간시켜서 배열하여 그 측부에서 지지하도록 한 지지대(11)가 한 쌍의 정면벽(12)에 그 양단이 연결되어 구비되어 있다.

이에 따라, 각 반도체웨이퍼(4)는 이 지지대(11)의 내부에 소정간격 이간시켜진 상태로 격납되어 지지대(11)와 함께 반송되도록 되어 있다.

상기 지지대(11)에는, 그 내부에 반도체웨이퍼(4)를 격납한 경우, 그 최전방에 위치하는 반도체웨이퍼(1매째의 반도체웨이퍼 ; 4')의 표면의 전방에 위치하고, 더욱이 최후방에 위치하는 반도체웨이퍼(1로트가 25매인 경우에는 25매째의 반도체웨이퍼 ; 4")의 후방에 위치하도록 각각 방진판(13)이 일체로 고착되어 있다.

상기 각 방진판(13)의 높이는 그 상부가 지지대(11)의 내부에 격납된 각 반도체웨이퍼(4)의 상단의 윗쪽으로 돌출하도록 충분히 높게 형성되므로, 지지대(11)를 반도체웨이퍼(4)와 더불어 처리액으로부터 끌어 올릴 때에 먼저 그 방진판(13)의 상단이 먼저 액면으로부터 나오게 된다.

이러한 반도체웨이퍼 지지캐리어(10)의 내부에 복수(예컨대 25매)의 반도체웨이퍼(4)를 격납한 상태에서, 제9도에 도시한 것처럼 내부에 처리액(3)이 채워진 처리조(2)내에 담그고, 예컨대 반도체웨이퍼(4)의 표면의 불순물 등에 의한 오염을 제거하기 위한 반도체웨이퍼 세정처리 또는 과포화용액으로부터의 석출반응에 의해 반도체웨이퍼상에 실리콘산화막을 형성하는 처리(LPD법) 등의 액상처리를 실시한다.

그리고, 이 액상처리의 종료후에 지지대(11)를 끌어 올림으로써 반도체웨이퍼(4)도 지지대(11)와 함께 끌어 올리는 것이다. 이때, 통상은 제7도 및 제8도로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이 1매째의 반도체웨이퍼(4')에 꽤 많은 티끌이 부착되지만, 상기한 것처럼 그 전방에 방진판(13)이 구비되어 있고, 게다가 이 방진판(13)은 반도체웨이퍼(4)에 앞서 액면으로부터 끌어 올려지기 때문에, 이 방진판(13)의 주위에 존재하는 티끌은 이 방진판(13)에 끌어 당겨져 거기에 부착되게 된다. 이에 따라, 반도체웨이퍼(4)로의 티끌의 부착을 대폭적으로 저감시킬 수 있게 된다.

제2도는 상기 제1도에 도시한 실시예의 변형예를 나타낸 도면으로, 제1도에 나타낸 정면벽(12)을 제거하고, 방진판(13)이 정면벽(12)으로서의 역할도 겸용하도록 하여 반도체웨이퍼 지지캐리어(10')를 구성한 것이다.

이 변형예의 경우에도, 상기 제1실시예와 마찬가지로 특히 1매째의 반도체웨이퍼(4')로의 티끌의 부착을 대폭저그로 감소시킬 수 있게 된다.

제3도는 본 고안의 제2실시예를 나타낸 도면으로, 상기 제1실시예와 다른점은 지지대(11)의 내부에 복수의 방진판(13)을 착탈자재로 정착되고, 서로 인접하는 방진판(13)간에 1개 또는 복수개의 반도체웨이퍼(4)를 배치할 수 있도록 반도체웨이퍼 지지캐리어(20)를 구성한 점이다.

이 제2실시예의 경우, 1매째의 반도체웨이퍼(4')의 후방에 위치하는 2매째의 반도체웨이퍼(4)로의 티끌의 부착을 저감시킬 수 있고, 더욱이 좁은 간격으로 방진판(13)을 구비함으로써 액면의 티끌이 방진판(13)으로 수집되는 효과를 한층 향상시켜서 반도체웨이퍼(4)로의 티끌의 부착을 더욱 감소시킬 수 있게 된다.

제4도는 제3실시예를 나타낸 도면으로, 방진판(13)을 좁은 피치로 지지대(11)의 내부에 배치하고, 서로 인접하는 2매의 방진판(13, 13)간에 각각 반도체웨이퍼(4)가 위치하도록 함과 더불어 상기 각 방진판(13)의 상단을 연결판(14)으로 연결하며, 더욱이 이 연결판(14)의 윗면에 손잡이(15)를 설비하여 반도체웨이퍼 지지캐리어(30)를 구성한 것이다.

이 제3실시예의 경우, 방진판(13)의 티끌수집기능 외에, 반도체웨이퍼(4)를 이 지지캐리어(30)에 출입시킬때 연결판(14)을 매개하여 방진판(13)을 전부 한번에 꺼낼 수 있으므로, 반도체웨이퍼(4)를 간편하게 이동시킬 수 있게됨과 더불어, 더욱이 손잡이(15)를 이용하여 방진판(13)을 한층 용이하게 꺼낼 수 있게 된다.

제5도 및 제6도는 본 고안의 제4실시예를 나타낸 도면으로, 반도체웨이퍼 지지캐리어(40)에는 상단에 바깥쪽으로 굴곡시킨 손잡이부(16a)를 형성한 틀(16)과, 각 반도체웨이퍼(4)의 상단부를 지지하는 상부지지틀(17) 및 하단부를 지지하는 하부지지대(18)가 구비되어 있고, 상기 상부지지틀(17)에는 복수의 파지부(把持部 : 17a)가 설치됨과 더불어 상기 틀(16)의 수직부에 접동(摺動)자재로 연결되어 있다.

더욱이 상기 틀(16)의 바닥부분에는, 윗쪽으로 개구(開口)한 횡단면자형으로 그 반도체웨이퍼(4)의 하부 및 양측부를 덮음과 더불어, 반도체웨이퍼(4)의 높이보다도 높게 하여 반도체웨이퍼(4)를 끌어 올릴 때에 그 상단이 앞서 액면으로부터 나오도록 한 방진판(19)이 구비되어 있다.

그리고, 제5도에 나타낸 것처럼 처리조(2)에 채워진 처리액(3)내에 반도체웨이퍼(4)를 담글 때에는, 상기 상부지지틀(17)의 파지부(17a)로 반도체웨이퍼(4)의 상부를 각각 파지하고, 방진판(19)을 아랫쪽으로 위치시킨 상태에서 행한다.

그리고, 반도체웨이퍼(4)를 끌어 올릴 때에 상부지지틀(17)을 접동시키면서 손잡이부(16a)를 매개하여 틀(16)을, 더 나아가서는 방진판(19)을 끌어 올리고, 방진판(19)의 바닥부분이 하부지지대(18)에 맞닿아 접하는 소정의 위치까지 끌어 올려진 때에 상부지지틀(17)에 의한 반도체웨이퍼(4)의 파지를 해제하고 이것을 하부지지대(18)로 지지한다(제6도 참조). 이 상태에서, 반도체웨이퍼 지지캐리어(40)를 좀더 끌어 올림으로써, 방진판(19)의 상단에 반도체웨이퍼(4)에 앞서 처리액(3)의 액면으로부터 나오게 된다.

즉, 액상처리중에 방진판(19)은 처리조(2)의 바닥부분에 있고, 액상처리가 종료되어 반도체웨이퍼(4)를 끌어 올릴 때에만 이 반도체웨이퍼(4)는 방진판(19)의 내부에 포위된 상태에서 끌어 올려진다.

따라서, 반도체웨이퍼(4)를 포위하는 방진판(19)에 의해 티끌의 수집효과를 한층 향상시킬 수 있게 됨과 더불어, 액상처리간에 방진판(19)을 처리조(2)의 바닥부분에 위치시킴으로써 액상처리는 방진판(19)에 의한 영향을 전혀 받지 않고 종래처럼 행할 수 있게 된다.

다음에 제4도에 나타낸 제3실시예와 방진판(13)을 설치하지 않은 종래예의 방진효과를 비교한 실험결과, 즉 지름이 5인치인 25매의 반도체웨이퍼(4)를 전후에 배열한 경우, 그 표면에 부착된 지름 0.3㎛이상의 티끌의 수를 측정한 측정결과를 제7도 및 제8도에 나타내었다.

여기에서는, 횡축에 소정간격 이간시켜서 배치한 25매의 반도체웨이퍼(4)중에서 가장 앞쪽에 위치하는 반도체웨이퍼를 1로하여 순차연속번호를 붙인 반도체웨이퍼(4)의 전후방향의 위치를 취하고, 종축에 티끌의 수를 취하였다.

제7도는 액상처리로서 반도체웨이퍼 표면의 불순물에 의한 오염을 제거하는 반도체웨이퍼 세정처리를 행한 결과를 나타낸 것이다.

이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 방진판(13)을 구비함으로써, 방진판(13)이 없을 때에는 최고 300개였던 티끌의 수를 평균 20개 정도로 감소시킬 수 있었다.

제8도는 액상처리로서 과포화용액으로부터의 석출반응에 의해 반도체웨이퍼(4)의 표면에 SiO₂막을 형성하는 처리(LPD법)를 행한 경우의 효과를 나타낸 것이다.

이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이 방진판(13)이 없는 경우에 수백개였던 티끌을 방진판(13)에 의해 수십개로 대폭 감소시킬 수 있었다.

한 편, 본원 청구범위의 각 구성요건에 병기한 도면참조부호는 본원 고안의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본원 고안의 기술적 범위를 도면에 도시한 실시예에 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.

[고안의 효과]

본 고안은 상기한 바와 같은 구성으로 되어 있으므로, 처리액중으로 부터 반도체웨이퍼 지지캐리어를 끌어 올리는 경우에, 액상의 표면에 떠다니고 있는 티끌을 먼저 방진판에 끌어 당겨 부착시킴으로써 반도체웨이퍼 표면으로의 티끌의 부착을 극력 방치할 수 있고, 이에 따라 그 이후의 반도체장치의 미세패턴의 형성에 지장을 초래하지 않는 효과를 얻을 수 있게 된다.

Claims (5)

1. 지지대(11)와, 상기 지지대(11)의 양단에 연결된 한쌍의 정면벽(12)과, 상기 한쌍의 정면벽(12) 사이에 소정간격 이간되면서 세워진 상태로 격납되는 복수의 반도체웨이퍼(4,4',4")중 최전방에 위치하는 반도체웨이퍼(4')의 표면에 전방에 위치하며, 더욱이 최후방에 위치하는 반도체웨이퍼(4")의 후방에 위치하도록 상기 지지대(11)에 각각 고착된 방진판(13)을 구비하고, 상기 방진판(13)의 높이는, 그 상부가 지지대(11)의 내부에 격납한 반도체웨이퍼(4,4',4")의 상단의 윗쪽으로 돌출하도록 충분히 높게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 지지캐리어.
2. 지지대(11)와, 상기 지지대(11)의 내부에 소정간격 이간되면서 세워진 상태로 격납되는 복수의 반도체웨이퍼(4,4',4")중 최전방에 위치하는 반도체웨이퍼(4')의 표면에 전방에 위치하며, 더욱이 최후방에 위치하는 반도체웨이퍼(4")의 후방에 위치하도록 상기 지지대(11)에 각각 고착된 방진판(13)을 구비하고, 상기 방진판(13)의 높이는, 그 상부가 지지대(11)의 내부에 격납한 반도체웨이퍼(4,4',4")의 상단의 윗쪽으로 돌출하도록 충분히 높게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 지지캐리어.
3. 지지대(11)와, 1매의 반도체웨이퍼(4') 또는 복수의 반도체웨이퍼(4)가 그들 사이에 세워진 상태로 배치되도록 상기 지지대(11)의 내부에 착탈자재로 장착된 복수의 방진판(13)을 구비하고, 상기 방진판(13)을 구비하고, 상기 방진판(13)의 높이는, 그 상부가 지지대(11)의 내부에 격납한 반도체웨이퍼(4,4')의 상단의 윗쪽으로 돌출하도록 충분히 높게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 지지캐리어.
4. 지지대(11)와, 반도체웨이퍼(4)가 그들 사이에 세워진 상태로 배치되도록 상기 지지대(11)의 내부에 배치된 복수의 방진판(13)과, 상기 각 방진판(13)의 상단을 연결하는 연결판(14)과, 상기 연결판(14)의 윗면에 설비된 손잡이(15)를 구비하고, 상기 방진판(13)의 높이는, 그 상부가 지지대(11)의 내부에 격납한 반도체웨이퍼(4)의 상단의 윗쪽으로 돌출하도록 충분히 높게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 지지캐리어.
5. 상단에 바깥쪽으로 굴곡시킨 손잡이부(16a)를 형성한 틀재(16)와, 각 반도체웨이퍼(4)의 상단부를 지지하는 상부지지틀(17)과, 각 반도체웨이퍼(4)의 하단부를 지지하는 하부지지대(18)와, 상기 상부지지틀(17)에 설치됨과 더불어 상기 틀재(16)의 수직부에 접동(摺動)자재로 연결될 복수의 파지부(17a)와, 윗쪽으로 개구한 단면자형으로 각 반도체웨이퍼(4)의 하부 및 양측부를 덮음과 더불어 상기 반도체웨이퍼(4)의 높이보다도 높게 하여 상기 틀재(16)의 바닥부분에 설치된 방진판(19)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 지지캐리어.